Форма_отчета (1075507), страница 2
Текст из файла (страница 2)
В ряде случаев усилительные свойства транзистора отражаю передаточной характеристикой, показывающей изменения тока коллектора Ic(Q1) от напряжения база – эмиттер Vbe(Q1). Для получения данной характеристики был использован анализ DC… с первой независимой переменной генератора тока I1. Результаты вычислений представлены на рис. 12.
Р
ис. 12. Передаточная характеристика транзистора КТ502А в активном режиме (Vke= 2B).
По передаточной характеристике была определена крутизна транзистора как S=dIk/dVbe и ее зависимость от тока эмиттера Ie.
Р
ис. 13. Изменение крутизны транзистора КТ502А от тока эмиттера при активном режиме работы.
На данном графике крутизна представлена с размерностью [A/B], ток эмиттера [мА].
Из рис. 12 следует, что крутизна транзистора растет с увеличением тока эмиттера, пока он не превышает допустимой максимальной величины (с 100 мА наблюдается уменьшение скорости нарастания крутизны).
Таким образом, из приведенных результатов исследования ВАХ модели транзистора КТ502А в среде МС7 следует, что данная модель транзистора достаточно хорошо отражает его основные статические параметры. Результаты моделированию близки к паспортным данным транзистора. Действительно, при токах коллектора менее 150 мА коэффициент передачи транзистора остается на высоком уровне (более 60).
При анализе электронных схем с данным транзистором его можно представлять в виде эквивалентной схемы, у которой входное и выходное сопротивления, коэффициент передачи тока базы или крутизна определяются током эмиттера. При расчете схем следует учитывать, что параметры транзистора различаются по постоянному и переменному току.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
