Форма_отчета (1075467), страница 2
Текст из файла (страница 2)
На данном графике крутизна представлена с размерностью [A/B], ток эмиттера [мА].
Из рис. 12 следует, что крутизна транзистора растет с увеличением тока эмиттера, пока он не превышает допустимой максимальной величины (с 100 мА наблюдается уменьшение скорости нарастания крутизны).
Таким образом, из приведенных результатов исследования ВАХ модели транзистора КТ502А в среде МС7 следует, что данная модель транзистора достаточно хорошо отражает его основные статические параметры. Результаты моделированию близки к паспортным данным транзистора. Действительно, при токах коллектора менее 150 мА коэффициент передачи транзистора остается на высоком уровне (более 60).
При анализе электронных схем с данным транзистором его можно представлять в виде эквивалентной схемы, у которой входное и выходное сопротивления, коэффициент передачи тока базы или крутизна определяются током эмиттера. При расчете схем следует учитывать, что параметры транзистора различаются по постоянному и переменному току.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
