Майсел Л. - Справочник - Технология тонких плёнок (1051257), страница 112
Текст из файла (страница 112)
129 йозепЬегд, О. )-., %еЬпег, О. К, 3. СеорЬуз. йев., 69, 3307 (1964). 130. Т о гч и е в, С. Н., РЬуз. йеч,, 65, 3!О (1944). 131 1. а гп а г, Е Б., С а гл р ! о п, К. Т., Бс!сисе, 80, 541 (1934). 132 Бе!1в, Г,, К оеЬ!ег, д. Б., Бо(Ы Б!а1е РЬув., 2, 305 (1956). 133. К еу а е!1, Г., РЬуя.
йеч., 97, 1611 (!955). 134 йо1, Р. К., Г!иг1, ) М., К!в!егпаЬег, 3., РЬуя!са, 26, !009 (1960), 135 Г ! и ! 1, А М., й о 1, Р. К, РЬуя!са, 30, 857 (1964). !36. Г! и ! 1, 3. М., йо!, Р. К., К! в1еиз а 2ег, 3. Арр). РЬуз., 34, 690 (1963). 137. Оп де г де1!поел, О., 5 аг! з, Г, %., йо 1, Р. К,, г(ис), 1ль1г. Ме(Ьодз, 38, 269 (!965). !38 Опдегде!!идеи, О., Багга, Г, %., йо1, Р К., Ргос. 7!Ь!п(егп, Соп1, РЬепагпепа !и !оп!гед Оавев, чо!, 1, Вс!дгаде, 1966.
139. Р ! е г с у, О. й., е( а)., С а л. А РЬув., 42, ! 116 (1964). 140 Когие1веп, Е. Тг., е1. а1., РЬуз йеч., 135, А849 (1964). 141, Ые1яоп, й. Б,, ТЬоигряоп, М %., Р!гй, Ыад., 8, 1677 (1963), 142. Бисове, Т, %., Но и8Ь псу, 1.. С., 3 Лрр1, РЬуя., 37,?00 (1966), 143, 51(ьЬее, й, Н., 3. Арр!, РЬув., 28,!246 (195?). 144, ТЬо го рвоп, М.
%.. Ргос. 5 РЬ !п1егп. Сои! 1оп(гзИоп РЬепоглепь !и Оавев, Мип!сЬ, 1961, р. 85, Ног!Ь НоИапд РиЫВЬгпд Согпрапу, Лгив(егдагп. 145. Бапдегв, А В., ТЬогоРзои, М %, РЬг!, Май., 17, 211 (1968). 146. Т Ь о гп р з о и, М. %., Г а г го е г у, В, %., Н а 11, М. д .. ' Тле ! пПиепсе о1 ТЬеппа! ЧгЬга(!оп оп Госпяед Сол(поп Бсооепсев, йерог! ЛЕйО.й-4044, МагсЬ, 1962, Наггчей, ВегЬя)г!ге, Епй(впд, 147. Б у л г а к о з, Ю.
В., лгТТ, 6, ! 182 (1964) . 148 ТЬо гор воп, М.%., РЬув. Ее1(сгв, 6, 24 (1963). !49. Л п д ег ьо и, О. Б., д. Арр), РЬуя., 37, 2338 (1965). 150 А п д е г з о п, О. Б.. 3. Арр!. РЬуз., 38, 1607 (1967). 15!. й о Ь ! и я о и, М. Т., Б о и ! Ь е г и, А. 1... ), Арр!. РЬуз., 39, 3463 (!968) 152; Нагг!яоп, О Е., дг. доЬпяоп, 3. Р., 111, Вечу, Ы.
Б., Арр1. РЬув. Ее!!его, 8, 33 (1966). 153. йо5! паол, М. Т., 3. Арр!. РЬув., 40, 2670 (1969). !54 (.еЬгпапи, С., Б(8лгипд, Р., РЬуь, Б!а(. Бо1Ы1, 16, 507 (1966) 155. чоп ) ад, й., Ые!воп, й. Б, РЫ!. Мад., 17, 10!7 (!968). !56. Б18 ~п и и д, Р., Сапад. 3. РЬУв., 46, 73! (1968). !57. А п д е г ь е и, Н. Н., Арр!. РЬуы $.е!!егв, 13, 85 (1968). ! 58. Б ! 8 го и и д, Р., РЬг!я. йсч. Гл.
