Майсел Л. - Справочник - Технология тонких плёнок (1051257), страница 151
Текст из файла (страница 151)
Асвдеги(с Ргезз, 1пс., Хеа УогЬ, 1965. Б с Ь а 1 Ь! е, Р. М., Л. О ч е г пз е у е г апй П. С 1 в п 6, "РЬувсз о1 Ра1- !иге !п Е!ес(гоп!сз", чо!. 5, р. !43, А)г Рогсе Св!о БЬои' РНпПпб Со., 1966. Р е е К Л. Е., Е)ес!гоп.+Вез)бп, 14(24), (Ос!оЬег, 1966). А Ь г а Ь а ьп, )7.
апй Т. О. Р о е Ь! е г, Л. Арр1. РЬуз„38, 2013 (1965). В и г 2 в, О. Р., Зегп!сопд. Ргой, ЗоПд 3!а!е ТесЬпо!., 9, 33 (1966). Маг!(п, Л. Н., Ч, Т, Оип1!ои апй О. Р. ВигКз, Ргос, 1967 Е!ес!гоп. Сотпропеп!з Соп!., р. 354, %взЫпб(оп, О, С„1967, В и г2з, О. Р., Ч. Т. О и п1)очг впд Л. Н. Маг!! п, Ргос.
ХаП. ЕЫс!гоп. Соп!., 23, 41Э (Ос!. 23, 1967), СЬ|сабо, 1П. Гю. б. Подаоиаи ила чонкик иаеиоа 81. Уо и п 8, Р. й., Тгапв. Лп(гагед Бевюопв, Брг(п2 СопчепПоп о! БИТ, РеЬ. 22, Еоа Аиде!ее, Бос1е(у 1ог ХопдеЫгис1!че Теэ((пб Ечапэ1оп, 1! 1,, Ос(оЬеге 1965. 82. ОисЬвгог(Ь, )Ч. Н., Л:Апг.
Сегапг. Бос.,34,1 (!951). 63. Р а г Ь е г, С, Л., О1авэ !пд„44, 489 (1963). 84. Рви)! еу, Ь. Б. апд О. (.. Еос)га оод, авв!8погв 1о Соогв Рогсе 1а(и Со., 0.8. Ра(еи( 3, 324, 212, Липе 6, 1967. 85. К!е! и ег, й. Н., ргеэеп(ед а( 70(Ь Аппиа! Мее!!пб, Агпег!сап Сегагп!о Бос!е1у, Арг. 23, 1968, СЫсабо, П!. Аиг. Бос. ВиП., 48, ! 139 (1969). 86. Ьи ге! еу, й. М., ргевеп1ед а1 701Ь Апииа! Мееппб, Апгег!сап Сегагп!и Бос(е(у, Арг.
23, 1968, СЫса8о, П!., АЬв(г !З-Е-68, Аги. Сегапг. Бос. ВиП., 47, 385 (1968). 87. Еоп8пгап, О. 1Ч. апд й. Р. Ра!гпег, Л СаПой 1п(ейасе Бс!., 24, 185 (1967). 88. Кгге2ег, О. 1.. апд О. Л. % !)хоп, Мв1ег. йев. Б(д., Ли!у, !965, р. 34!. 89. М (в в е 1, 1., Р, й. Т о г 8 е в о п апд Н. М. чр а 8 п е г, Е!ес(гои РасЬа2.
Ргод., 1966, р. 70. 90. чреихе1, й. Н„)пд. Епб. СЬегп.,28,988 (!936). 9!. 1.ги1огд, Н. В. апд Е. В, 5 виЬев!ге, Е!ес1госбегп. Бос. йеэ. йер1. 26, !954. 92. Р е д е г, О. О.. апд Е. Б. Л а с о Ь, АБТМ Брес. Теси, РиЫ. 300, р. 53, ! 9б1. 93.
В и ! в 1, Т. Л., йе1. 92, р. 77. 94, 51 е г п, Н. А., йе(. 92. р. 82. 95. ТЬогпав, й. Ы. апд М. Н. Ргапсогпе. Арр1. РЬув. (.еПегв, 11, !08, !34 (1967). 96. В а пег, Е. РЬуэ. Ьег!егв, 26А(11), 530 (1963). 97, Сачг)еу, й. Н. А., Сиеиг. !пд., 45, !205 (!953). 98. БсЬге! йег, 0 О., Еа1епдед АЬвггас(в, 141Ь АЧБ Бугпр., !967, р.
