А.А. Бабырин - Электроника и микроэлектроника (1088520), страница 81
Текст из файла (страница 81)
Б.З. Обозначенил физических величин Кр Кче К; Кл Кп Кум Кь Кщ М М1 Мч Щ щ+] ЛХ; и, и; константа равновесия реакции, выраженная через ак- тивности и,; константа равновесия реакции, выраженная через мольно-объемные концентрации с;; константа равновесия реакции, выраженная через пар- циальные давления р;; константа равновесия реакции, выраженная через мольные доли х;; ионное произведение воды; константа равновесия для собственного полупроводника; константа равновесия реакции ионизации акцепторной примеси; константа равновесия реакции ионизации донорной примеси; константа равновесия реакции ионизации вакансий в подрешетке М; константа равновесия реакции ионизации вакансий в подрешетке Х; константа равновесия для образования собственных дефектов по Френкелю; константа равновесия для образования собственных дефектов по Шоттки; произведение растворимости твердого электролита в воде; элементарный полупроводник или металлический элемент полупроводникового соединения МХ; междоузельный атом М; ионизованный междоузельный атом М; концентрация междоузельных атомов М1 (м з); концентрация междоузельных ионов М1+ (м з); молярная масса г-го компонента (кг/хмель); концентрация электронов в полупроводнике гм з); собственная концентрация носителей заряда в полупроводнике (м з); число молей ч'-го компонента в рассматриваемой систе- ме; Прил.
Б. Сириеонный миаериил число частиц (-го компонента в рассматриваемой системе; растворимость (равновесная концентрация) акцепторной примеси в полупроводнике (м з); растворимость (равновесная концентрация) донорной примеси в полупроводнике (м з); концентрация дырок в полупроводнике (м з); парциальное давление (-го компонента (атм, Тор); парциальное давление г-го компонента в равновесных условиях; давление насыщенного пара чистого (-го компонента (атм, Тор); водородный показатель водного раствора; суммарное давление в многокомпонентной газовой фазе (атм, Тор); тепловой эффект изохорного процесса, равный ЬГ (Дж, кал); тепловой эффект изобарного процесса, равный ЬН (Дж, кал); скорость химической реакции (моль/мз с, моль/л с); механическая (Л„,) и электрическая (Л„,) работа (Дж): электрическое сопротивление (Ом); коэффициент растворимости 1-го компонента в конденсированной (жидкой или твердой) фазе; энтропия (Дж/К, кал/К); стандартная энтропия вещества при температуре Х, в частности, 529з при 298 К (Дж/моль К, кал/моль х х К); изменение энтропии в ходе термодинамического процесса (Дж/К, кал/К); стандартная энтропия процесса при температуре Т, в частности, ЬЛ2 при 298 К (Дж/моль К, кал/моль х х К); время (с); абсолютная температура (К); внутренняя энергия системы (Дж, кал); падение напряжения (В); Б.З.
Ойозначенил физических величин ч."час в„1 го И Чм ух чг, м Чх ('чгм] 1'чгх] (Ъ м] М— И' х, Х, [Х1] ~Х1 ] ч г п к К С изменение внутренней энергии (тепловой эффект Я~ изохорного процесса) (Дж, кал); стандартный тепловой эффект в изохобоных условиях при температуре Т, в частности, ЬС'аэз при 298 К (Дж/моль, кал/моль); объем (мз, л); вакансия в подрешетке М; вакансия в подрешетке Х; заряженная вакансия в подрешетке М; заряженная вакансия в подрешетке Х; концентрация вакансий в подрешетке М (м з); концентрация вакансий в подрешетке Х (м з); концентрация заряженных вакансий в подрешетке М 3)' концентрация заряженных вакансий в подрешетке Х ( 3)' вероятность элементарных процессов (с '); статистический вес, такой, что энтропия Я = Йв )п И', мольная доля (-го компонента; неметаллический элемент полупроводникового соеди- нения МХ; междоузельный атом Х; ионизованный междоузельный атом Х; концентрация междоузельных атомов Хг (м з); концентрация междоузельных ионов Х, (м з); зарядовое число частицы (-го сорта с электрическим зарядом з,е; газообразное состояние; парообразное состояние; жидкое состояние; твердое состояние; конденсированное (жидкое или твердое) состояние; общее число компонентов в системе; число термодинамических степеней свободы равновесной системы; Прил.