3. Фнзнаескнй механизм пенного расныленрн 139. Сндегшап, Л. Е., Вгаду, 3 Л., бнг!асе бс!., 1О, 410 (1968). !60. МивЬе(, й. П., бгиг!Л, Н. Р., Л, Арр!, РЬув., 39, 3679 (1968). 161. Н ! 3 8 ! и в, Т. В., О 1 в о и, ЬЬ Т., 5 ш ! ! Ь, Н. Р,, 3. Арр(, РЬув., 39, 4849 (1968). 162. Г у р и н н, Б. М., М а р т ы н е н к о, Т. П., Р ы ж о з, Ю. А., ФТТ, 1О, 411 (1968). 163. Аи4егвеп, Н, Н., 31пгпнпг(, Р., Оап!ьЬ А!ош!с Епег9у Сош. ш!в!ап, й!во йерог1 103, 1965. 164. ! ! и г! Ь а г 4, 3., Х1е!з е и, Ч,, 5 с Ь а г1 1, М., Ма1, Гуь.
Мебг(, Оап. Ч!й. бе!вк, чо!. 36, по. 10, 1968. 166. йо 1, Р. К., Р1н11, д, М., К)з1еш а 1гег, Л., "Е!ес!гоша2пейс !зо. 1оре берагаИоп о1 йаг!1оасйче !во!орев", р. 207. брг!опег-Чег!а8 ОНО Ч!еипа, 1960. 166. У о п ! з, О. С., Н о г ш а п, С. Е., Н а г г г з о п, О.
Е., 3. Арр1. РЬув., 31, 447 (1960). 167. Г у с е в а, М. И., ФТТ, 1, 1540 (1959). !68. Мвпипьои, П. О,, С аг!зоп, С. Е., 3. Арр!. РЬув., 34, 3267 (1963). !69. 'тЧеЬ пег, Сг. К., Л, Арр1. РЬув., 30, 1762 (!959). 170. ТЬошьоп, д. д., "йауз о1 Ровй)че Е!ес!ИсИу", Ьопбшапв, Сгееп апг) Са., Иойдои, 1921 171. йевеагсЬ 5!а!! о! ГЬе бепега! Е1ес!пс Со., Еопдоп, РМ1, Мал., 45, 98 (!923). 172. К ау, Е., 1шрас1 ЕчарогаИоп апд ТЫш Рйш Псов!Ь гп а 61огч О!. всЬаг8е, Аг)чап. Е!ес!гоп., 17, 245 (1962).
173. О и е п ! Ь е г з с Ь и 1 ь е, А„Часишп, 3, 360 ( 1953) . 174. Ке!!ег, К., Р!авгпа РЬув., 1О, 159 (1968). 175. й о Ь1 п з о й, Н,, 3. Арр!, РЬув., 39, 3441 (1968). 176. Плеши впав М. В., "Катодное распыленне'*. Атонньдат, М., 1968, 177. 51е11еп, Н., Ы г е д еггп а у ег, й., М а уег, Н., ТЫш Гйпв, 1, 223 (1968). 178. Тотчпвепб, Р. О., Ке!1у, Л. С., РЬуь. 1.еИегь, 26А, 138 (1968). 179. Лепи!пдв, Т, А., МсНе!!1, ьЧ., Арр!. РЬув.
Ье!!етв, 12, 25 (1968). ! 80. М а р т ы н е н к о Т. П., )КТФ, 38, 759 (1968). !81. В е п п ! п 8 Ь о ч е и, А., 2, На!иг!огвсЬ,, 24а, 859 (1969). 182. Вецп!п9Ьочеп, А, У. Ап8ечг РЬув., 27, б! (1969). 183. В е и и г п 8 Ь о ч е и, А., 2. РЬув!Ь, 220, 169 (1969). 184. О а Ь 1 9 ь е п, 5. О., М с С ! а п а Ь а и, Згд Бушров!пш оп ГЬе Веро. врбоп о1 ТЫп ГИгпв Ьу БрпИепид, ()п!чегвйу о! йосЬев!ег, Н, У,, Зер!., !969, р. 20. 185. й1ч1еге, 3.
С,, Впй. РЬуь. Зос., 1969, р. 85. Глава 4 Получение пленок методом ионного распыления ЛЕОН 34АИССЕЛ СОДЕРЖАНН Е 4!2 413 414 414 4!5 416 4П 417 418 4!9 распыление 1. Введение 2, Самостоятельный тлеющий разряа 3. Тлеющий разряд, поддерживаемый термоэлектронной вмяссней н магнитным полем А. Разряд, поддерживаемый терноэлектроиной эмиссией Б. Разряд, поддерживаемый магнитным полем !) Продольное магнитное поле (параллельное электрическому полю в темном пространстве) 2) Поперечное магнитное поле (перпендикулярное электрическому пол<о в темном пространстве) 4.
Рост пленок, получаемых ионным распылением . < А. Влияние атмосферы инертных газов . В. Влияние энергии распыленных частиц В. Вливине бомбардирош<и заряженными частицами. Г. Влияние бомбардировки быстрыми частицами 6. Распылнтельное оборудование н роль параметров нанесении пленок . А. Общие сведения 1) Экранированне катода и однородность пленок . 2) Рассеяние энергии и контроль температуры подложкк, 3) Системы откачки . Б. Факторы, влияющие на скорость яанесення пленок 1) Ток и напряжение 2) Давление и расстояние мишень — подложка .
