Справочное пособие - микросхемы и их применение (1086445), страница 13
Текст из файла (страница 13)
Напряжениенасыщения фототранзистора не более 0,3 В при коллекторном токе 3 мА для микросхем модификаций А и В ипри коллекторном токе 2 мА—для остальных. Напряжение на светодиоде 1,1 — 1,3 В при прямом токе 10 мА.Проходная емкость менее 5 пФ. У оптоэлектронных ключей 2КЭ491 максимальное остаточное напряжение наотдельном фототранзисторе не превышает 1 мВ. Это позволяет при встречно-параллельном включенииполучать остаточное напряжение менее 0,2 мВ.Импульсные характеристики оптоэлектронных ключей существенно зависят от температуры.
На рис. 2.20,6показаны температурные зависимости времени задержки нарастания выходного тока (кривая 1), временинарастания импульса тока (кривая 2), времени задержки спада импульса тока (кривая 3) и времени спадаимпульса тока (кривая 4).Микросхему 2КЭ491 применяют преимущественно в качестве прерывателя. Кроме того, она может бытьиспользована для модуляции аналоговых сигналов, для управления мощными транзисторами и т.
д.Фототранзисторы микросхемы можно включить по схеме составного транзистора и обеспечить коэффициентусиления тока до 100.Большие перспективы открывает применение пар «светодиод—фототранзистор» в дифференциальныхусилителях. В [1] показано, что в таком усилителе коэффициент подавления синфазной помехи достигает 2?0дБ.2.6. МИКРОСХЕМЫ ДЛЯ УСИЛИТЕЛЬНЫХ ТРАКТОВАППАРАТУРЫ РАДИОСВЯЗИ И РАДИОВЕЩАНИЯНаряду с функционально полными сериями микросхем для РЭА промышленность выпускает ограниченныепо составу серии для отдельных трактов или узлов.
Это серии К123, К129, К148 К167 К177, К198, К226, К260,К265, К284, К504.Серия К123 объединяет три модификации микросхемы К123УН1. Полоса пропускания усилителей НЧ,выполненных на основе этой микросхемы, составляет 0,02 — 100 кГц. На частоте 1 кГц при выходномнапряжении 0,5 В микросхемы модификаций А, Б, В имеют соответственно коэффициент усиления 300 — 500100 — 350 и 30 — 500. При этом коэффициент нелинейных искажений у микросхем К123УН1А и К123УН1Б неболее 2 %, а у микросхемы К123УН1В не более 5%. Входное сопротивление 10 кОм, выходное сопротивление200 Ом.
Напряжение питания 6,3 В ±10%, потребляемая мощность не более 100 мВт.Серия К129 состоит из микросхем, являющихся наборами биполярных транзисторов.Восемь модификаций бескорпусной микросхемы К129НТ1 представляют собой пары идентичных n-р-nтранзисторов и используются в качестве активных элементов в широкополосных балансных схемах, например вдифференциальных или операционных усилителях. По коэффициенту передачи тока транзисторыподразделяются на четыре группы (20 — 80, 40 — 160, 60 — 180 и более 80), а по разности прямых паденийнапряжения эмиттер — база на две группы. Максимальное напряжение коллектор — база не более 15 В, обратный ток коллектора не более 200 нА. Допустимая рассеиваемая мощность не более 15 мВт.Шесть модификаций таких же пар транзисторов выпускаются в металлостеклянных корпусах иобъединяются в серию К159. Микросхемы этой серии отличаются более высокой допустимой рассеиваемоймощностью (50 мВт).Серия К148 состоит из двух усилителей мощности НЧ.
Усилитель на микросхеме К148УН1 работает вдиапазоне 30 — 20000 Гц с коэффициентом усиления напряжения 100 — 200. При выходной мощности 1 Вткоэффициент гармоник не более 2,5%. Напряжение питания ±12 В ±10% или 24 В ±10% при токе потребленияне более 25 мА. Пример усилителя НЧ на микросхеме К148УН1 приведен на рис. 2.21.Усилитель на микросхеме К148УН2 предназначен для работы в диапазоне 100 — 20000 Гц скоэффициентом усиления 10 — 30. При выходной мощности 0,8 Вт коэффициент гармоник не более 2 %.Напряжение питания 9 В ±10% при токе потребления не более 10 мА.Более мощные усилители входят в состав серий К174, К224.Серия K167 включает в себя два усилителя НЧ, выполненных на полевых транзисторах (рис. 2.22).Усилитель НЧ на микросхеме К167УН1 обеспечивает коэффициент усиления по напряжению не менее 500— 1300 при коэффициенте шума 6,5 дБ и коэффициенте гармоник не более 5 %.
Входная емкость не более 80пФ, а выходное сопротивление не более 20 кОм.Микросхему К167УНЗ используют как предварительный усилитель НЧ с коэффициентом усиления 100 —150. Входная емкость не более 300 пФ, выходное сопротивление не более 2,5 кОм.Рис. 2.21. Усилитель мощности (1 Вт)Рис. 2.22. Микросхема yсилителя НЧ наполевых транзисторах К167УН1Обе микросхемы работают на частотах до 100 кГц.Напряжение питания — 12 В, ток потребления не более 6 мА.Серия K177 состоит из дифференциальных усилителей (К177УД1А, К177УД1Б) и двухтактного усилителяК177УП1. Дифференциальный усилитель позволяет получить коэффициент усиления 35 — 80 и коэффициентподавления синфазного сигн-ала не менее 70 дБ.
Напряжение смещения нуля менее 15 мВ, максимальноевыходное напряжение более 5,5 В. Входное сопротивление не менее 100 кОм (модификация А) или 500 кОм(модификация Б). Ток смещения менее 5 или 2,5 мкА.Напряжение питания ±6,3 В ±10 % при токе менее 4 мА.Усилитель напряжения имеет входное сопротивление более 40 кОм, выходное сопротивление 50 Ом иобеспечивает максимальное выходное напряжение не менее 6 В. Напряжение питания 12,6 В ±10 % при токеменее 5 мА.На микросхемах этой серии можно выполнить операционные усилители с высоким входным и низкимвыходным сопротивлением.Серия К.198 обладает широкими функциональными возможностями. Она включает в себя две модификациимногофункщюншь-ного усилителя общего назначения К198УТ1, три модификации универсального линейногокаскада К198УН1, а также по восемь модификаций различных матриц из трех — пяти n-р-n и р-n-ртранзисторов.Напряжение питания микросхем серии 6,3 В ±10%.
Микросхема К198УТ1 на частоте 10 кГц усиливает в 20— 70 раз, а микросхема К198УН1 не менее чем в 2 раза (модификация В) или 4 раза (модификация А, Б).Серия К226 представляет собой набор из пяти микросхем усилителей НЧ. Все микросхемы выпускают втрех модификациях (А, Б и В).Благодаря применению на входе каждой микросхемы полевого транзистора 2П201 усилители НЧ обладаютбольшим входным сопротивлением.
Оно превышает 10 МОм на частоте 100 Гц. Входная емкость не более 20пФ на частоте 100 кГц. Кроме того, все микросхемы характеризуются низким уровнем собственных шумов,малым разбросом и высокой стабильностью коэффициента усиления. Так, например, напряжение шумов,приведенное ко входу в полосе 20 Гц — 20 кГц (при входе, закороченном конденсатором с емкостью 5000 пФ),не превышает 5 мкВ для микросхем модификации А, 12 мкВ — для Б и 18 мкВ — для В.По коэффициенту усиления совокупность микросхем серии перекрывает диапазон от 9 до 350.
Верхняяграничная частота по уровню 3 дБ не менее 100 кГц. Нижняя граничная частота 20 Гц. Выходноесопротивление на частоте 100 Гц не более 100 Ом. Максимальное выходное напряжение при нагрузке 3 кОм умикросхем К226УНЗ и К226УН4 не менее 2,5 В, у остальных не менее 1,5 В. При максимальном выходномнапряжении коэффициент гармоник не превышает 5 %.Параметры цепей питания микросхем серии К226 приведены в табл. 2.6.При применении микросхем серии К226 для усиления напряжения НЧ можно использовать типовые схемыподключения вчеш-них элементов (рис.