Б. Справочнмд материал Ф Х 'У2 Г, б, та Рг ~ н(к) гг Р число сосуществующих фаз в равновесной системе; число химических реакций в равновесной системе; степень превращения вещества в химической реакции; коэффициент диффузионного массопереноса (-го компонента (м/с); коэффициент активности (-го компонента в растворе; гиббсовская адсорбция частиц (-го сорта (моль/м~); эффективная толщина диффузионного слоя для (-го компонента (м); электродное перенапряжение в электрохимической си- стеме (В); степень заполнения адсорбционных центров; краевой (контактный) угол, химический потенциал (-го компонента (Дж/моль, кал/моль); химический потенциал (-го компонента в стандартных условиях (Дж/моль, кал/моль); электрохимический потенциал заряженных частиц (-го компонента (Дж/моль, кал/моль): стехиометрические коэффициенты для начальных (конечных) участников химической реакции, записанной в обобщенной форме (3,1); массовая плотность вещества (-го сорта (кг/м ); поверхностное натяжение (Дж/м ); среднее время жизни адсорбированных атомов (с); электрический потенциал (В).
Литература, рекомендуемая для углубленного изучения 1. Матвеев А.Н. Молекулярная физика. 2-е изд. — Мс Высшая школа, 1987. 2. Кикоин А.К., Кикоин И.К. Молекулярная физика. — Мс Наука, 1976. 3. Тер Хаар Д., Вергеланд Г. Элементарная термодинамика.— Мс Мир, 1968. 4. Люпис К. Химическая термодинамика материалов, — М Металлургия, 1989. 5. Стромберг А.Г., Семченко Д.П. Физическая химия. 5-е изд испр.
— Мс Высшая школа, 2003, 6. Глазов В.М. Основы физической химии. — Мс Высшая школа, 1981. 7. Киреев В.А. Краткий курс физической химии. — Мс Химия 1994. 8. Антропов Л.И. Теоретическая электрохимия. 3-е изд. — Мс Высшая школа, 1984. 9. Крестовников А.Н., Вигдорович В.Н. Химическая термодинамика. — Мс Металлургия, 19?3.
!О. Фичини Ж., Ламброзо-Бадер Н., Депезе Я1.К. Основы физи ческой химии. — Мс Мир, 1972. 11. Мейер К. Физико-химическая кристаллография. — Мс Металлургия, 1972. !2. Хенней Н. Химия твердого тела. — М: Мир, 1971. 13. Карапетьяни М.Х. Введение в теорию химических процессов. 5-е изд. — Мс Высшая школа, 198!. !4. Черняев В.
Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. — Мс Высшая школа, 1987. !5. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов ?О.И. Микроэлектро ника: Физические и технологические основы. надежность.— Мс Высшая школа, 1986. 416 Литературо, рекомендуемая для углубленного изучения 16. 17. 18. 19. 20. 21. 22. 23. 24. 25.
26. 27. 28. 29. 30. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полу- проводниковых приборов и интегральных микросхем. — Мл Высшая школа, 1986. Пичугин И. Г., Таиров Ю.М. Технология полупроводниковых приборов. — Мг Высшая школа, 1985. Крапухин В.В., Соколов С.А., Кузнеиов Г.Д.. Физико- химические основы технологии полупроводниковых материа- лов. — Мб Металлургия, 1982.
Колобов Н.А. Основы технологии электронных приборов,— Мл Высшая школа, 1980. Чистяков Ю.Д., Райнова Ю, П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники, — Мб Металлургия, 19?9. Палатник Л.С., Сорокин В.К. Материаловедение в микро- электронике. Мк Энергия, 1978. Рябин В.А., Остроумов М.А., Свит Т.Ф. Термодинамиче- ские свойства веществ (справочник). — Лз Химия, 1977. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников.
— Мз Выс- шая школа, 1975. Краткий справочник физико-химических величин,/Под ред. Мищенко К.П. и Равделя А.А. — Лп Химия, 1972. Палатник Л. С., Попирав И.И. Эпитаксиальные пленки.— Мг Наука, 1971, Гурвич А.М. Введение в физическую химию кристаллофос- форов. — Мб Высшая школа, 1982, Медведев С.
