F20-23 (1041603), страница 31
Текст из файла (страница 31)
1.40x00000x0000150C8051F020/1/2/316.5.3. Режим раздельного доступа с выбором банкаКогда EMI0CF.[3:2] = ‘10’, пространство памяти XRAM делится на две области: пространствовстроенной памяти и пространство внешней памяти.- Адреса, расположенные ниже 4-Кбайтной границы, будут указывать на пространство встроеннойпамяти XRAM.- Адреса, расположенные выше 4-Кбайтной границы будут, указывать на пространство внешнейпамяти.- При использовании команды MOVX в 8-разрядной форме содержимое регистра EMI0CNопределяет, осуществляется ли доступ к встроенной памяти или к внешней памяти.
Значениястарших 8 разрядов A[15:8] шины адреса определяются содержимым регистра EMI0CN, а значениямладших 8 разрядов A[7:0] шины адреса определяются содержимым регистров R0 или R1. