Фотоэлектронные процессы в наноструктурированном кремнии со спиновыми центрами (1097962), страница 6
Текст из файла (страница 6)
Кашкаров. Особенностиспиновых центров на поверхности пористого кремния // Поверхность.Физика, химия, механика. – 1996. – № 2. – С. 32-35.9. V.Yu. Timoshenko, A.B. Matveeva, E.A. Konstantinova, P.K. Kashkarov, H.Flietner, Th. Dittrich. Influence of photoluminescence and trapping on thephotovoltage at the por-Si/p-Si interface // Thin Solid Films. – 1996. – V.276. – P.
216-218.10. P.K. Kashkarov, E.A. Konstantinova, A.B. Matveeva, V.Yu. Timoshenko.Photovoltage and Photo-Induced Charge Trapping in Porous Silicon // Appl.Phys. A. – 1996. – V. 62. – P. 547-551.11. П.К. Кашкаров, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко. Механизмывлияния адсорбции молекул на рекомбинационные процессы впористом кремнии // ФТП. – 1996.
– Т. 30, вып. 8. – С. 1479-1490.12. E.A. Konstantinova, V.Yu. Timoshenko, P.K. Kashkarov. Effect ofmolecular adsorption on photoluminescence and spin centers in poroussilicon // Ukrainian Journal of Physics. – 1996. – Т. 41, no.11-12. – С. 11031109.3013. E.A. Konstantinova, P.K. Kashkarov, V.Yu. Timoshenko. Spin centerspeculiarities in nanostructures of porous silicon // Physics of LowDimensional Structures.
– 1996. – V. 12. – С. 127-130.14. П.К. Кашкаров, Е.А. Константинова, С.А. Петрова, В.Ю. Тимошенко,А.Э. Юнович. К вопросу о температурной зависимостифотолюминесценции пористого кремния // ФТП. – 1997. – Т. 31, вып. 6.– С. 745-748.15. P.K. Kashkarov, E.A. Konstantinova, A.V.
Pavlikov, V.Yu. Timoshenko.Influence of ambient dielectric properties on the luminescence in quantumwires of porous silicon // Physics of Low-Dimensional Structures. – 1997. –V. 1/2. – С. 123-130.16. В.В. Ушаков, В.А. Дравин, Н.Н. Мельник, В.А. Караванский, Е.А.Константинова, В.Ю. Тимошенко. Радиационная стойкость пористогокремния // ФТП.
– 1997. – Т. 31, вып. 9. – С. 1126-1129.17. П.К. Кашкаров, Б.В. Каменев, Е.А. Константинова, А.И. Ефимова, А.В.Павликов, В.Ю. Тимошенко. Динамика неравновесных носителейзаряда в кремниевых квантовых нитях // УФН. – 1998. – Т. 168, № 5. –С. 577-582.18. В.Ю. Тимошенко, Е.А. Константинова, Т. Дитрих. Исследованиефотоэдс в структурах пористый Si / Si методом импульсногофотонапряжения // ФТП. – 1998. – Т. 32, вып.
5. – С. 613-619.19. P.K. Kashkarov, E.A. Konstantinova, A.I. Efimova, B.V. Kamenev, M.G.Lisachenko, A.V. Pavlikov, and V.Yu. Timoshenko. Carrier Recombinationin Silicon Quantum Wires Surrounded by Dielectric Medium // Physics ofLow-Dimensional Structures. – 1999. – V. 3/4. – С. 191-202.20. Б.В. Каменев, Е.А. Константинова, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко.Модификацияоптоэлектронных свойствпористогокремния,приготовленного в электролите на основе тяжелой воды // ФТП. –2000.–Т.
34, вып. 6. – С. 728-731.21. M.G. Lisachenko, E.A. Konstantinova, P.K. Kashkarov, V.Yu. Timoshenko.Dielectric effect in silicon quantum wires // Phys. Stat. Sol. (a). – 2000. – V.182, № 1. – P.297-300.22. М.Г. Лисаченко, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров.Особенности рекомбинации неравновесных носителей заряда вобразцах пористого кремния с различной морфологией наноструктур //ФТП. –2002.
–Т. 36, вып. 3. – С. 344-348.23. Е.А. Константинова, Л.А. Осминкина, К.С. Шаров, Е.В. Курепина, П.К.Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. Взаимодействие молекул диоксида азота споверхностью кремниевых нанокристаллов в слоях пористого кремния// ЖЭТФ. – 2004. – Т. 126, № 10. – С. 857-865.24. Е.А. Константинова, Ю.В. Рябчиков, Л.А. Осминкина, А.С.
Воронцов,П.К. Кашкаров. Влияние адсорбции донорных и акцепторных молекулна рекомбинационные свойства кремниевых нанокристаллов // ФТП. –2004. – Т. 38, № 11. – С. 1386-1391.3125. E.A. Konstantinova, L.A. Osminkina, C.S. Sharov, V.Yu. Timoshenko, P.K.Kashkarov. Influence of NO2 molecule adsorption on free charge carriers andspin centers in porous silicon // Phys. stat. sol (a). – 2005. – V.
