Угрюмов Е.П. Цифровая схемотехника (2004) (1095893), страница 35
Текст из файла (страница 35)
и чбзт.Сш)ание информации произжззги~ся уяырагриолс;оными лучани Уйпых кние лвухззпюриьп ЛИЗМОП-грз,оишоров к лини ш выборки цуак н линиям чтения в ма|ринах ЗУ показано на рис. 4 )7 Зю неь ~о ич . )зпл нуля огу~асстпчяст я путем аврала плавающего за>ьорг ию «цпо мгрвзгзх' юектронов в рел,ине програьгьзиронани С'шрание пифом тип, :Вд которым понимается удаление заршм из плаваюшсго зал нора. грны г.л, йннзси но асс загоминаюогие меме|вы ло~ичггских саннии. ~ к л лгииои Цнф) овея схемсюхняяз гпе случае опрашиваемые транзисторы открываются и перепают паоргшепие () на линии с ппывания Среаи атечсспюнных РПЗУ-УФ (в маркировке они имеют буквы РФ) нанбеыее изнюггза серия К523 с широким набором типономиншон а срегя е РПЗУ-ЭС (в маркировке нмеюз буквы РР) имеются серии КР558 (нв ол пве и МНОП), К(609, К(624, К(626 на ЛНЗМОП с пвумя затяорачи. с в ча с внз(н — И Кюяштеммсчн ем в о.4.тт.см.
впоскяо е пнвмоп. св з осе и са Оюечеояееяяме Я(33( хврактеризукпся в настоян!ее время схспуюпзпмн параькзрами ьмсочнгяе ИС имеют иьформапипннукз елзкость па ! Мбн~я пра: в';; .( времензх пестуна пколо 200 нс, микросхемы с пяввкнми перемычками штветегвеннп 64 Кбзпа и 80 нс, РИЗУ.УФ 1 Мбит и 350 пс, РПЗУ-ЭС ',' 64 Кби.ш и 250 нс. Не уровне мировой техники имекзтся ЗУ типа РПЗУ-УФ с информапношпв елзксстыо ло 8 Мбит при врнченах пестуна 45 нс (фирма Аппе!), ЗУ пяп .
РПЗУ-ЭС с инфсрмапиопной емкостью ло 256 Кбит прп нреьзеиах пашюз * РО нс и яопусгимом числе сикхов перезапнси (Оз с временем сохранения аак. пых бояее (О лез Это ЗУ испояюуе~ олин исючник питания 5 В п пшребэвт ! ток 2 мА в активном режиме н )00 мкА прн пгс)зсшии об)мшеннй Возмог на: 64(новая ияи стрзничная запись ш время 3 мс (фирма 5С5-ТЬашьоп) ';:"; ( ;, в Нмпупьенов нитанив ВОМ - т Энергоншависимость всех Р()М, сохраннюших информапию при откзючепии питания пткрываег возможносзн зкономии питания при их зксгппчгз-,' З,*":.'га сии и сотпветсгвенно упучшеиия ги шшювого режиыа, чзо гювьппмч на-'.
'1(: В лежношь схелз Питание можно носавагь тпаька на ИС. к кошрои и яыпьа ( ч=,зш омане пРоисхолит сбРашение На Ри( 4 (8 показан обычный ваРныз ~аь чз)и ! Глава Е гоз ш С $4.4. Флэш-память ой па !!в ~Н- зег ,на че~твна- . гий по- ароения мол)ля памяти. соспишего из нескольких ИС, и вариянг с им лульсиым пишнием В обычном вариаптс напрюкенис И, полк ючасгся кп всем ИС ппстояннп, а выбор алресуеман ИС осушествляется си~ вюзгзы Сз В юриангс с импульсным питанием рвбопз всех ИС пп вхолам Сб ~ остоян но гпзреигена, но пшание полкчючлется только к выбранной микросхеме с помол;ью ключа, управляемого от вьгмзлов адресного ле~ззифИггора, лскоггз~ рывшего старшие рвзрялы азреса е 6 : Вьс.а.та. моду» сегонч л а сов )а) ь у и я) Узлам имптг~ьсзгога питания может многокрап о уменылить зюгребляс .»ю иазрпм ьзогпносзь.
но, олновременио, увшошивает арами обрашепю к 3) луи олиночных ззроизвоз~ьньзх обрашенияк, з к после включения ппганил юбхвлнмо время зшя установлсшш режигш ИС Йуи чтении зганных, рвсположенньы по бли ким алресгм, котю старили, узйазгз алресг, осшяпсв пеюменными, лагерь времени не вознпкасг пблюьпямюь (Наз)з-й)ашоту) по типу запоминьюпшх злемешов и ссноя:йаи врянонпам рабсп ы говобна памяти зина езрйузм, олнако ряг.
