L_5 (1075841), страница 5

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 5)

У них отсутствует явление накопления носителей в структуре и явление насыщения, присушее биполярным транзисторам.Благодаря этому мощные полевые транзисторы успешно вытесняют мощные биполярные транзисторы в области силовой электроники малой и средней мощности.[2][3]За рубежом в последние десятилетия стремительно развивается технологиятранзисторов на высокоподвижных электронах (ТВПЭ), которые широко используются в СВЧ устройствах связи и радионаблюдения.

На основе ТВПЭ создаются как гибридные, так и монолитные микроволновые интегральныесхемы (англ.)). В основе действия ТВПЭ лежит управление каналом с помощьюдвумерного электронного газа, область которого создаётся под контактом затвора благодаря применению гетероперехода и очень тонкого диэлектрическогослоя — спейсера.Основные тенденции в технологии изготовления ИС на полевых транзисторах.Современные технологии позволили уменьшить длину канала в полевомтранзисторе, следовательно, сопротивление канала заметно уменьшилось: у современных реальных МОП-транзисторов размеры начинают заходить в субмикронную область.Современное направление развития технологии изготовления полевыхтранзисторов – нанотехнологии.26Структура многоканального полевого транзистора свертикальной архитектурой и оболочковым затворомна основе нитевидных нанокристаллов SiРис.5.19Области истока и стока располагаются друг над другом, а каналнаходится в вертикальной плоскости.

Оболочковый затвор представляет собой металлический электрод, огибающий канал транзисторасо всех сторон и обеспечивающий хорошее управление током транзистора с помощью потенциала затвора. Оболочковая конструкция затвора позволяет исключить токи утечки транзистора в закрытомсостоянии. При большой плотности транзисторов в будущих микросхемах токи утечки могут приводить к сильному разогреву, с которым не справится никакое охлаждение. Эпитаксиальный рост нитевидных нанокристаллов устраняет потребность в сложном травлении при формировании канала, что необходимо во многих других типах архитектуры с оболочковым затвором..

Характеристики

Список файлов лекций