А. Введение в технологию полупроводниковых материалов. — Мл Высшая школа, 1970. Металлургия в электронике./Сборник статей под ред. Ряб- цева Н.Г. и Кузнецова Ф.А. — Мп Металлургия, 1970. Ормонт Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохи- мию полупроводников. — Мз Высшая школа, 1968. Черепнин Н.В. Вакуумные свойства материалов для элек- тронных приборов. — Мл Советское радио, 1966. Предметный указатель Агрегатные превращения 80 — 84 Адиабатический процесс 31 Адсорбция — гиббсовская 331-332 — роль в газопоглощении материалов 352-353 -- физическая 343-346 — — изотерма Ленгмюра 351 — химическая 346-348 Активированный комплекс 237 Активировка катода 200 Активность компонента 55 Акцептор 193 Анион 153 Ассоциация 64 Атермальный раствор 57 Бертоллиды 12! Ближний порядок 62 Буферные растворы 155 Вакансии 191, 194 Величины — интенсивные 44 — парциальные мольные 45 экстенсивные 44 Внутренняя энергия 24 — идеального газа 48 Водородный показатель 155 Восстановление катодное 159, 169, !83 Время релаксации 30 Газопроницаемость материалов 257-260 Гальванический элемент 158 Гидратация 64, 153 Грамм-атом 22 !4 А.А.
Вирыоии Грамм-ион 22 Грамм-эквивалент 22 Граница — отражающая 243 связывающая 243 Давление — диссоциации 134 насыщенного пара 69, 85 — 95 — парциальное 48, 91 — стандартное 49, 52 Дальний порядок 62 Дальтониды 121 Дефекты — примесные 192 внедрения 192, 193 — — замещения 192, 193 — решетки ! 91 — ! 94 — собственные 191, 213-223 — — вакансии 191, 194 — — междоузельные атомы 191 — — по Френкелю 216 — — по Шоттки 215 -- акцепторные 193 донорные 193 амфотерные 193, 223 †2 Диаграммы — без твердых растворов 108 †!11 — дистектические 123 — плавкостн бинарных систем 100, 106 с неограниченным твердым раствором 111-114 — с ограниченными твердыми растворами 115-120 — с химическими соединениями в твердой фазе 120 †1 418 Предчетнььй указатель Дислокации — винтовые 191, 378 — краевые 191 — несоответствия 380 Диффузионные задачи — — обезгаживания материалов 244-252 — — легирования полупроводников 26! †2 Диффузия из поверхностного источника с отражающей границей 265-267 — из полуограниченного источника 262-265 — из постоянного источника 261-262 Донор 192 Закон — Аррениуса 233 — Генри 97 — Гесса 34 — Дальтона 48 — действия масс 129-134 Оствальда 157 — Рауля 91 — Рауля-Генри 93 — Сивертса 99 — сохранения энергии 27-30 — Фика 24! — 243 Идеальный газ 47 — внутренняя энергия 48 — — термодинамические функции 47-5! — — уравнение состояния 47 — — химический потенциал 49 Идеальный раствор 56 Ингибитор 238 Ионное произведение воды 154, 177 Ионное равновесие 152-157 Катализатор 238 Катион 153 Квазихимический метод 200-203 Кинетика -- диффузионная 244 †2, 261-267, 274-281, 283-286, 320 †3 — термического окисления 286 †2 физической адсорбции 349-352 — химическая 234-238, 274-281 — основной постулат 232 — химического травления 293-299 — химического транспорта веществ -- -- в проточных системах 305 †3 — — в сэндвич-системах 310-318 электрохимическая 323 †3 Коннода 107 Константа — диссоциации 155 скорости реакции 232, 234- 236 — химического равновесия 130-!34 Контакт — материальный 28 — механический 28 — тепловой 28 Концентрация в мольных долях 44, 48 — мольно-объемная 44, 48 Коэффициент(ы) — активности 55, 62 — газопроницаемости 257 — диффузии 230, 241 — диффузионного массопереноса 278 — распределения (сегрегации) 104 растворимости 97 †1 Предльетнььй указатель 419 — стехиометрические 35, 72, 129, 231 — Темкина-Шварцмана 399-400 — электронного переноса 325 Краевой (контактный) угол 363 Кривая — испарения 81-82 — плавления 81-82 — сублимации (возгонки) 81 — 82 Кристаллизация — движущая сила процесса 355-359 неравновесная 114 — равновесная 107, 108-1 10, 112 113, 117 119 Критический зародыш 361 Критическое пересыщение 359 Линия — ликвидуса 104, 105, 108, 111, 116-119 солидуса 104, 105, 111, 116-119 Люминесценция 199 Макросостояние системы 22 Метод — термической очистки 255 — физического осаждения 356-358 -- химического осаждения 359 -- химической очистки 255 Механизм — роста пленок 373 †3 — — зародышевый 373-375 — — послойный 376 — 377 — спиральный 377 — 379 — удаления загрязнений 381-385 †.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