3) Примеси газов 4) Температура подложки Б. Типы распылительного оборудования 6. Захват примесей в процессе ианасення пленок А. Общие соображения........ < Б. «Геттериое» распыление В. Ионное распыление со смещением и «асимметричное» на' переменном токе Г. Закват атомов инертного газа 42! 421 423 425 426 426 427 427 428 429 430 430 430 432 ' 43$ Гл.
4. Получение пленок методом ионного распыления 436 436 439 441 7. Реактивное распыление А. Принципы и методика Б. Окислы В. Другие соединения 443 В. Высокочастотное распыление 443 444 444 448 452 А. Прямое распыление диэлектриков Б. Историческая справка В. Принципы высокочастотвого распыления Г. Техника высокочастотного распыления Д. Распыление мвогокомпопентных материалов 454 455 9. Экспериментальные данные по ионному распылению Список литературы !.
ВВЕДЕНИЕ Ионное распыление как способ нанесения тонких пленок известен н используется на практике более ста лет, однако только сравнительно недавно этот метод начал серьезно конкурировать с методом вакуумного испарения. Такая задержка в развитии метода ионного распыления и применении его для получения пленок объясняется ббльшей склонностью наносимых этим методом пленок к загрязнению, а также большим числом контролируемых параметров, определяющих процесс осаждения, и сложностью контроля.
За последние годы спрос электронной техники на пленки, получение которых затруднено, или даже невозможно другими способами, стимулировал проведение весьма плодотворных работ, направленных на решение указанных проблем. В настоящее время нанесение пленок методам ионного распыления получает все большее признание не только в электронной технике, но и во всех областях, где могут использоваться тонкие пленки. Физические основы процесса ионного распыления рассмотрены в гл.
3, так что здесь мы остановимся лишь иа вопросах, важных с точки зрения получения пленок. Читателя, интересующегося дополнительной информацией по широкому кругу проблем, связанных с нанесением пленок методом ионного распыления, мы отсылаем к ранее опубликованным обзорам [! — 5). Ионное распыление имеет определенные преимущества перед большей частью других методов получения пленок а тех случаях, когда важным является одно нз следующих требований к материалу пленок и их свойствам: 1) Миогокомпонентные материалы (сплавы, соединения и т.
и3! 2) Термостойкие материалы. 3) Диэлектрические пленки. 4) Хорошая ад~е. зия. 5) Низкотелзпературная зпитаксия, 6) Однородность толщины иа большой площади. Ионное распыление пе может использоваться, если неприемлемо любое из следующих ограничений этого метода: !. Распыляемый материал должен иметь форму пластины. 2. Скорость осаждения обычно меньше 2000 А/мин. 3. Подложку необкодима охлаждать (если скорость нанесения ие слиш. ком низка). $. Самостоятельный тлеющий разряд 2. САМОСТОЯТЕЛЬНЫИ ТЛЕЮЩИИ РАЗРЯД Понимание процессов, происходящих в самостоятельном тлеющем разряде, необходимо для постановки и интерпретации экспериментов по ион.
ному распылению. Поэтому ниже будут рассмотрены основные явления в тлеющем разряде и выделены те из них, которые связаны с распылением. Заинтересованных читателей, желающих ознакомиться с втой темой более детально, мы отсылаем к имеющейся латературе (б — 10). Если н двум электродам, расположенным в газе с низким давлением на некотором расстоянии друг от друга, приложить постоянное напряжение, которое не превышает некоторой величины, называемой напряжением про. боя, то ток, протекающий между ними, буде~ пренебрежимо мал. Однако если теперь вызвать эмиссию электронов из катода (например, освещая его ультрафиолетовым светом), то между электродами появится небольшоч ток.
Можно заметить, что этот ток, пропадающий сразу же, как только прекращается вынужденная эмиссия из катода, возрастает при увеличении расстояния между электродамн, если только приложенное напряжение пре. вышает потенциал ионизации рассматриваемого газа. Предполагается, что электролы имеют достаточно большую площадь, так что ни электроны, пи воны ие могут путем диффузии покинуть межзлектродное пространство. Нарастание тока с увеличением расстояния между электродами при постоянном давлении газа происходит потому, что электроны на своем пути от катода к аноду испытывают на единице длины определенное число ионнзирующих атомы газа столкновений.
Следовательно, чем болыоее расстояние они пройдут, тем больше произойдет ионизирующих столкновений. Прн каждом столкновении рождается новый электрон, таким образом полное число электронов, достигающих анода, будет превышать число электронов, змиттированных катодом под действием внешнего возбужде. ния. Йоны, возникающие в результате этих столкновений, также ускоряются влектрическим полем и движутся по направлению к катоду.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