ьрхитсз.. г)зубом и структурных особенностей позвгшияп пьшсли~~ ее в гплс пышн 'ламе. Разрабшкз Флэззопамязи очи шетси кулььзгшазгией песятил тиос разйзлм схемотехники памяти с электрическим о ираз нем инфпрмапии Уемьт Флшзнпаьтп~ не щ евусмгпрено сз иран не шпельньи слов, миранне 'фифсрнаагззз осупзестгюяется либо лли всей памя~гз олновремсзию, лисю ьы )Воеючно больви х блоков Понюно, по эзо позвсляез упрошигь схемы ЗУ.
Цифрою схемогипмш з е спасабсшуег достижению высокого уроапя интепжции и бысгралейсгии п(т снижении стоимости. Технологически схемы Флэш. памяти еынозняются * еьиоким качеством и обладают очень хорошими еаралгглиралгн Термин Ний ио одной из персий сяязан с характерной осабенносп,ю зюш нида памзпи — исммпжносгыо алнпаременною стирания всего ее абшма Согзысна итон персии еше ло паяюенна Флэш-памяти при хтгнении сек- рс~ньгх данных использавюись устройсзю, кпгарые при лапьпках несаик.
пипнироеаннаго доступа к пим аатамшмчески стира ~и Ююнимую инф ры- иию н назынынсь усцюйсгеами тига Г)шй (пенышка, мгновение) Эта иа- зааьие иерегпла и к ивлшти, облалавшей саайстяам бьгсзрого стирания всею лзассию ланиыл одним сигналом Олнопременнае сзпранне ятей информации ЗУ реализуется наиболее про- сто, на имеет ~ат недасхаток, что паже шмена одного слова е ЗУ требует стирания и моной записи для всего ЗУ а целом Для многих применении та неудобно.
Потому гирнлу со схемами с одноарененным стиранием мпш, ? садержимшо плюются схемы с Олачман структурой, в кшорых весь массив памнти дслитса на блоки, стирасмые исзалисима друг от други Обьсм заких блоков сильна разнится. ат 256 байт ла ) 28 Кбайт Число пиютаа реираграмлгироаання лля Флэш-памлзи хопз и велика, на ог- раничена, т.и пчсйкн нри перезаписи "изнашиваются" Чзпбы уеетзппь лозиоючнос~ь памяти, я ее рабате исиотьззются слсцнальньи ицоризмн, саасабстауюзлие "разравниванию" числа иетсзанисгй ла и.ем блокам мик- рпсхелгы Сапгнстсзяенна облисты применении Флэш-память имеет архитектурные и схемотекннческие разноаилности Пвулгл ашавными люраштгиямн нрфги тинного испогьзюаиггл фззш-липати нехнютсх хранение не оченг гто изш. «яемых данны (абмиылгмли программ, и чагтносипд и за миги иамхюг ни л«п. ннтн хд ш х Для первого нпнралзенин а сиязи с тткнм обновлением салсржимою пара- метры инкаов отирания и записи не схозь сушестиенны как информаи кзн-,: ная емкость и скарасзь счнтыеанин информации Сзирапие и пих схемы '' лзожет бьзть как одновременным гшя яссй памяти, так н блочным Среди усзроист» с блочным стиранием вылеллют схемы са сиенни~изи)югпипылгл блоками (несимметричные блочные структуры) Па имени зак назыюеиьп Ваоз-блакоп, я котрых информация надежно теизм~пена аппаразными сред-: стеами ат слуийнпго стигжни», эти зу назыюют Ват йуогй михй милоту ..' быт блоки храню ироцжмыы ннициазишцнн системы, позполяюшиз вее-, сти е» е рабочю сашаннис после аюючення питания Микросхемы зш» залгсны лисгкил магнитных днскпв (РйлЖЦбй Мгтичд со.