127, Нег!>!сЬ апд 1!сИ РНпПпй Со., РН1вбигпЬ. Ра, 99, Р и(пег, Т., ВгП, Л. Арр!. РЬув., 1О, 332 (!959). !00, Мер р)гав, Е. А, йевеагсЬ, 6, 276 1!953). 101. Т1 с Ьа пе, й. М., Вой. Аги. Сегагп. Бос., 42, 44! (1963). 102. Вв(свои, Б., Часаигп, 2, 365 (1952). !03. О е К! е г Ь, Л. апд Е. Г. К е! )у, йеч. Бс1, (пв!г., 36, 506 (1965).
!04. Коо и1х, Ь. Е. вид М. Л. 5 и П (ча п, АБТМ Брас. ТесЬ. РиЫ. 246, р. !83, !958. 105. Р!! Ьу, Л. О. апд Б. Ы(е)хоп, Л. Е1ес1госЬеги. Бос., 112, 957 (1965), !06. В е Ь г и д 1, К. Н. апд Г. Б. М а д д о с Ь в, Л. Арр1, РЬув., 30, аиррЬ 276 Б (!959). 107. Х(е(хоп, Б.. Тгапв, 7!Ь АЧБ Бупгр., 1960, р.
293, Рег2агпоп Ргева 1лпдоп, 1961. 108. А 1! е и, Р. О., 1. Е ! в ! и 2 е г, Н. О. Н в 2 в 1 г о ги апд Л. Т. Ь о аг, Л. Арр1. РЬув., 30, 1553 (!959). 109. Но ! ! а од, 1., "Часишп Веров!Поп о( ТЫп Гйгив". СЬаргиап А Най, Егд., 1.опдоп, 1955; Вгй. Л, Арр!. РЬуэ., 9, 4!О (1958). 110.
Н(га), Н,, К. Апдо, апд У. МаеЬаага, Мепг, Рас. Еп8,, ОааЬа СПу ()й!ч., 8, 103 (!966),!п Епп((вЬ. !!!. М а 11 ох, Р. М., Л. Арр!. РЬув., 37, 3613 Н966), 1! 2. Р! о г е в с и, Х. А., Ча сыпи, 7 — 8, 46 (! 955) . 113. Н о 11 а п д, 1., 1. 1. а и г е й в о п вид С.
Р г! е а 11 а и д, йеч., Бс(. 1пв!г., 34, 377 (! 963). !Не 1Чаввегпгап, Е, Р. апд й. 1., Н)пев, Л. Арр!, РЬув., 88, !96 (1963)., 1!б. Яогдепвоп, Сг. Х ап6 Ес К. %еЬ иег, Тгапз, 10!Ь АЧЗ бугор., 1968, р. 388, ТЬе Масси!!1ап Соиграпу, Нею Тогй 1964. 116. 3 г е с, Л. 3., Сегапг. 1пб., 87, 64 (Зер1., 1966). )!7. Веггу. й.
%„%. Н. 3ас1гзоп, Сг. 1. Раг!з! апд А. Н. ЗсЬа1ег, Ргос. Е1ес1гоп. Соизропеп!в Соп!., %авЫп31оп, (У. С,, Мау б, 1964, 118. йоЬ!пвоп, Р. Н., аид С. %. Мие!1ег, Тгвпв. Ме!. Зос. А1МЕ, 236. 268 (1966). !!9. Раи!зеп, А Р, апд Е. Р. 31е1пег, Сегапг, Аде, 82, 36 (Юи!у, 1963) . 1Ю. Ви6 о, У. впд Я, Рг1ез1, Зо!16-З(а(е Е!ес1гоп, 6, 169 (1963). 121. йаз агап(з, Е., Л.
Е!ес!госЬепг. Зос., 110, 67С (1963). 122. Мабйос)гз, Р, 3, апд й. Е. ТЬий, Л. Е!ес1госЬепг. Зос., !09> 99 (1962). !23, 1 п(е1! и х, 1пс., йер1. АР 40! — 397. 124. М с 1.еа и, О. А., ().3. Ра1еп! 3,220,938. 128. В е г1 е ! в о и, В. Л., д. Арр!. РЬуз., 33, 2026 (1962)„ 126.
