лаба1 (1075474), страница 2

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 2)

где а и в -неизвестные коэффициенты. Для определения коэффициентов используем координаты двух экспериментальных точек 1и 2, что позволяет записать систему уравнений:

Iк1=а*Uкэ1+в

Iк2=а*Uкэ2+в

Из решения данной системы находим коэффициенты уравнения

а=(Iк1-Iк2)/(Uкэ1-Uкэ2)

в=(Iк1*Uкэ2-Iк2*Uкэ1)/(Uкэ2-Uкэ1)

Напряжение Эрли Uer, когда Iк=0, определяется как

Uer= -в / а= -(Iк1*Uкэ2-Iк2*Uкэ1)/(Iк1-Iк2).

Используя данное соотношение и координаты экспериментальных точек с напряжением на коллекторе 1В и 15 В, определим напряжения Эрли по каждой выходной характеристики, а затем усредним.

Экспериментальные результаты по измерению входных и передаточной характеристик транзистора:

Рис. 3. Входные характеристики транзистора в схеме ОЭ.

Рис. 4. Передаточная характеристика транзистора

Для определения параметров транзистора приращения для всех величин определяем как разницу координат двух соседних экспериментальных точек и приписываем к точке с координатой как арифмитическое среднее.

По входной характеритике транзистора можно оценить его входное сопротивление по постоянному току (Rint=Uэб/Iб) и по переменному току (rint=dUэб/dIб). Наличие входной и передаточной характеристик транзистора позволяет вычислить коэффициент передачи тока транзистора для постоянного (B=Iк/Iб) и переменного (b=dIк/dIб). По передаточной характеристике транзистора вычисляется его крутизна S (S=dIк/dUэб). Все перечисленные выше параметры зависят от тока эмиттера. Поэтому организуем рабочие матрицы.

b_j-коэффициент передачи тока базы по переменному току (b=dIk/dIb).

B_j-коэффициент передачи тока базы по постоянному току (B=Ik/Ib).

S_j-крутизна транзистора (S=dIk/dUbe) размерность мА/В.

Ie_j-эмиттерный ток транзистора ( Ie=Ik+Ib)

Рис. 5. Зависимость входного сопротивления (Ом) по переменному току от тока эмиттера (мА).

сплошная - для активного режима Uke=5 B.

многоточие - для режима насыщения Uke=0 B.

Рис. 6. Зависимость входного сопротивления (Ом) по постоянному току от тока эмиттера (мА).

сплошная - для активного режима Uke=5 B.

многоточие - для режима насыщения Uke=0 B.

Рис. 7. Зависимость коэффициента передачи тока базы от тока эмиттера (мА).

сплошная - по переменному току, многоточие - по постоянному току.

Рис. 8. Зависимость крутизны транзистора (мА.И) от тока эмиттера (мА).

Обсуждение полученных результатов:

13

Характеристики

Список файлов лабораторной работы