Майсел Л. - Справочник - Технология тонких плёнок (1051257), страница 127
Текст из файла (страница 127)
Если окислы покрывают значительную часть всей площади катода, относительные скорости распыления компонентов будут определяться не чистыми материалами, а нх окнсламн [127, !32). 3 Пронсходнт повторное распыление пленки, как например, при ионном распылении со смещением. В этом случае с поверхности пленки будет в основном распыляться материал с максимальным коэффициентом распыления. В отличие от распыляемой поверхности катода поверхность растущей пленкн постоянно пополняется материалом катода с исходным соотношением компонентов, так что «измененный» слой здесь образовываться не сможет. Перенос материала с высоким коэффициентом распыления на катод и обратно сам по себе был бы несуществен для процесса нанесения пленкн, если бы не неизбежная потеря некоторой его части эа счет днф.
фузин нз межэлектродного пространства, Заметим, что прн рабчете атно. снтельвых скоростей распыления разлнчных атомов с поверхности пленка должны учитываться нх относительные атомные радиусы, так как для атома с большим радиусом вероятность попасть под «удар» бомбардирующего нона будет больше[14!). Эксперименты Вольского и др.[142) показывают, что в некоторых случаях распыление многокомпонентных материалов может осуществляться путем испускания двухатомных илн многоатомных частиц, в результате. чего стехнометрия наносимой пленки сохраняется н без образования на позе хностн катода измененного слоя.
й етодом ионного распылення можно также «синтезировать» много- компонентные пленки. Этот процесс описан, например, Синклером и Петерсом [И43, которые для каждого компонента использовали отдельный катод. В статье приведено несколько конструкций церемежающнхся като. дов. Этот метод основан на том факте, что не весь распыляемый материал осаждается прямо под той областью катода, нз которой он был распылен Гл.
4. Получение пленок методом ноннвгп распылашш [см. рис. 8), часть ега переносится а стороны н осаждается на некотором удаленни. В ревультате происходит хорошее перемешпаание компонентов, распыляемых с отдельных перемежающихся катодов, Для полученпя шобого заданного состава сплава на катоды подаются соответственно подобранные величины напряжения. Аналогичную в функциональном отношении конструкцию для получения пленок тнгаиа свинца реактивным распылением испольэовали Бнклей и Кемпбелл [!44) Катод этого устройства представлял собой лист титана, на поверхность которого с помощью фотопечати была нанесена система точек из свинца, Было установлено, что дли получения наилучших результатов расстонние между центрами этих точек должно составлять меьее 4 мм, а подложка ва время нанесения пленок должна вращаться.
Как и следовало ожидать, скорости нанесения пленок различных ма терналов, распыляеных прн одинаковых условиях [плотность тока, геомет. рня системы и т. п.), близко связаны с коэффициентами распыления этих материалов. Однако вычисление скоростей нанесения.прямо из коэффициентов распыления ирайне сложно из за отсутствия надежных данных по коэффициентам вторичной эмиссии, коэффициентам повторного распыле. иия, распределению плотности катадного така н т. д. Поэтому результаты, приведенные в табл. 2, следует рассматривать при оценке скорости нанесения только как ориентировочные. Многие опубликованные результаты не скорректированы на вторичную электронную эмиссию и.
кроме тога, аначения, приведенные в таблине, брались, квк правило, из кривых для коэф. фнцнентов распыления. Таким образом, ошибки, содержащиеся в указываемых величинах, могут достигать 20вгв Приведены результаты толька для бомбардировки мишеней ионами аргона, поскольку этот газ наиболее широно используется при нанесении .пленок ионным распылением. Коэффишаснты распыления для других ионов приведены в работе [3[, Если в таблице не указана ориентация мишеней, следует считать их поликрнсталличесинми или аморфнымк. Таблица 2 Энергия ионов вргвив, вн л врв- Мвтврнвн Коз[градиенты распыления, атом)нон 1,6 0,35 1,! 0 05' 0,6 0,7 1,! 3,4 1,2 2,8 0,2* 1,4 1,3 2,3 8,8 Ай А! Аи С Со Сг Са 2,0 7,9 3,6 3,2 5,5 0,5 2,0тв Ее 2,5*в 1,4 9.
