Угрюмов Е.П. Цифровая схемотехника (2004) (1095893), страница 34
Текст из файла (страница 34)
Диол пробивастся с обрязоюнисм в пс«г ко(юткаг замы«аиия и играсг роль поивиашсйся п)юволягпси псрсмычки. Запоыинзюшис злсмспты с пвавкиьги псрсмычкачи и варами лиолов показаны ил рис й)3, а, Ве ис«олпом сасыязггзи и посла программигювани л ) , 3 ггс.лта.эагю г >и е.лс (в) а ол ы пара (б) Г Мшр«пш заггоминакзгп«гх элсмситов ЗУ с плавкиьги псрсмьвзкаьш в тсхгггви 'ПЯ (ьгикрасхсиьг К)ЯРЕЗ) показана иа рис. 4 )4 ЗУ имссг оргтпимпию 32«З.
Мзтрихм солсржит 32 транзистора с 9 амит шрама в ка,кла«з (8 рабо'шх и опии зсхиозогичгский ллл ушгисииш рсжииа прожигания, тсюкишпгчс- с ",„: .и ский амит«ар па рвсупкс ис показан) Высокий потсипиал из кзкой-либо шиис выборки вктииизируст соотвсгстауюший транзистор, рабо~згогций в л'- ы рсжимс .шиттсриого пошоригслл Да про«рвы«зироввнигг гтэанзисторьг ис)ж- *','сгй ласт высо«ий пошипиш бали па все вмхолиыс (разряивыс) ливии, т. с по ( .",. 'вг Г99 рсжюаниг. гс слоаа, эмина !т ~э( яэаны ОК илн е 'ПЛ ми енна- уэе~ ын грв . иентамн, егоэе тытояэа греме снует, и ныт нерсшае~ ин ланмсть гн аутогпис ысг ~ок аой сиг- аытоаа рссания *эгреты Грфргаал хзмогем ха: Ш 3л лоо Ннс.
4.та. СЪем н о ыы з аа с е ент прогпэм О а нпэан пеп. е усшнавлиеанпхя правильные значенил считываемых сигаатов т,", 5 ЗУ ш ЕРВОМнШВОМ ,й В реп(юцшммирусмых ЗУ ~ннов ЕРВОМ и ЕЕРВОМ (или ЕэРРОМ) возможно стирание стщюй информации и замена ее навои в рсзулыатс спсгв)г, Ллн прожигании перемычек на ни» полают токи н лссптки милэиампср в анде ссркн илэпульсов (ллл большей наа жнасти прожигании) Нс асс пгфш нычкн )пастон перемочь ншшсжашим обраюм. «ом)х)гиииснз нро~рзхэмэ- "-' русмоспэ лтт серии К556, например, составляет 0,5 .0,7 В ЗУ с олввкинв ' Э.
пет.мычквми возможно восстановление проволимосш перемычек через ш- которос врсьш нз-та ми~рютин в элсктроматериалвх Плавкис перемычки занимают на крисгюшс птносительно много исси, по- мому уровень интснжцни ЗУ с шкими перемычками существенно ниже, че» у масочных ЗУ В то жс время престо'.а программирования польюжпс- " лсм и нсвысокал стоимость в свое время обус:ювили |нирокос раопростра- "; нение ЗУ типа РВОМ. Невьюокал стоимос:..ь программируемых пользоштс лен ЗУ обыюнлстсв тем, что изготовитель выэгускас~ микросхемы без укн )' конкретного сгшсрхгимого ЗУ, т с освобожден гн просктиронэнии ~ю спе- циализированным шкюам и.
следовательно. связанных с эптьэ .нграт Среди отечественных РВОМ велуэдсе место занимают микросхемы серах-( )с. КЯ6 имсюгт~ие информационную «мкость ! .64 Кбиэ н е(жмя ггос~унз пс;. а.грос) 10...90 нс Внсшная организация намети типов ВОМ(М) и РВОМ проста вхолныма.; синюхами лли них служш адресный кол и сипзал выбора микрос«смы С5 Во" ирсмеои псслслоаате.попсть сипашов цтедтэошш вначюш новас~си алресинад кол (чтобы произошла лешифрапил»арета и было исключено обращение к ненрелуснотр.иной ячейке), затем пссзупает снпэал выбора микрон смы Сб а ' о) ) после залсрэкки, апрслеллсмой быстродействием схемы, на выходах даншжэ, лог аяьного пропыся. ялн орояедсния котогюго ЗУ вьоюлитсн из рлбочего рг лима Рябггчий режим (чтение ленных) — пронеся. иыпнюнясмыи с гпноси тельно высокой скоростью Замена зке содержимого памити пебует выпш .
