Заключение организации (1090987)
Текст из файла
УТВЕРЖДАЮ» ый проректор ниверслтет» В.Л. Панков 2017 г. ФГБОУ ВО федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего обра- зования «Московский технологический универсптет» по диссертационной работе Алек- сандра Викторовича Степанова на тему «Получение, структурные и электрофизические ис- следования новых сегнетоэлектрических и родственных фаз оксидных систем (1-х)Ва(Тц уугу)Оз х1 ЬТ1ОЗ, (РЬь»Вах)збе301 ь РЬзМЙ~Он», представленной на соискание ученой степе- ни кандидата технических наук по специальности 05.27.06- «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники».
Диссертационная работа выполнена иа кафедре наноэлектроники физико- технологического института федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования «Московский технологический университет», Министерства образования и науки Российской Федерации. В настоящее время А.В. Степанов является стажером-исследователем НИИ материалов твердотельной электроники Московского технологического университета, а также аспирантом третьего года обучения кафедры наноэлектроники физико- технологического института ФГБОУ ВО «Московский технологический университет». В 2004 г. А,В. Степанов окончил Институт криптографии, связи и информатики Академии Федеральной службы безопасности Российской Федерации. Присуждена квалификация «Математик» по специальности «Криптография».
Справка о сдаче кандидатских экзаменов выдана в 2017 году Московским технологическим университетом. Научный руководитель — Александр Андреевич Буш, профессор, доктор технических наук, директор НИИ материалов твердотельной электроники и по совместительству профессор кафедры наноэлектроники физико-технологического института ФГБОУ ВО «Московский технологический университет». Выписка из протокола № 11 заседании кафедры нанозлектроники физико-технологического института федерального государственного бюджетного образовательного учреждения вмсгиего ооразованна «Московский технологический университет» от 14 ноноря 201 угада.
Пвиезчщвовали: д,ф.-м.н„проф. Блантер М.С., к.ф,-м,н., доц. Берзин А.А., к.хн., доц, Буря Г.Ф„д.т,н., проф. Буш А.А., д,т.н„проф. Вор<пилон К.А.„к.ф.-м.н., доц. Гладышев И,В., д.т.н., проф. Засовин Э,А„к,т.н., доц. Захаров А.К., к,ф.-м.н,, доц.
Ицдришенок В.И., к,т.н,, доц. Каменцев К.Е., д.ф.-м,н., проф. Капустин В.И., Колесникова Т.Г., к.т.н., доц. Кру- тов В.В., Матвеева И.В., д,ф.-м.н., проф. Мишина Е.Д., д.ф.-м.н., проф. Морозов А.И., д.ф.- м.н., проф, Морозов В.Г„к т.н., доц, Певцов Е,Ф., д.ф.-м.н., проф. Покатилов В.С„д.ф.-м н„ проф. Сигов А.С., к.ф.-м.н., доц. Фетисов Л.Ю., к.ф.-м.н., доц. Шерспок Н.Э„д.ф.-м.н„проф, Щука А.А., д.ф.-м.н., проф. Юрасов А.Н„к.т.н. Шкуратов В.Я, Заседание вел заведующий кафедрой наноэлектронипки академик РАН, д.ф.-м.н.
проф, Сигов Александр Сергеевич. Повестка дни: О рекомендации к защите диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук стажера-исследователя НИИ материалов твердотельной электроники Московского технологического университета Александра Викторовича Степанова «ПОЛУЧЕНИЕ, СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ НОВЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И РОДСТВЕННЫХ ФАЗ ОКСИДНЫХ СИСТЕМ (1-х)Ва(Т1!.„Ух )Оз хРЬТ!Оь (РЬ! «Ва«)<ОезО<<, РЬзМп«Ом» по специальности 05.27.06 - «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники».
Слушали: Выступление А.В. Степанова по материалам диссертационной работы. В ходе обсуждения были заданы следующие вопросы: -м.н.. АС. Сигов: каким пунктам паспорта специальности 05.27.0б со- ответствуют сформулированные в диссертации <сПоложения, выносимые на защиту»? Ответ: Они соответствуют пункту №1 - «Разработка и исследование физико- химических принципов создания новых и совершенствования традиционных материалов электронной техники, включая диэлектрики ...», пункту № 3 — «Разработка и исследование технологических основ создания и методов совершенствования материалов ... по п. 1», пункту № б - «Исследование функциональных и эксплуатационных характеристик матери- алов по п.1 ..., включая вопросы качеспи, долговечности, надежности и стойкости к внешним воздейсгвующим факторам, а также вопросы эффективного примененняя.
-м.и. о . А.Н. Ю асов: Как соотносятся полученные в диссертации резуль- таты с имеющимися литературными данными? Ответ: Несмотря на наличие весьма большого числа публикаций, касающихся по- лучения и изучения образцов двойной системы Ва(Тц „Егг)Оз, тройная система (1-х)ВВ (1'1 ~ гЕгг)Оз хРЬТЮз оставалась практически не изученной, В диссертационной работе впервые были получены и изучены твердые растворы со структурой перовскита, образующиеся в этой тройной системе.
