Угрюмов Е.П. Цифровая схемотехника (2004) (1095893), страница 40
Текст из файла (страница 40)
юа маютнао,ббВ если р ер»сег~ит единицу, то тз откпл, а 74 запер та а при юам пере ед напр «м и а ЛВ„.передается гюбазутб, онат«рываыся, и ты( «селю а тсяи шар~от рвнзиста(ю Т7 в транзистор (б ' апряиение на халлекгаре Т7 юеыюаэт. го и спуюп видным си алом лммя ед~ цы дл сследукхцнх ю зл л усилител чтения, обозначен ых «ак ус если трипер кра лоичешии ном, сТЗям.ер Г4 открыт Пмю, нов з о слух е ер эдна ряэ, и ш нии ПВ. ника«е пали ет на пстетцивл базы Гб ~ ере«ляы ия з а ~ не епз нишетиперепалааыхадиоа ю ря в иясхемы|ебуд.
' $4.Г. Динамические запоминающие ; устройства — базовая структура В лилзхш*юских ЗУ ((ЗВЛМ) данны» хранятся в вшю .мрялоя с, «т« ~с ~ ЫОП-структур и основой ЗЭ является просю копьгнса ар нгб ~аьшгхт гм кедзи. Такой ЗЭ знл гителыто проше трттггсрнгао. салсржапюзо б ~ртгнтигто , (юв, что позволяю разместить на крист,ылс нэмного больш ЗЭ (в 4 рзц и тГ«сна гтнмст аинвмпческнм ЗУ мак ныз~ьнузо емкость В го жг нрсэы , кандснс пар нсиз мжгю тарас- со вргмсислз своп зарпт.
и Пжнгнкс ллнпьш трсбуст их псрноличсскои рггснсрации (чсрст нс к:лк миялигг«упг! * Впюминаюц(ие элементы :Изма~игл лонсгснгатарныс ЗЭ ратной отсжггог~в В посл,энга яро, л прзк "тячсскн посыл примснякл олноттчпттисторнзят ЗЗ) - диюры «лм юшнтхчи рммсрь| которых настолько «мды чт * нс нх работу сылн алият ь м.н т',а«типах излу юсмьи моментами корпуса ИС )ЗТ~ — ты т;.,' «за.а.зй.с* з «ау и язмю аю маме и эти а «схгшзу Гй«фро с шж лн л Элсктрн шскзл скема и консгрукпия ° лнотранзи.зорного ЗЭ по««залы гз рве. К32 Ключевой транзистор отключает запомнивши«ил ьонленсшор ге липни записн-считывания ипи лолключаез его к ней.
Сток транзнс~орв нс иь«ест внешнего вывода и образует олпу из обкчадок коны нестора. Другой сбклалкой служит п«лпюжюа Мелшу обкладками рзсп«злаке~ зенкин с «и лизаектрз ка оксил» кремния 5~04. В режиме хранег ия клю квай трап. и«гор опер«. При выборке юнн«то ЗЭ на зьгвор шшаетгя напршкеинс, отпнраюпгее. ршгзистор Звпомппшоп«пя смк сп, чгре пролопящий канал гзол~слочаетсн к липгзг~ шпки-«читьюания и ~ лчн«имости оз заряженного илп разряженного состояния см~ соти рш н но г пнет иа пони аик~ линки записи-с гн~ывання При л пиен потенпнш ли.
нн .нинон-считывания пер«мается не конденсатор, овредезя» его со шпннс 11рплсгс чтения гсалалпля пппнилаюш«гс ыс.гелшл Флагман~ ЗУ <рис 4 Уб показывает ЗЗ усиля~аз«ь с ~и«нижняя УС а таюк«ключи К! и КО сгп ш.- стяснпо записи елг«игзгзгл в нуда К липин записи.считывания (ЛЗС1 подключено спыько ЗЭ, сколько сзрок имев« ся в запоминании.й ип ри~~ * О аОпе значение имеет смк«зс~ь ЛЗС Сл, в силу ботьпзои про~я««сзпзостп линие и боаьшогп ~исаа полключспнык к неи транзисторпл мпогократн преылшающая емкое ь ЗЭ пас с, 1Хг4Н гв. нН к «ус; У Перед счип»аанием ярок в«антса прелзарял ЛЗС Илзекзгсл шри;штм ЗУ с прел мрпдом ЛЗС ло ууювпя напряжения он«апик з ло уровня его п«полипы Глава 4 Рассмотрим посяелонй ааркант в снл) его болыней схемнои прскпль. Итак, перст сопыеаниеы емкость С„шрижается ло уровня Ьп22 б)лсм очи шгь по кр«нонне елинипы ссютеетствует заряженной емкости Г.„а «ранение нуля — <жзряжсн~ ой Лри считывании нуля к ЛЗС аолклю«алтея емкссть Со имевшая ну,,сж й загид Часть заряда емкости С, перетекает в емкость С„и напряжения ня ию ураеоиааюгся Пс геш пал ЛЗС снижается на величин) Л<2 «зпорая « ааляегси сигпдтом.
поступающим на усилитель шгитышнил При скит«шапки с«иди«газ, напротив. г впряжение нв С, сосшвлило вначале еег,илину Ь„к прсвьпиало пю ряжение на ЛЗС При ~олкдючении С, к ЛЗС ~асп, ьшяда стскасг с запамииаилпеи емкости а С«и напряжение на ЛЗС уве':: ла|наестся нв д<' Графики скгнзшов при считывании нули и сл«зницы аскании на рнс 4 34 ц б О ~т 1 ь и и ми Чя ес ,' Зна ение д<' нс ругно агачисдить па основе амелию любого из про~ я« ьг в .
считыыния иулв или счнтыаю ~ил слнпипы Лля счип ~аанил нулл ««тра«еыгт'-' ш с.юттюшие рассуждения До выборки ЗЭ емкость ЛЗС имс«а юрид <) '- С.Ц,,<2 ':,. <юсле выборки ЗЗ лют жс терял имеет суммцлзая емкость Сл .<. с, и мол но :- аписы ь сзсдуюшес соптношснис <) .<С, З С)<<. П лС) ;Приравнныш выражения иш олного и того жс начсния теряю Сз, получим : Сплношение ѫф,,<2 = <Сг т <',) <С„<2 — дП), ' Ю которого сдслует выражение лс = с„с,г)2<с, т с«ДЛ - и„с„<2< ;«безмо нсрааснстю С, с ° С«смотал лС оказывается слабым. ':)<ус«за того. счмгыванн» являегся рлзрушаюшим — додкдю генис заломи увюек<з емкое~и «лзс изменяет се шдтил.
глг Гйгйсюаэг аю ма Марами прсолотения стмеченныч нслостзткоа служат способы усе,1иченнг емкости С, (без уаеличенил плошали ЗЭЛ умсаьшения смкссти ЛЗС и при менсние усилителей-рсгенерагорое юм «читы лапин данных В напраплении у1юлпчсния С, можно указать разработку фирмои Сименс нового диэлектрика (яиуокиси онана Т1Озй имеющего аиэлсюрпческую постоянную в 20 раз большую, чем ЯО1. Это позгкюяег при той же емкоспз сократить площадь ЗЭ почти е 20 раз или уееяичить С„лаже при уменьп1с нин ес леоша;и Имеются и Варианты с ааслением в ЗЭ зокоуоилнжпоших структур, что также экаимыснтно увеличению емкости ЗЭ Уменьшении емкости ЛЗС можно постичь "разрезанием" этой линии на лас полоапны с включением лиффсренпиального уск1итеая считывания е разрыа ьзсжлу ппяоаинами ЛЗС (рис 4 35, В) Очсаилно, что такая прпсм 1ааос уменьшает сьгкссть линий, к которым полключаютси запоминающие емко сгн, т с аласс уесличнгмст сигнал ВО С„1З Рис.
4.аа. П В ючВ ю Ус В1оепл.рсге ВРВ ог В га Рм эю о о шеа ез ам ю ого эу (Вг агхгм схем о Р Вц у В -РВ с ераазоа (бг Уса лителм-ре генераторы Усилители регснсраторы строятся иа соноае триггсрных оком. Олин гн аоз можных еариантое (рнс. 4 35, б) соноаан на введении а схему лопознитюьиого сигнала Полгоюака" лля управления нагрузсчньми транзисторама 3 н, и Тнг. Вначале сигнал *'Полгатовка" имеет низкий уровень и имут юч ные ттанзисторы заперты В этом состоянии усилитель-регснерагор еосгрипиьгасг слабые сигналы счгпъгвання с линий ЛЗС Одна из полонин ЛЗС к которой нс полкяючаегся Сз, сохраняет напрвкеннс прслззрлла О„'2.
лапрюкенис на крутой половине, к которой полкчючаетси Выбрюшый ЗЭ, отклоняетса гп напрюкения преюаряла на Ь(( а ту или иную спзропу а .1аьи- гзэ сгнккти от 1ого, счнтьлается «липина ити ноп Нс1мэенспю нэпрюкснин э тсчкэх А и В эцссит неснммегрию пронсдиыос1си трэнзисторсп '!1 и З Длл сипысэння и регенерэпии ланных синел "Пошотолкэ" переполится ня эы кии уроэскь Траизнсгорь: Тш и Тцт открыпиюпя. и натникасг сксма трипс рг нэлоляшегссл э неустойчивом состгииии близком к синмстри гном) Тэ кай трипер н силу слоях саоиспг быстро переплет э устойчивое сосюяннг.