'. л ржт бол«» разяизые срсдсше перезаписи ннформаиии и имеют иаенхич... ные блоки (симмецзичныс блочные структуры) Олннм нз элементов структуры йтлэш-пахзяти является нькоптнель (мвтрипа заполтинзюших элементов) В схемотехнике «иксии~елей ра~зивзюзся лв| зитзрзвлени»: на попове ячеек типа ИЛИ-НЕ (НОК) н на основе я мех ~ипз И-НС (НАНО). рюря в во:р С«взв з Всх Рюря е н я, и -рви в.тв. стрт л зш Шз .м мпн-( е -,)йзшпители нв основе ячеек ИЛИ-НЕ (с параллельным вюноченнем ЛИВ ,';ИОН-транзисторов с лвойным зшиором) обеспечивают бышрыи тюсзуп ь эозизьз при проииюльной выборке. Они приеььюмы лля разных примсзи" ;:вий, но наиболсс бесспстрныьз считается их применение в нам~пи зши хрз',жнии релко обновляемых лепных Нри этом возникает полезная з (х лзсз : в;иность с применявшимися ранее ВОМ н ЕРКОМ, сох)мняются типнчныс ',зшпилы управления, обеспечииаюшн» чшиие с произвольной ызборзаи '!'.Струксура матрипы накопителя показана на рис 4 рй Кзязыи сзадбеп .)йсдстзштяет собою совокупность параллельно соединенных транзисторов ':Рзшшные зинин выборки нахслятся пол высоким потенпназом Вес ~р н .Впоры невыбранных строк заперты В выбранной строке открыязются и .Ш(славя высокий уровень напряжения на разрялные линии счнплим ия зс Цифр вал хо! си мы гра!ыисзоры.
в плавакицих зазворах которых отсу"!ствует. згрвл з.,ехтршюв. и, зедовагельнп, пороговое ншрих ение зранзнстора имсс! нормнлыос (ш повьппенное) значение Накопители на основе ячеек ИЛИ-ЦР широко ишюгьзуются фирмон ! ие!. Имеются мнения о конкуреннспособпости тгих накопителей и в прил!соениях, слизан! ьж с заменои жестких мапнгпгых лигков Флэш-памятью Гтруктуры с ячейками И-ИВ более компактны, !ю не обеспечивают рех;гкв п(юитвольного доступа и драк!»чески используютси тгиькп в стех!ах з,!м ны мам!н!ньо висков В схемах на эгнх ячсиках са паю пи го!ь кох пак!осг, нг упсличишетс» кпличесгно логических элементов обрамления накопи! ю я ))ля ул)чпгенил технико эконоьзичсскнх карактеристик в схемах Флял.
памнти нримениются раззичнью средства и приемы Прерывание гвюпсссов записи три сбраше! них пронсссора ! !я чшз-вх (Ега..е бюрена) без это~о возникали бы юопельньк,!рос!он грзпесгогж. к зашкь .запил!ае! л сш! шно больиюс враш По тш пр рь!опия ороиесс записи возобноиилешя д у ра н и ш) р ш«р» !в Фл и памяп! 2. Внузренпня очередь колюпл.
у!пжвлвюших рабами Фл зш-памяти. кото. )юи позволяет оп!авизо!ю!ь конвейер!!звоню пьшо!Няемых огероп ! ускорить пропессы чтения и записи 3. Про!)нхзмгзровангзе ш!нны хранимых в ЗУ слов г!лз! соопковании с рмзичнымн портами вныаувь пола й Василине режимо» пониженнои мопгносзи на время. ко!ла к ЗУ пег обрюиений. а тол! числе режима глубокого поко». и ко!трлн мошны!ь '', снижветсв лп крайне мииых значений (например. гок по!ребгюпш! гно жаетси ло 2 мкд) Эти особенности очень важны дчл ус!роно!в .
вюо. помним (бшарейным) питанием 5 Приспособленность к работе прн раыичньо пиппозпкх !ыпгжэынпьх, р';.! (5 В, 3,3 В и др ) Гама схема "ч)вствует" уровень пи!о!ия и прои!мою необхоли ые герекчючени» лля присно. блени» к нему б Ввспсние в структуры памши стрвпич»ьш б бюрав гп!л бышршо ни.оч- ' ленн» новьо ленных, подле»ад!их записи )(г!а !акнх бубжра мо! ! ! раб ' ' тагь в режиме, называемпл! "пинг-понг", ко!ла олин гы оих ирпппмзет слова, ппшнхжшне записи, а другой в это крол!в о(еспечнва т жгись ' своею солерхимого в намять.
Каша первый буфер заштгзгг!тсг!, !шзргн р )жс ошюболмши, и о! и поменик тси мес!вми 7 рвшичныс меры л!шиты ш слузайншо или нож!ганнон»)юшнноголос! пв Флэш-память с алресньш доступом ориентированнаи на кра! «нис ! е сшзвь ком часто изменяемой инфпрмвпии, может имею олноврсмсннос с!и)хиве ( Глаза е всей информации (архитектура Внщ Еш>с) нли блочное сп раино (архижктура Воо> В!осу Е)а>О-Мгшпгу) Им>п прссмственность с ЗУ типоя Е'РКОМ и ЕРКОМ, ра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
