Proect_3 (1088883), страница 3
Текст из файла (страница 3)
Параметры транзисторов на частотах ниже 500 МГц.
При включении транзисторов в усилительный каскад по схеме с общим эмиттером, параметры транзистора приведены в таблице 1, где:
- прямая проводимость (крутизна) транзистора,
- обратная проводимость транзистора,
- выходная проводимость транзистора,
- входная проводимость транзистора.
Таблица 1
| Параметры транзистора | Расчетные формулы |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где 
,
При включении транзисторов в усилительный каскад по каскодной схеме (ОЭ-ОБ) параметры транзисторов приведены в таблице 2.
Таблица 2
| Параметры транзистора в схеме с ОЭ | Параметры транзистора в схеме с ОЭ ОБ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Приложение 3
Таблица отношений напряжений и мощностей.
| N (дБ) |
|
| N (дБ) |
|
| N (дБ) |
|
|
| 0 | 1,0 | 1,0 | 2,1 | 1,27 | 1,62 | 7,0 | 2,2 | 5,02 |
| 0,1 | 1,012 | 1,024 | 2,2 | 1,29 | 1,66 | 8,0 | 2,5 | 6,31 |
| 0,2 | 1,024 | 1,048 | 2,3 | 1,31 | 1,7 | 9,0 | 2,8 | 8,0 |
| 0,3 | 1,035 | 1,07 | 2,4 | 1,32 | 1,74 | 10,0 | 3,2 | 10,0 |
| 0,4 | 1,047 | 1,09 | 2,5 | 1,34 | 1,8 | 11,0 | 3,58 | 13,0 |
| 0,5 | 1,06 | 1,12 | 2,6 | 1,35 | 1,82 | 12,0 | 4,0 | 16,0 |
| 0,6 | 1,07 | 1,14 | 2,7 | 1,365 | 1,86 | 13,0 | 4,5 | 20,0 |
| 0,7 | 1,085 | 1,17 | 2,8 | 1,38 | 1,9 | 14,0 | 5,02 | 25,1 |
| 0,8 | 1,097 | 1,2 | 2,9 | 1,4 | 1,95 | 15,0 | 5,67 | 31,0 |
| 0,9 | 1,11 | 1,23 | 3,0 | 1,42 | 2,0 | 16,0 | 6,31 | 40,0 |
| 1,0 | 1,12 | 1,26 | 3,1 | 1,437 | 2,048 | 17,0 | 7,1 | 51,0 |
| 1,1 | 1,135 | 1,29 | 3,2 | 1,45 | 2,096 | 18,0 | 8,0 | 64,0 |
| 1,2 | 1,148 | 1,3 | 3,3 | 1,47 | 2,14 | 19,0 | 8,96 | 80,0 |
| 1,3 | 1,161 | 1,3 | 3,4 | 1,486 | 2,18 | 20,0 | 10 | 100 |
| 1,4 | 1,17 | 1,3 | 3,5 | 1,5 | 2,24 | 30,0 | 32 |
|
| 1,5 | 1,19 | 1,4 | 3,6 | 1,52 | 2,28 | 40,0 | 100 |
|
| 1,6 | 1,2 | 1,4 | 3,7 | 1,54 | 2,34 | 50,0 | 320 |
|
| 1,7 | 1,22 | 1,48 | 3,8 | 1,557 | 2,4 | 60,0 |
|
|
| 1,8 | 1,23 | 1,52 | 3,9 | 1,57 | 2,46 | 70,0 |
|
|
| 1,9 | 1,245 | 1,55 | 4,0 | 1,6 | 2,5 | 80,0 |
|
|
| 2,0 | 1,26 | 1,6 | 5,0 | 1,8 | 3,2 | 90,0 |
|
|
| 6,0 | 2,0 | 4,0 | 100.0 |
|
|
Приложение 4.
Параметры и схемы включения микросхем серии К 226, предназначенные для усиления низкой частоты.
| Серии МС |
|
|
|
|
|
| К 226 УН1А,Б,С | 250…350 | 0,2…100 | +12,-6 |
|
|
| К 226 УН2А,Б,С | 25…35 | 0,02…100 | +12,-6 |
|
|
| К 226 УН3А,Б,С | 270…330 | 0,02…100 | +6,-9 |
|
|
| К 226 УН4А,Б,С | 9…11 | 0,02…100 | +6,-9 |
|
|
| К 226 УН5А,Б,С | 90…100 | 0,02…100 | +12,-6 |
|
|
Входные емкости вышеперечисленных микросхем не превышают 20пФ.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