К в у, Еа Иа(иге, 202, 788 (1964), Глава 7 Формирование рисунков в тонких пленках РЕННХАРД ГЛЭНГ И ЛАУРЕНЦ ГРЕГОР СОДЕРжАНИВ 559 560 М) М1 562 563 564 М4 566 563 3. Фотолнтографня 658 1. Вэеденне 2. Осажденне плевок через маска . А. Изгатоэленне масок для яэпылення 1) Механяческне способы 2) Способы траэлення 3) Стеклянные маски 4) Очистка масок Б. Маскодержателн В. Маски нз проволочных сеток Г, Прнмененне масок для напыления А. Изготоаленне фотошабланоа, 1) Изготоаленне оригинала рисунка 2) Оптические прпнцнпы уменьшения нзображеннй . 3) Фотографнческне способы уменьшення изображений 4) Многолннзозые камеры .
5) Фотографнческне эмульснонные пластины, 6) Металлнзнрозанные фоташабланы . В. Фоторезнсты 1) Негативные фоторезнсты 2) Поэнтнэные фоторезисты В. Формнроаанне рельефа э слое фоторезнста, 1) Нанесение фоторезнстаа 2) Экспоннроаанне фоторезистивных покрытий 3) Проаэленне н окончательная сушка фотореэпста, Г.
Химические тразители для тонких пленок 1) Алюминий 2) Хром 3) Пленки Сг — 51 н Сг — $1О 4) Медь б) Золота 6) Гафннй 7) Малнбден 8) Нихром 9) Платнна 570 571 572 573 677 682 683 688 688 Ы9 593 594 596 699 602 604 605 606 607 607 608 603 608 608 609 1. Введение 1. ВВЕДЕН)4Е Использование тонких пленок в микроэлектронике основано нв методах осаждения н контроля физических свойств этих пленок, и, нраме того, па возможности распределения материала в виде точно сформированных рисунков. Стремление ко все большему усложнению и уменьшению размеров мнк.
расхем способствовало дальнейшему развитию этого направления, и в ре. зультате были достигнуты большие успехи в усовершенствовании методов создания тонкопленочных рисунков. Оснавнымн задачамн всегда были: точность н высокое разрешение. Большая часть методов, применяемых обычно для создания тонкопле. ночных рисунков микросхем, распадается на два класса. Первый класс основан на применении масок заданной формы. находящихся в процессе осаждс. иия пленок в нонтакте с подложкой. Прн этом часть потока испаряющегося вещества отделяется и не осаждается в защищенном маской участке подложки. Эги методы называются методами напыления через маски.
Второй класс охватывает метод формирования тонкопленочного рисунка мннросхем заданной формы селентивным удалением отдельных участком сплошной ббй 10) Кремний !1) Моноокнсь кремния 12) Двуокись кремния 13) Ингрид кремния . 14) Серебро !5) Тантал 16) Титан Д. Удаление защитного рельефа фаторезиста . 1) Растворители фаторезиста 2) Испарение фоторезистав Е.
Качество фотошаблоиов 1) Разрешение и точность рисунка в маскирующем слое ревиста 2) Алгезия фоторезпста и подтравливание 3) Дефекты в фоташаблоне н проникновение травителв, 4. Спецмвльные способы формировании рисунка А. Соэдвние негативного защитного рельефа, 1) Обратная фотолитография 2) Другие способы абратнога маскирования Б. Катоднае травление !) Катодное травление иа постоянном токе 2) Катоднае травление в высокочастотном разряде . В. Формирование рисунка без контакта с фотошаблонвмн 1) Проекционные способы формирования рисунка 2) формирование рисунка световым лучом 3) Электронно-лучевые способы Список литературы .
609 609 609 Ио 610 6!! 611 612 6!2 614 614 фото. 614 617 620 623 624 624 625 Яб 626 627 630 630 636 638 645 Гл. 7. Формнрававнв рнсункев в твнщщ млшмшк пленки после юе осаждения. Это осуществляется с помощью применения оргвначескнх лаков нлн фоэорезнстов, защищающих поверхность пленки в заданных участках; прн атом создается рнсупок требуемой формы, а нева.
щнщенные участки пленки — вытравливаются. Этн методы называют методами последовательного травления. В этом случае для созданнк рисунка нспользуются способы, прнменяющнеся в техннке фотографни, напрнмер. фотолитографии. Кроме этих традицнонных, хорошо нзвестных способов, имшпся н несколько новых, разработанных в последние годы методов формироввння тонкопленочных рнсунков.
Некоторые нз ннх нашли широкое применение в различных областях. Этк методы рассматриваются в раза. 4 этой главы. 2. ОСАЖДЕННЕ ПЛЕНОК ЧЕРЕЗ МАСКИ Д ля создания тонкопленочных рисунков микросхем требуется прнмене. ане приспособлений. определенной формы, обычно называемых масквмн. Оня когут быть изготовлены кз металлических, графитовых нлн стеклянных пла.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
