Е.А. Москатов - Электронная техника (1076439), страница 19
Текст из файла (страница 19)
Быстров Ю. А., Мироненко И. Г. Электронные цепи и устройства: Учеб. пособие для электротехн. и энерг. вузов. – М.: Высш. шк., 1989. – 287 с.: ил.3. Гершунский Б. С. Основы электроники. – Киев, издательское объединение «Вища школа»,1977, 344 с.4. Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электроника: Учеб. пособие для приборостроит. спец. вузов. – 2-еизд., перераб. и доп. – М.: Высш. шк. 1991. – 622с.: ил.5. Жеребцов И. П.
Основы электроники. – 5-е изд., перераб. и доп. – Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1989.-352 с.: ил.6. Кноль М., Эйхмейер И. Техническая электроника, т. 1. Физические основы электроники. Вакуумная техника, пер. с нем. М., «Энергия», 1971.7. Силовая электроника: Примеры и расчёты / Ф. Чаки, И.
Герман, И. Ипшич и др. Пер. с англ.– М.: Энергоиздат, 1982. – 384 с.: ил.Е. А. Москатов. Стр. 117ОглавлениеПредисловие………………………………………………………………………………….........…3Раздел 1. Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы……...………..........4Тема 1.
Движение электронов в электрических и магнитных полях…………………….............41)Движение электронов в ускоряющем электрическом поле………………………….........42)Движение электрона в тормозящем электрическом поле…………………………............53)Движение электрона в поперечном электрическом поле……………………………........54)Движение электрона в магнитных полях…………………………………………..............55)Зонная энергетическая диаграмма…………………………………………………….........6Тема 2.
Электропроводность полупроводников……………………………………………..........71)Собственная проводимость полупроводников……………………………………….........72)Примесная проводимость полупроводников………………………………….........……...83)Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках………………………………......9Тема 3. Электронно-дырочный (p-n) переход……………………………………………….….....91)Образование электронно-дырочного перехода………………………………….…..….....92)Прямое и обратное включение p-n перехода………………………………....…….…......103)Свойства p-n перехода………………………………………………………………..….....11Тема 4. Переход Шоттки……………………………………………………………………….......141)Образование перехода Шоттки…………………………………………………….…....…142)Прямое и обратное включение диодов Шоттки…………………………………….....….14Тема 5.
Некоторые эффекты полупроводника……………………………………………............151)Тоннельный эффект…………………………………………………………….........……..152)Эффект Гана…………………………………………………………………….........……..163)Эффект Холла…………………………………………………………………........….……16Раздел 2. Полупроводниковые приборы………………………………………………….........…17Тема 6. Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковыхдиодов…………………………………………………………………….…………............171)Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов…………...........172)Конструкция полупроводниковых диодов……………………………………….........….183)Вольтамперная характеристика и основные параметрыполупроводниковых диодов……………………………….…………………….........…...20Тема 7.
Выпрямительные диоды……………………………………………………….........…….211)Общая характеристика выпрямительных диодов……………………………….........…..212)Включение выпрямительных диодов в схемах выпрямителей…………………........….21Тема 8. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды………………………….........…..231)Стабилитроны…………………………………………………………………….........……232)Варикапы………………………………………………………………………….........……253)Фотодиоды………………………………………………………………………….........….264)Светодиоды………………………………………………………………………….........…27Тема 9. Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды…...........281)Импульсные диоды…………………………………………………………………............282)Диоды ВЧ……………………………………………………………………………............293)СВЧ диоды………………………………………………………………………….........….30Раздел 3. Биполярные транзисторы……………………………………………………….........…30Тема 10. Устройство, классификация и принцип действия биполярных транзисторов.........…301)Классификация и маркировка транзисторов………………………………………...........302)Устройство биполярных транзисторов……………………………………………........…313)Принцип действия биполярных транзисторов……………………………………........…32Тема 11.
Схемы включения биполярных транзисторов…………………………………….........331)Схема включения с общей базой ОБ………………………………………………........…33Е. А. Москатов. Стр. 1182)Схема включения с общим эмиттером ОЭ…………………………………………..........333)Схема включения с общим коллектором ОК……………………………………........…..344)Усилительные свойства биполярного транзистора………………………………........…35Тема 12.
Статические характеристики транзисторов…………………………………….........…361)Статические характеристики транзистора по схеме ОБ………………………........….362)Статические характеристики транзистора по схеме ОЭ………………………........….38Тема 13. Динамический режим работы транзистора……………………………………........…..381)Понятие о динамическом режиме………………………………………………….......….382)Динамические характеристики и понятие рабочей точки………………………….........393)Ключевой режим работы транзистора……………………………………………….........39Тема 14.
Эквивалентная схема транзистора……………………………………………….......….411)Эквивалентная схема транзистора с ОБ…………………………………………….......…412)Эквивалентная схема транзистора с ОЭ……………………………………………..........413)Эквивалентная схема транзистора с ОК………………………………………….......…...424)Транзистор как активный четырёхполюсник…………………………………….......…...42Тема 15. Система h-параметров транзистора. Y-параметры…………………………….......…..431)h-параметры и их физический смысл……………………………………………….......…432)Определение h-параметров по статическим характеристикам……………………..........443)Y-параметры транзисторов…………………………………………………………….......46Тема 16.