пения горазло более дли гельнык оперлпий По с~~особу стирания шарой ииформлпии рязлича!ат ЗУ са стнрягшсм улг„ ргфиояетавыми лучами (ЕРЕОМ нли я русской терми~!гз ю!ии РПЗУ УФ, г. е. Рсирогтамь~ируемые ПЗУ г улирафиоястояым стиг«иксы) и злекзричсским стиранием (БзРКОМ ю!к РПЗУоЭС) За~амина!он!нязь~ племен«ми сопремсннык РПЗУ нялнются грег.зиеюры тяпоя МНОП и ЛИЗМОП (доба!псине ЛИЗ к обознячснию МОП проном дят сп слоя Ляииннял Ин:кекпи» Зярялл) ИНОЛягрюгггпппор шгичяегся ш обычного МОП-грянзггсторл !л)ююиньв яол«пюрным,ги .сктриком Ня попсркносги крис.алле ряспояожсн ~опьнгг , юой ди)окиси кремния 5)Оь имое более толе.гыи слой нитршы ц«мао! Ьгйг и зятем укс зпиор (рис Я )6, и) Нл ~рангтггс т!ггзтсктрггческнх слою ! я«яикам псотры я» я ярию Бл памрн т)ннсльпому зффск>у, носп!сти ьрядя могу! прокодить «роз тонкую пленку окне.м тпшгиноп ос более 5 пм , .
я скзптияяться ня гряшше рглзез!а спасо мост тз)яьт и иж!яеггв носите: см юфорлгяггггт!, цюпимой МНОП-т)житисптром, Зарю записываем соз.г,гнием яол затвором нзприжешюсти»леюрического поля. досшточной лы женил неяснии туннельного псрелолп носителей зяргшл через гонкни с яои 5(От )Ь бпнипе рлздюю лиэлсктричсскнл с.юея можгю соз,замп! л!Рял лгсбо! о знаке ь ' ззьнсимостм от напрзшспности электрического по.а в пш гатеор~юи обязс- и б Ншн'н!е зярндя ~г ииет на по!«голос напряжение трянзисторя ;,:юля!я.п.пр гр р !сторм оеынпп(я) пиэыппсююя, е ор !е) .
Дтя МНОП-транзистора с п-капялом отридзтельный заряд на грзиипе рю'.Леза с,!сея повьппяез порогоясе напряжение (якраннр)«г поздсйю яке поло гюю!ьного нлоряжсния оа зятяоре. отпираопгсьо Пгянзистор) Прг пом -гкроплюе няпряжение яозрагляс! настолько, ч!о рабочие нлнряжения ня Зю«р: трамистора пе в состоянии сто открлть (соэлшь я нем прпеодвпии тпнзл) Трянзиглор. я кшором терял отсузстпуст ыи имея! Ш)гоп знзк.
лгт Ц фре лсзм лезнща ко о~к(тьгващся рабочим значением ианрижения Тлк осушеппщястси «ране~~не биге в МНОП: одно из состояний Чзактуется как отображение лпгическои слиннцы, другое — нуля При программировании ЗУ иснслюуются относите ~яви высь кис напрюьения. окодо 20 В. После снятия высокнк напряжений туннельное п)юзожление носитщеи заряла гсреэлизлек~рик прекращиется и заланное транзистору цсро~ снос напряжение остап с» неизменным Псе с !Оз )Оь перезаписси МНОП.транзистор яересщю ттзойчгпю зр ыгп, заряа РПЗУ на МНОП-траг«истораз энергонезависимы и но~уз кремль инбюрьгаиию месвцами, годамн и Лесиз кеми лез Перес новой записью стирая инбюрмацгы стирается записью ну;сй во щг запоьгинаюгцие элементы Тип ЗУ -- РПЗУ-ЭО Тронюспюрн мяла ЛИЗМОП всегда имеют зак называемый 1ыаваюгций ы- б) свор, который может быль единственным или юсрым, лополнгпсльным к пбычному (унращяющсму) ютнору Транзисторы с гюним няавающны затвором используются в ЗУ типа РИЗУ-Убз, а тщнзисторьг с двойным звтюгюм нриголны пня применения как с РПЗУ-Убт, щк и в РПЗУ-ЭО Рассы г б рим более современный тнп — ЛИЗМОП-трвнзищор с двойным звано(юм (рис 4 )6.