лрелопре.гсмннас нэчатьиои иесиммшриеи его режима. Нэ лыжю и трпа ере ' 14орлгируююя полные напряжения пысоксго и гиткого урол~кй Тэк югк ол.- : ин н и" же гочки А и В ннлякяси олнонрсл|снно н элолэми и эыхолнми у ню иля.рпснерэтсрэ, после своего срэбатмгнпыя он поссглцээлишет кя смл |и С, полное значение с гишннога сигнала. Тем аэчьш ээгомэтичсски ос)п1ес1и.;не- н рсгснсгацнядэиььп п ЗЭ (оспгяиис тркцерэ определяет тжже шпалы, ныэолг мыс по энепц ие цепи л качестпс с нпаниои информагни Вультиплвксираивнив шины ндрвов '* Осгбсиш стью.ицэшчсских ЗУ япыястсн мулюиплелснрояаннс шипы шгрс с га Ятрсс ле1ится нэ дяэ по уэлресэ один из кшорых предстал.
ля соб нг = элгес строки э лру1 й — гщрсс сгозбпэ матрицы ЗЗ Потуэлршэ подеются '1в сини и ге жс эыэолы карп)сэ ИС поочередно Пол,ма а)рсоа строки со 1роэшклается саотестстэуюшнм атробом ЙЛ (Во|' Лбмем А1шбс), э адрес гтслбцэ - страбон СЛЗ (Сойлпп Ладгеп Згпйс) При линой муль1г юексгг. -;, раэллия;ирссо» слллцт спгелыснггс умснышпл чш,.ю выпалон м рпусл И(' ; лмм шмым )лешеюпь се. а тнкже та о(ктоятлльстла, по пот1элрссе н сншэ *.ли ВЛВ и СЛЗ п некопзрых р:жнлэц н акелгал исцолшуюгся )к шчнг (ни1рн, ер.
э режилэх рсгенерэсии слрес столбца эгюбсге нс нуксн) Сокрэ '; 11глгге числя лис|ипил «ьпк гюи корпуса гшя яннэмичсскил ЗУ осгбенно а 11 :ьлно, 1 л онн имеют лгэмилгшгьг~укг емкость и. слгггомцг1ыю, больн1нс )м' )тягость к!расея Например, ЗУ с аргэннзшиси !бйт ! илгсет 24.рзэрклгюи ',.ирсс. мулы иплексироээнис сакрэти1 гнело элрссцы» линии на !2 : Внэшиян органиэацию и времен иыв дингрвммы 'Ь рис 4.36 покэганы энешнян орг1гнггэяиин и лременнь с шгмрэммы лпю,*,мкекога ОЗУ Никли сбрэшснин к ЗУ' иэчиниюгс» сигналом йЛЗ н г, 'гмиьиэюшим относительно него си1налол1 САЗ Огрнцэгсльны 1 фронглм тюп ссгнгшаэ саатпстстнуют обмети поьлч» ни э.гресцые линии ')У шмтэл.
"Экое, мресуюших строки и стотгбцы матрицы састэетс-.нонна Сошэ ио 'рилнюо имполияемой оперэпяи (сигналу Кг М) либо эырэбюимчются эы ;.!иные лэнныс ОО. либо прннимаютсн нхолные ланные О! В цик.шл рс~с. тлрэлии остаются го" ько импульсные сигна1ы ЙАЗ и гмрссэ строк Обллс Спбюрпличных тнэченни сипглло~ ня рисунке юцпрклопэны (( фрсаал слепо ген ичз гас 'А А й нлч О! 3 ~г* н снам л рнс.а.зв.пг мо не .в па «сом а «внвп а .:. зу Схвмв динамического ЗУ В схеме липамнческого ЗУ (рис. 4З7) олин тгт столбцов петрины раскрыт полностью, лрутне столбцы аналогичны ему. Кл!очевые транзисторы лзл простоты «зобрахених прелставлсны круккамн. к к повснено а лсвог вор!- нем у!лу рисунка Обазначг нит! бтоков стюяаргны за исключением ге оавгенив ФТС - формирователь такптруювцгх сигналоп В нсхоююм соспмнни (ло обращегом к ЗУ) сигнал ВЛВ пассивен, т е.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
