Лаб.раб.№03.doc (1077153), страница 3
Текст из файла (страница 3)
High-current dependence of τF (ITF) ток коллектора, при котором начинает сказыватьсяего влияние на τF;31. Excess phase at frequency equal to 1/(τF*2PI) Hz (PTF) дополнительный фазовый сдвиг награничной частоте транзистора;32. Fraction B-C depletion capacitance connected to internal base node (XCJC) коэффициентрасщепления емкости база-коллектор;33. Substrate junction built-in potential (VJS) контактная разность потенциалов коллекторподложка;34. Substrate junction exponential factor (MJS) коэффициент плавности перехода коллекторподложка;35.
Forward and reverse beta temperature exponent (XTB) температурный коэффициентусиления тока в нормальном и инверсном режимах;36. Energy gap for temperature effect on IS (EG) ширина запрещенной зоны;37. Temperature exponent for effect on IS (XTI) температурный коэффициент токанасыщения;38. Flicker noise coefficient (KF) коэффициент фликкер-шума;39. Flicker noise exponent (AF) паказатель степени в формуле для фликкер-шума;This document is created with trial version of Document2PDF Pilot 2.4.67.40. Coefficient for forward-bias depletion capacitance formula (FC) коэффициентнелинейности барьерной емкости прямо смещенных переходов;41. Parameter measurement temperature (TNOM) температура транзистора.Приложение 2. Анализ схем по постоянному току в EWB.П2.1.
Построение ВАХ.This document is created with trial version of Document2PDF Pilot 2.4.67.П2.2 Построение передаточных характеристик.Для схемы изображенной на рис. 13 построить передаточную характеристику, используяпрограмму EWB. Передаточная характеристика четырехполюсника есть зависимостьвыходного напряжения от входного. В данной схеме входной узел имеет номер 2, выходной –1.
К входному узлу 2 подключен источник п остоянного напряжения V1. С помощью этогоисточника будет изменяться входное напряжение (см. рис. 14.).This document is created with trial version of Document2PDF Pilot 2.4.67.Список литературы.1. Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника.Москва, «Горячая Линия – Телеком», 2002.2. ГОСТ 19880-77.
Электротехника. Основные понятия. Термины и определения. М.Издательство стандартов, 1974.This document is created with trial version of Document2PDF Pilot 2.4.67.3. ГОСТ. 1494-77. Электротехника. Буквенные обозначения основных величин.
М.Издательство стандартов. 1978.4. Карлащук В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. Программа Electronics Workbenchи ее применение. «Солон-Р» М. 2000.5. Нефедов А.В., Гордеев В.И. Отечественные полупроводниковые приборы и ихзарубежные аналоги. Справочник. М.; Радио и связь, 1990..
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
