Автореферат докторской диссертации (1097791), страница 9
Текст из файла (страница 9)
-№ 8. -С. 7-10.8. Avakyants L.P., Gorelik V.S., Obraztsova E.D. Raman study of different phases in ion-implantedsilicon. // J. of Molecular Structure. -1990. -V. 219. -P. 141–145.9. Авакянц Л.П., Горелик В.С., Образцова Е.Д. Комбинационное рассеяние света в различныхфазах имплантированного кремния, подвергнутого лазерному отжигу. // ФТТ.
-1990. -Т. 32.-№ 5. -С. 1507–1510.10. Avakyants L.P., Gerasimov L.L., Gorelik V.S., Manja N.M., Obraztsova E.D., Plotnikov Yu.I.Ramanscattering in amorphous silicon films // J. of Molecular Structure. -1992. -V. 267. -P.177–184.11. Avakyants L.P., Ivlev G.D., Obraztsova E.D. Raman study of laser-induced structure modificationsof ion-amorphized silicon. // Laser Interaction with Atoms, Solids, and Plasmas. Plenum Press,New York. -1994. -P. 239–248.12. Авакянц Л.П., Горелик В.С., Курова И.А., Червяков А.В.
Упорядочение структурыгидрогенизированных пленок кремния под влиянием непрерывного лазерного облучения. //ФТТ. -1997. -Т. 39. -№ 12. -С. 2152-2155.3613. Авакянц Л.П., Ефимов А.Д., Кравченко В.В., Прокопышин О.А., Ушаков Б.В. АморфизацияGaAs при имплантации ионами Si+ и Se+. // Физика и химия обработки полупроводников.-1991. -№ 2. -С. 43-47.14. Авакянц Л.П., Горелик В.С., Китов И.А., Червяков А.В. Комбинационное рассеяние света варсениде галлия, ионно-легированном кремнием. // ФТТ. -1993. –Т. 35, -№ 5. -С.
1354-1362.15. Авакянц Л.П., Горелик В.С., Поляков П.А. Комбинационное рассеяние света на связанныхфонон – плазмонных модах в ионно-легированном арсениде галлия. // Краткие сообщенияпо физике ФИАН. -1999. -Вып. 3. -С. 24–31.16. Avakyants L.P., Polyakov P.A., Gorelik V.S. Characterization of electrical and structuralproperties of ion-implanted GaAs by Raman scattering. // Proc. SPIE.
-2000. -V. 4070. -P.438-443.17. Avakyants L.P., Polyakov, P. A.; Gorelik, V. S. Raman scattering from phonon-plasmon modes ingallium arsenide implanted by silicon ions // Proc. SPIE. -2000. -V. 4069. -P. 11-16.18. Авакянц Л.П., Колмакова Т.П.Диагностика концентрации свободных носителейэпитаксиальных пленок n-InxGa1-xAs методом комбинационного рассеяния света // ЖурналРадиоэлектроники.
Твердотельная Электроника [Электронный журнал]. -2010. -№ 2. -С.1-14. -ISSN 1684-1719.19. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Волчков Н.А., Казаков И.П., Червяков А.В. Определениеконцентрации носителей в легированных слоях n-GaAs методами спектроскопиикомбинационного рассеяния света и фотоотражения. // Оптика и спектроскопия. -2007. –Т.102. -№ 5. -С. 789-793.20. Авакянц Л.П., Горелик В.С., Ефимов А.Д., Темпер Э.М., Щербина С.М. Комбинационноерассеяние света на фонон – плазмонных модах в легированных эпитаксиальных пленкахарсенида галлия. // Краткие сообщения по физике ФИАН. -1990. -Вып.
1. -С. 11-15.21. Авакянц Л.П., Горелик В.С., Темпер Э.М., Щербина С.М. Комбинационное рассеяние света вприповерхностном слое n-GaAs при имплантации ионов бора. // ФТТ. -1999. –Т. 41 -№ 9.-С. 1495–1498.22. Авакянц Л.П., Горелик В.С., Коршунов А.Б., Темпер Э.М. Исследование компенсациипроводимости n-GaAs при имплантации ионами B+ методом фотоотражения. // Краткиесообщения по физике ФИАН.
-1999. -Вып. 2. -С. 17-21.23. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Червяков А.В. Исследованиепроцессаактивациикомбинационногоионно-имплантированногорассеянияифотоотражения.марганца//GaAsПоверхность.синхротронные и нейтронные исследования. -2006. -№7. -С. 91–94.37вметодамиРентгеновские,24. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Григорьев А.Т., Червяков А.В. Комбинационное рассеяние светакак метод неразрушающего контроля поверхности GaAs (100) обработанной плазменнымтравлением. // Известия РАН, Серия физическая. -2004. –Т. 68. -№ 3.
-С. 451-453.25. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Григорьев А.Т., Червяков А.В. Исследование методомфотоотражения полуизолирующих подложек GaAs, обработанных плазменным травлением.// Известия РАН. Серия физическая. -2008. –Т. 72. -С. 995-998.26. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Казаков И.П., Червяков А.В Размерное квантование вгетероструктурах GaAs/AlxGa1-xAs по данным спектроскопии фотоотражения. // ВестникМГУ. Серия 3.
Физика. Астрономия. -2002. -№ 4. -С. 48-50.27. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Колмакова Т.П., Червяков А.В. Исследование встроенногоэлектрического поля в напряженных сверхрешетках GaAs/GaAsP методом спектроскопиифотоотражения. // Вестник МГУ. Серия 3. Физика. Астрономия.
-2004. –№ 1. -С. 45-47.28. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Кульбачинский В.А., Мокеров В.Г.,Червяков А.В. Исследование эффектов размерного квантования в связанных квантовыхямах AlxGa1-xAs/GaAs/ AlxGa1-xAs методом спектроскопии фотоотражения. // Оптика испектроскопия. -2002.
–Т. 93. -Вып. 6. -С. 929-934.29. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Кульбачинский В.А., Мокеров В.Г.,Червяков А.В. Исследование электронных переходов в связанных квантовых ямах совстроенным электрическим полем методом спектроскопии фототражения. // ФТП. -2003. –Т. 37. -Вып. 1. -С. 77-82.30. Avakyants L.P., Bokov P.Yu., Chervyakov A.V., Galiev G.B., Klimov E.A., Vasil’evskii I.S.,Kul’bachnskii V.A. Interband optical transitions in GaAs modulation-doped quantum wells:photoreflectance experiment and self-consistent calculations. // Semicond. Scie. Technol. -2006.-V.
20. -P. 462 – 466.31. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Колмакова Т.П. , Червяков А.В. Исследование разрыва зон нагетеропереходе напряженных короткопериодных сверхрешеток GaAs/GaAsP методомспектроскопии фотоотражения. // ФТП, –2004. –Т. 38. -Вып. 12. -С.1429-1434.32. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Бугаков И.В. , Колмакова Т.П. , Червяков А.В. Исследование d легированных n-i-p-i-n структур GaAs методом спектроскопии фотоотражения. // ЖурналРадиоэлектроники.
Твердотельная Электроника [Электронный журнал]. -2010. -№ 1. -С.1-10. -ISSN 1684-1719.3839.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