Температурные и частотные свойства транзисторов. Фототранзисторы……….........471)Температурное свойство транзисторов…………………………………………….......….472)Частотное свойство транзисторов…………………………………………………......…..473)Фототранзисторы……………………………………………………………………......….48Раздел 4. Полевые транзисторы…………………………………………………………......…….49Тема 17. Представление о полевых транзисторах…………………………………………......…491)Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющимp-n переходом……………………………………………………………………….......…..492)Характеристики и параметры полевых транзисторов……………………………......…..503)Полевые транзисторы с изолированным затвором………………………………….........514)Полевые транзисторы для ИМС, репрограммируемых постоянныхзапоминающих устройств (РПЗУ)………………………………………………….......….53Раздел 5.
Тиристоры…………………………………………………………………………......…541)Устройство и принцип действия динисторов…………………………………….....……542)Основные параметры тиристоров…………………………………………………......…...553)Тринисторы………………………………………………………………………….....……564)Понятие о симисторах………………………………………………………………….......57Раздел 6. Электровакуумные приборы………………………………………………………........58Тема 18. Электровакуумный диод……………………………………………………………........581)Электровакуумный диод, устройство и принцип действияэлектровакуумного диода……………………………………………………….…….........582)ВАХ и основные параметры электровакуумного диода…………………………….........59Тема 19.
Триод………………………………………………………………………………….......601)Устройство и принцип действия триода…………………………………………….....….602)ВАХ и основные параметры триода………………………………………………….....…62Тема 20. Тетрод…………………………………………………………………………………......631)Устройство и схема включения тетрода………………………………………………......632)Динатронный эффект………………………………………………………………….....…643)Лучевой тетрод………………………………………………………………………….......65Тема 21. Пентод…………………………………………………………………………………......66Раздел 7. Цифровая микросхемотехника…………………………………………………....……66Тема 22.
Основы микроэлектроники………………………………………………………....…...661)Классификация и УГО интегральных микросхем (ИМС)…………………………....….672)Элементы и компоненты гибридных ИМС (ГИС)…………………………………....….68Е. А. Москатов. Стр. 1193)Элементы и компоненты полупроводниковых ИМС……………………………….....…69Раздел 8. Булева алгебра………………………………………………………….....……….…….69Тема 23.Простейшие логические функции и логические элементы…………………….....……691)Логические функции и их реализация……………………………………………….....…692)Схемотехника простейших логических элементов………………………………....……713)Характеристики и параметры цифровых ИМС……………………………………….......72Тема 24.
Транзисторно-транзисторная логика………………………………………………........731)Основные типы логики и понятие о многоэмиттерном транзисторе……………….......732)Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ) с простым инвертором………………....…743)ТТЛ со сложным инвертором……………………………………………………….....…..75Тема 25. Логические элементы ТТЛ со специальными выводами………………………….......751)ТТЛ с открытым коллектором……………………………………………………….....….752)ТТЛ с Z-состоянием………………………………………………………………….....…..763)ТТЛШ………………………………………………………………………………….....….764)Оптоэлектронные ИМС……………………………………………………………….....…76Тема 26. Логические элементы на полевых транзисторах МОП – структуры…………….....…771)Ключи на МОП – транзисторах……………………………………………………....……782)Комплементарная МОП - пара (КМОП)…………………………………………….....….783)Реализация функции И-НЕ в КМОП – логике…………………………………………....784)Реализация функции ИЛИ-НЕ в КМОП – логике…………………………………….......79Тема 27.
Эмиттерно-связная логика………………………………………………………….........791)Реализация функций ИЛИ и ИЛИ-НЕ в эмиттерно-связной логике (ЭСЛ)……….....…792)Источник опорного напряжения……………………………………………………......….803)Базовый элемент ЭСЛ серии К500…………………………………………………….......81Раздел 9.
Аналоговые электронные устройства…………………………………………….....…81Тема 28. Классификация и основные технические показатели усилителей………………........811)Классификация усилителей…………………………………………………………….......812)Основные технические показатели усилителей…………………………………….....….823)Характеристики усилителей………………………………………………………….....….83Тема 29.
Питание цепи базы транзисторов и температурнаястабилизация рабочей точки………………………………………………………….........841)Питание цепи базы транзистора по схеме с фиксированным током базы………….......842)Питание цепи базы транзистора по схеме с фиксированным напряжением базы…......853)Температурная стабилизация (термостабилизация) рабочей точки припомощи терморезистора и полупроводникового диода…………………………….........854)Термостабилизация рабочей точки при помощи отрицательнойобратной связи (ООС) по постоянному напряжению…………………………………....865)Термостабилизация рабочей точки при помощи ООС по постоянному току………......87Тема 30.
Обратная связь в усилителе………………………………………………………….......871)Виды обратной связи…………………………………………………………………....….872)Влияние ООС на основные показатели усилителя…………………………………....….88Тема 31.Режимы работы усилительных элементов…………………………………………....…891)Понятие о проходной динамической характеристике………………………………....…892)Режим работы класса А………………………………………………………………….....893)Режим работы класса В………………………………………………………………….....904)Режим работы класса АВ………………………………………………………………......905)Режим работы класса С………………………………………………………………….....916)Режим работы класса D………………………………………………………………....….92Тема 32. Межкаскадные связи в усилителях…………………………………………………......921)Виды межкаскадных связей…………………………………………………………....….922)Эквивалентная схема усилительного каскада срезисторно - ёмкостными связями…………………………………………………....…...933)Анализ эквивалентной схемы на низких, средних и высоких частотах…………….......93Е.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