2.23,а, б). При этом следует учитывать, что, регулируя глубинуобратной связи с помощью внешних резисторов, можно уменьшать коэффициент усиления напряжения на 20— 30 % или увеличивать его в несколько раз.Рис. 2.23. Варианты применения микросхем серии К226:а — усилитель НЧ на микросхемах К226УН1 или К226УН5; б — усилитель НЧ на микросхемахК226УК2, К226УНЗ или К226УН4; в — ЯС-генератор на микросхеме К226УН4; г — RC- генератор сэлектронной перестройкой частотыЕсли микросхемы используют без отрицательных обратных связей, то внешний конденсатор Ci необходимоподключать между выводами 1 и 14.
Стабильный коэффициент усиления напряжения, высокое входное инизкое выходное сопротивление микросхем серии К226 способствует тому, что их можно применять длясоздания RС-генерато-ров. Пример схемы RС-генератора на основе микросхемы К226УН4 показан на рис.2.23,е.Таблица 2.6МикросхемаК226УН1, К226УН5К226УН2К226УНЗК226УН4Номинальное напряжениеисточников питания, Вположитель- отрицательной полярной полярностиности+ 12,6— 6,3+6,0+6,0+ 12,6— 6,3— 9,0— 9,0Максимальный ток потребления, мА, по цепям питанияположител.ь- отрицательной полярной полярностиности+4,0— 7,5+3,5+ 1,5+ 1,5— 6,0— 5,0— 2,5Конденсаторы Сь С3 и резисторы R}, R3 образуют фазирующую цепь, обладающую селективнымисвойствами.
Она вносит малое затухание и создает нулевой фазовый сдвиг между входным и выходнымнапряжениями только на одной частоте, определяемой параметрами ее элементов. Благодаря высокомувходному сопротивлению микросхемы можно произвольно выбирать сопротивления резисторов фазирующейцепи в пределах до десятков мегом. Перестройка может быть осуществлена с помощью широко применяемыхблоков конденсаторов переменной емкости. При выполнении условий R1=R3=R и C1=C3=C частота генерацииможет. быть определена по формуле f=(2nRC)~l.В [4] приведена схема ЯС-генератора с электронной перестройкой частоты (рис. 2.23,г). В этом генераторефазирующая цепь образована конденсаторами С2 и С3 и сопротивлениями каналов полевых транзисторов Т1 иT2.
Частоту генерации можно регулировать потенциометром Re, меняя напряжение на затворах транзисторов. Спомощью транзисторов Т1, Т2 можно добиться электронной перестройки с коэффициентом перекрытия почастоте более 100.Микросхема К260НЕ1 серии К260 представляет собой рези-стивно-конденсаторную матрицу, содержащую16 резисторов с сопротивлением от 100 Ом до 100 кОм и 13 конденсаторов емкостью 1000 и 4700 пФ. Онапредназначена для создания малошумящих усилителей ПЧ при использовании внешних транзисторов. Микросхема может применяться и в качестве набора резисторов и конденсаторов совместно с микросхемами серииК265.Серия К265 представляет комплект из 11 микросхем усилителей, ключей и декодирующихпреобразователей, предназначенных для основных трактов радиоаппаратуры, работающей в диапазоне до 60МГц.Микросхемы К265УВ1 и К265УВ5 универсальных усилителей выполнены по одинаковой схеме, но наразных транзисторах (2Т307 и 2Т331 соответственно).
Транзисторы могут быть включены по схемам ОЭ илиОБ. В микросхеме имеются резисторы, с помощью которых можно задавать различный режим работы транзистора по постоянному току, а также разделительные и блокировочные конденсаторы.Обе микросхемы обеспечивают крутизну проходной характеристики 9,5 — 10,5 мА/В на частоте 5 МГц и7,5 — 11,0 мА/В на частоте 60 МГц. Верхняя граничная частота обеих микросхем 60 МГц.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