д) Принцип работы ЛИЗМОП с липиным затвором близок к прннпину ргбппз МНОП-транзистора — здесь также между управляющим затвором и об1астью канаша помещаетсн область, в «оюрую при прс~рльгыищзщннн мгскно вншгить:прил, юняюигии нв величину порогового напряжения транзистора Толька область ввеления заряда ирслстаюнет собою нс ~раницу развею слоев ннэлсктрищ, а окруженнунг со неся сторон диэлектриком пуогюлящую область (пбычно из цоликриств.ыичсскаго кремния). н которую. как в лсвугнку, ьгозкно ввести заряд, сдассбный сокраияться в ней в те гение очень длищльнога времени. Эгз область и назывветсг~ плаваняцим зюнорпм При полаче на упрамяющий затвор, ищок и шок импульса полокнгегыюю,. нанрюьенин относительно бсюылой амплитуды 20 .25 В в об!жито сьгещен-; ных р.п церехгщаз возникает лавинный ггщгботг, сбвасть которого цасынгаст.
) ьн щек ронами Часть злектрзнов, имеющих энергию, лощатгзгную щв ъ преодолении потенциального барыра дизлектричгюкой сбюсти, п(юникает а ' слащющии затвор Онитие высокого программирующего напрюкения всс-, счяиапзивае~ обычное состояние областей транзисюра и запирает электро-:б .,( ны в плвваюгцем запюре, ще они ьгогуг намщиться ллительное время (в ню г сококачесгеенньж приборах многие голы) с Заряженный мектронлми плаааюшин затвор увеличивает пороговое н 1пряжение гранзисто(н настолько.
что в ливпазсне рабсчик напряжений проао.з пашни канат в транзисторе не «издается. п *-.,к Глава 4 гоз При отсутствии зарнда в п.,аааюшем затвор цжнзи тор рабгпае- в обыы клкневпь1 режиме Стирание информации я~ожет пронзвалитьсн двумя спиксбаьзп — усыра фиотеговым облучением или электрическими сигнпаьги В порном слу гас корпус ИС имсез специтаьное прозрачное окошко гыг г б.
лучеиия крис~алла Двуокись кремлия и псяикремний прозрачнгз л.ю улы Э рзфисзстовьж лучей Эги лучи иызымют в обзвсшл.гран зигторз фоппсьн ~ геп юные токи, что делал~ облип~и прибора проволя!цими и позггшяе~ заря ау покинуть главаншгий юзвор Операция спзраиия инбюрмании гпим гпо тобом занимает леся ки минут, инбюрмаци» с~нрзется с)жзу во всеьз крг. стзлле. В схемах г УФ-ширанием число циклов пг*ргпрограммировагч.я гу жественно озтнничена, з.
к. под действием ульцзафислстовых учен г есйгз :, ы ьмшритшов постепенно измсняютси Число циклов перезаписи ) о~ечегт азиных ИС раино )0..)СО !г Элекгри'нексе сти)жние информации осушестнля . и дачей ня гпрз з юшие за-норы низкою рнуленого) оапрнження, а на стоки — в,кш на кю)жжения процжммироаагзия Электрическое стирание вяжет прего;тшеетаа ьзожно стирать инфорьшпию пс со всего крист ~ ьг, а выбгрг пг , )ииливидуально лля кюкдого адреса) Длительность пронесся "стирапие': змись" значительно меныпе сильно ссзаблякпся опзапичения н. чнгш .
яаююв перепрограммирования )лопусквегсн )бз )бь таких пикша) Кроиг т того, псрепрогрзммироаа. ь ЗУ мол на, не изв.жка» лзикрссхему из ушр пст ':, зз, в позором она рабошет В то ж» в)жмл схемы с ыектркческим со )жни' шза имнют больше мес а на кристшле, в сотни с чем уронепь нх и~е рз : цм меньше, а сзонмость вьзше В послед~ ес нргмя эти недчочгтк~ бы <!ч ;: цлллолеваклся и ЭС-стирание вытесняю УФ.стирание ,:Вреашгстжнннкагги дзухзатеорных ЛИЗМОП.тра ~~истории бы~и оы:ою зпйжье, имевшие только п ашиегнй шпюр Эъ ~ран асторы изг ов ал кь зйьгзно с р-канаю», полом> ввакнпс з.
ектроная в п ннягошии зюяор гз)ч .;, валяло к соз аннах в транзисторе прогю!гя: кто капа а. з уля ч ни нрзь а — ь )ясаяювению такшо «мала При нспользонанин ~а их цынзисзороа нп мг ;,'внешне семенцы состоят из двух послелгюю сахно ьмючгпных три зг сптр: « зми~евзго МОП транзистора обьшнпго типа лля выборки з ресш анногч т пг ййзпа и ЛИЗМОП.транзистора, сосюиние которого озбизеляе, храним.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