Изучение сегнетоэлектрнческих твердых растворов (РЬ1-~ВВ~)5ОезО11 было прОВедено ранее только для Отдельных составоВ. Нами ~первые выполнены систематические исследования этой системы твердых растворов во всей концентрационной области их образования. В работе впервые разработана методика выращивания достаточно крупных монокристаллов магнитоэлектричекой фазы РЬз Мням в стабилизированных итгрием оксид циркониевых тиглях, т.н. н . Во тилов КА. Какие преимущества имеют разрабо иниые в диссер- тационной работе диэлектрические материалы для диэлектрических антенн по сравнению с известными диэлектрическими материаламн на основе системы (Ва,бг)Т1Оз? (Жжт, По условиям технического задания диэлектрические материалы для создания диэлектрических антенн дОлжны нахОдиться В спонтанно-поляризОВанном сОстОянии и обладать достаточно высокой спонтанной поляризацией, они должны также характеризоваться достаточно высокой термостабильностью диэлектрических характеристик в обла- сти комнатной температуры.
Разработанные нами диэлектрические материалы на основе тройной системы (1-х)ва (Тц,,Кг~)Оз хРЬТЮз удовлетворяют этим требованиям. Известные диэлектрические материалы на основе (Ва,8г)ТЮз спонтанной поляризацией не обладают, так как они находятся при комнатной температуре в параэлектрическом состоя- .-м.н. н . А.И. Мо озон: Проводись ли исследования по получению рас- сматрнваемых сегнетоэлектрических и родственных фаз в виде пленок? Ответ. Нет„не проводились.
Нами проводились работы по получению и изучению объемных керамических и монокрнсталлнческих образцов. К.т.н., доц. Захаров А.К. На основании каких данных было сделано заключение о наличии возвратных сегнетоэлектрических-релаксорных свойств в образцах системы (1- х)Ва (Т11 «Хг„)Оз хРЬТ10з'? Отме, Такое заключение сделано нами на основании экспериментальных данных о том, по температура сегнетоэлектрического фазового перехода твердых растворах ука- занной тройной системы для некоторых составов лежит не ниже, а выше температур релаксационных максимумов диэлектрической проницаемости. Учитьгвалось также то, что при понижении температуры рост спонтанной поляризации ниже точки Кюри сменялся при некоторой температуре ее уменьшением.
К.т.н., доц. Каменцсв К.Е, Какими факторами определялись температурновремеиные режимы синтеза керамики и монокристаллов изучаемых сегнетоэлекгрических н родственных фаз? Ответ. Выбор температурно-временных режимов синтеза керамики м монокристаллов проводился на основе данных по особенностям фазовых диаграмм соответствующих оксидных систем, а также на основе полученных нами данных при выполнении дополнительных термогравиметрических исследований. Председатель, академик РАН, д.ф.-м.яь А.С. Сигов: Мы выслушали сообщение А,В. Степанова о работе над диссертацией и ее основных результатах. Хочется отметить больпюй объем выполненной экспериментальной работы, ее высокий уровень, а также большой личный вклад автора Результаты работы опубликованы в журналах, рекомендованных ВАК, прошли апробацию на ведущих международных и всероссийских конференциях.
Иа основании вьппеизложенного предлагаю одобрить результаты работы А.В. Степанова над диссертаций и рекомендовать диссертацию к защите. Заслушав и обсудив доклад стажера-исследователя А,В, Степаном, а также ознакомившись с текстом диссертации и автореферата кафедра наноэлектроникн приняла следующее заключение: Актуальность теми н направленность исследовании Диссертационная работа Александра Викторовича Степанова направлена на полу- чение, изучение структуры, диэлектрических и пироэлектрических свойств новых сегнетоэлектрическнх и родственных сложиооксидных фаз и твердых растворов на их основе с интересными с научной и прикладной точек зрения свойствами; на определение влияния на свойства таких фаз вариаций химического состава, режимов синтеза, термообработки, поляризации и других технологических факторов.
Актуальность темы определяется расширением мваптабов и областей применения оксндных сегнетоэлектрическнх материалов в электронной технике и ростом требований к нх злектрофизическим харакгеристиявм. Поэтому вшними задачами в ойисти технологии материалов электронной техники яв ляются поиск н создание новых сегцетоэлектрических твердых растворов, обладающих улуч- шеннымн характерисппами, разработка методов выращивашгя достлючно крупных и качеспжнных монокрнсталлов сегнетозпектрических и родственных фаз с перспективными для исследований и применений свойствами, в раскрьпии механизмов возникновения особых диэлектрических и дзутш свойств в так$и фазах.
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