202, №. 8. –P. 1592–1596.26. A. V. Pavlikov, L. A. Osminkina, E. A. Konstantinova A. I. Efimova,E. V. Kurepina, V. Yu. Timoshenko, P. K. Kashkarov. Optical study ofequilibrium charge carriers in mesoporous silicon // Phys. stat. sol (c). –2005. – V. 2, №. 9. – P. 3495-3499.27. Л.А. Осминкина, Е.А. Константинова, К.С. Шаров, П.К. Кашкаров,В.Ю.
Тимошенко. Роль примеси бора в слоях пористого кремния дляактивации в них свободных носителей заряда при адсорбцииакцепторных молекул // ФТП. – 2005. – Т. 39, вып. 3. – С. 365-368.28. Л.А. Осминкина, А.С. Воронцов, Е.А. Константинова, В.Ю.Тимошенко, П.К. Кашкаров. Влияние адсорбции молекул пиридина наконцентрацию свободных носителей заряда и спиновых центров в слояхпористого кремния // ФТП. – 2005. – Т. 39, вып. 4. – С. 482-486.29. C.S. Sharov, E.A. Konstantinova, L.A. Osminkina, V.Yu. Timoshenko, P.K.Kashkarov. Chemical Modification of a Porous Silicon Surface Induced byNitrogen Dioxide Adsorption // J. Phys.
Chem. B. – 2005. – V. 109. – P.4684-4693.30. А.В. Павликов, Л.А. Осминкина, И.А. Белогорохов, Е.А.Константинова, А.И. Ефимова, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. Рольисходного легирования в эффекте изменения концентрации носителейзаряда в пористом кремнии при адсорбции молекул аммиака // ФТП. –2005. – Т. 39, вып. 11. – С.
1385-1388.31. E.A. Konstantinova, V.A. Demin, A.S. Vorontzov, Yu.V. Ryabchikov, I.A.Belogorokhov, L.A. Osminkina, P.A. Forsh, P.K. Kashkarov, V.Yu.Timoshenko. Electron Paramagnetic Resonance and PhotoluminescenceStudy of Si Nanocrystals – Photosensitizers of Singlet Oxygen Molecules //J. Non-Cryst. Sol. – 2006. – V. 352, № 9-20. – P. 1156-1159.32. Ю.В. Рябчиков., Э.М.
Азметов, Л.А. Осминкина, Е.А. Константинова,П.К. Кашкаров. Влияние адсорбции активных молекул наоптоэлектронные свойства пористого кремния // Вестник московскогоуниверситета. Серия 3. Физика. Астрономия. – 2006. – Т. 4. – С. 35-38.33. Е.А. Константинова, В.А. Демин, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров.ЭПР-диагностика фотосенсибилизированной генерации синглетногокислорода на поверхности нанокристаллов кремния // Письма в ЖЭТФ.– 2007. – Т. 85, вып. 1. – С. 65-68.Цитируемая литература1. Rouquerol J., Avnir, D., Fairbridge, C.W., Everett, D.H., Haynes, J.H.,Pernicone, N., Ramsay, J.D.F., Sing, K.S.W., Unger, K.K.32Recommendations for the characterization of porous solids.
// Pure Appl.Chem. - 1994. - V. 66, no. 8. - P. 1739-1758.2. Campbell I. H., Fauchet P. M. The effects of microcrystal size and shape onthe one phonon Raman spectra of crystalline semiconductors // Sol. St.Comm. - 1986. - V. 58. - P. 739 - 741.3. Cantin J.L., Schoisswohl M., Bardeleben H.J., Zoubir N.H., Vergnat M.Electron-paramagnetic-resonance study of the microscopic structure of theSi (001)-SiO2 interface // Phys. Rev. B. – 1995-II. - V.52, no 16. - P.R11599-R11602.4. Кашкаров П.К., Каменев Б.В., Константинова Е.А., Ефимова А.И.,Павликов А.В., Тимошенко В.Ю.. Динамика неравновесных носителейзаряда в кремниевых квантовых нитях // УФН.
- 1998. - Т. 168, № 5. - С.577-582.5. Решина И.И., Гук Е.Г. Комбинационное рассеяние и люминесценцияпористого кремния // ФТП. -1993. - Т. 27, вып. 5. - С. 728-735.6. Лисаченко М.Г., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К.Особенности рекомбинации неравновесных носителей заряда вобразцах пористого кремния с различной морфологией наноструктур //ФТП. -2002. - Т. 36, вып.
3. - С. 344-348.7. Осминкина Л.А., Константинова Е.А., Шаров К.С., Кашкаров П.К.,Тимошенко В.Ю. Роль примеси бора в слоях пористого кремния дляактивации в них свободных носителей заряда при адсорбцииакцепторных молекул // ФТП. - 2005. - Т. 39, вып. 3. - С. 365-368.8. Polisski G., Kovalev D., Dollinger G.G., Sulima T., Koch F. Boron inmesoporous Si — Where have all the carriers gone? // Physica B. - 1999. V.273-274. - P.951-954.9. Gross E., Kovalev D., Künzner N., Diener J., Koch F., Timoshenko V.Yu.,Fujii M.
Spectrally resolved electronic energy transfer from siliconnanocrystals to molecular oxygen mediated by direct electron exchange //Phys. Rev. B. - 2003 - V. 68. - P. 115405.10. Пул Ч. Техника ЭПР-спектроскопии // Москва, «Мир», - 1970. – 560 с.11. Керрингтон А., Мак-Лечлан A. Магнитный резонанс и его применениев химии // Москва, «Мир», - 1970 – 448 с.33.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