ЭКСПЕУИййЕНТАЛЬНЫЕ ДАННЫЕ ПО ИОННОМУ РАСПЫЛЕНИЮ Коэффициенты распыления различных материалов в аргоне [!45. !46[ !45. !471 145, !48) [!49[ [!45[ [145) 145, 150) [152, !53[ [145, Г51[ 7) родолэгение нгабл. 2 Энтргнн ионов аргон», »В Литераттрныя источник Материал мнжанн 000 ) !000 30000 500 0000 0000 Сте Мо 1,2 0,9 2,О З,О 1,5 0,5 0,4 1,5 1,1 0,9 0,6 1,95 0,6 2,2 1, 0,9 О,З 1,3 0,35 Коэффипнентм распыления, молекула/ион 1,2 0,9 1,0 0,9 0,55 1,40 0,45 0,5 0,4 0,4 0,4 0,25 0,6 Сбб(101 О) СЯАв(1 1 0) С ар(111) СаЗЫ1!!) !пЗЬ(! !О) РЬТе(110) 5!С(0001) 5!Ов А!ЯОв [156[ [156! [156[ [! 42! [156[ [156~ [133) [133[ 0,13 0,04 0,4 .О, 11 ' Ионы Кгь.
' Нарыв»вещав стань марки 50« СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ Но!!вид, 1., "ТЬе Часовен Рероз!!)оп о! ТЫп Р!!пгз'", уоьп %!!еу апл Зопз. 1пс. Ыет» УогК 1956. [Русский перевод: Холлэнд Л., «Нанесение тонких пленок в вакууме». М., Госэнергоиздат, 1963!. 2, К а у, Е,, Аг[тап. Е1ес1гоп. Е1ес1гок РЬуз., 17, 245 (1962), 3, Ма!ззе!, 1.. 1., РЬувсз о! ТЫВ Р!!птз, во[. 3, р. 61, Асадего!с Ргезв 1псн Ыею уогК 1966.
[Русский перевод: Ма 6 с сел Л, И., «Физика тонких пленок», том 3. М., «Мир», 1968), НЬ КО 05 Рб Р1 йе ЕЬ 5! Та ТЬ Т1 % Ег КС1(! 00) КВг(100) 1.! Р(100) НаСК100) 0,25 0„7 0,4 1,0 О,б 0,4 0,55 0,2 0,3 0,3 0,2 0,35 0,3 0,3 0,65 0,95 2,4 1,6 0,9 1,5 0,5 0,6 0,7 0,6 1,0 0,6 0,75 1,4 1,05 1,7 !,! 1,6 0,55 1,9 0,75 [!45, 150! !45, !51! 154, 157! [!45) [145, !5Ц [145] [145 [145~ [145~ [! 45, 150! [!45, !47! [145[ '[145, 157! [145! [!45, 147! .[!45! [155) [155! [155! [155[ Гл, 4.
Получение пленок методом яонносо раснылаиня 4. Гга и соти Ье, М. Н., "Вяз|с РгоЫегия ТЬ1и Г1)иг РЬуз!св", р, 52, ЧапдепЬоесЬ апд йоргесЬ| бое11)и2еп, 1966. 5. СЬо рта, К. )., "ТЫп Г1!ит РЬепоитепа", Мсбгаю-Н!П ВооЬ Спит. рану, Хетт УогЬ, 1969. 6. СоЬтпе, Л. О., "баяеоив Сопдис|огят ТЬеогу апд Еп81пееппи Аррб.
саИопв'*, р. 205, Оочег РнЫ(са1(опь, |пс., Хетт УогК 1958. 7. Г та пот в, А., |п НапдЬнс|т дег РЬуя(Ь, Г)йббе 3., ед., чо!, 22, р, 53, Зрпи8ег-Че>1аи ОНб, ВегПп, 1956. 8. Р а г Ь е г, Р., "Е|ес1гоп|св", сЬар, 15, Едмагд Агпо|д (РнЫ!зЬет), Ь|д, Еопдоп, 1950. 9. В гоми, 8. С., "|п1годнсПоп 1о Е|ес1пса| О(ясЬагиея |п баяея". Лойп 1Ч11еу апд 8опв, 1пс., Хеа УогЬ, 1966.
10. Ас1оп, Л. Й., 8 и !11, Л. О., "Со1д Са(Ьоде !ВвсЬаг9е ТнЬев" Асад, Ргеяа, Хетт УогК 1963. [Руссни9 перевод; А н т о н )(, Р., С в и ф т Д. Д. «Газоразрядные приборы с холодным натодом», М.— Л., «Энергия>, 1965.] 11. !! н ь я, хят. Х., ЗСР Зо|Ы 8(а1е ТесЬио1, Оесеитбег, 1966, р.
50. 12. МаЬадечап, Р., 1.ау1ои, Л К., Медчед, О. В., РЬув. Йеч„ 129, 79 (1963). 13. О а ч т в, 1Ч. О., Ч а п д е г я 11 с е, Т. А., РЬуь. Йеч., 131, 219 (!963). 14. М е д ч е д, О. В., Л. Арр!, РЬув., 34, 3142 (1963). 15, Н а 8 в 1 г н пт, Н О., Риув. Йеч., 123, 758 (196! ). 16. Мхт| у, Е. С., Аг оп в оп, А.
Л., Ех1епдед АЬь!гас(, 14|8 Ха|5 Зутпрн !967, р, 146. !7. Репп1пн, 8. М., Мои Ыв, Л. Н. А., Ргос. Кои)пИ. Хед. АКад. '«Че1епясЬар., 43, 41 (1940). 18. К е р в а л и йт в и л н М, А., Ж а р и н о в А. В., ЖТФ, 35, 2! 94 (! 965), 19, б |11, Чтт. О., Ка у, Е., Йеч. Зс|. !пя(г., 36, 277 (1965). 20. Йо1тЬ1|п, б. Х., Ргос, Йоу Зос 1опдоп, А!41, 169 (1933), 21. К а у, Е., Л. Арр|. РЬуя., 34, 760 (1963). 22.
О|1сЬЬ игл, Й. 1Ч., Ртос. Йоу. Зос. 1опдоп, А|41, !69 (1933). 23. ГгапсотпЬе, М. Н., в ки. Апдегяоп, Л. С. (ед,), "ТЬе 0ве о! ТИп 15|тон |г РЬуь)са! )пчез!18а11опв", р, 55, Асад. Ргевв. Хент УогК 1966. 24. Кг||тог|ап, Е., 8пеед, Й Л., Л, Арр!, РЬув., 37, 3665 (1966), 25. Ечапь, Р., Инге|аз, А, Л., РЫ1. Ман., 13, 717 (1966). 26. С а тп р Ь е 1 1, О. 3., С Ь а р тп а п, В Х., Л. РЬуя, С (Зо|!д ЗЬ РЬуз.), 2, 200, 1969.
27. МасОопа)д, Й Л., 1-!апептап, Е., Л. Арр!, РЬув., 37, 3049 (1966). 28. М а 11 ох, В. М., М с О о п а |д, Л. Е., Л. Арр!, РЬуя., 34, 2493 (1963), 29. ЗсЬне|ве, Н. Л., ЕЬ|ЬесЬ, Н. %., ОоегЬес|т, б. б., Тгапв. !0 |Ь ХаН. Часннит Зутпр., 1963, р. 434. 30, С Ь о р г'а, К. !., Л, Арр| РЬуь,, 37, 3405 (!966). 31. 1.ау!оп, С, К,, Сговв, К. В., ТЫп Зо|Ы Г!!итя, 1, 169 (1967).
32. С Ь о р г а, К. Ь., Арр|, РЬув. Ье((егв, 7, 140 (1965). '33. 8 1 | т Ь а п д, О, Л., Арр|. РЬув. |.еПегв, 8, 326 (1966), 34. )Че5 пег, б. К., Б.З. Ра1еп1 3.021.271, ГеЬтнагу, 1962. 35. М о | п а г, В., Г ! о о д, Л. Л., Г г а и с о тп Ь е, М. Н., Л. Арр|. Риуз« 35, 3554 (1964). 36. Лопев, Й. Е., 8|а пд|еу, С. 1., Матвее|, 1.. 1., Л.
Арр1. РЬув« 38, 4656 (!967). 37. Й сад, М. Н., А! 1гпв и, С., Арр1 РЬуз 1 ет!сгь, 7, 51, (!965) 38. С Ь о р г а, К. 1, Й а и д 1 е 1 1, А. Й., О н 11, Й. Н., Р|61, Ма 8> 1б, 260! (1967). Список литературы 39. ОК!)ч1е, Сг. Л., ТЬоглряол, А Н., А РЬув. СЬегп Бо!|г)в, !7, 203 (1961). 40. Б с Ь «г а г 1 т, О, С., Л о и е в, К. Е., М а 1 я в е |, !.. 1,, Л, Часипш Бш, Тесппо1., 8, 35| (1969). 41. СЫ р|ои 8 а г, Ч.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
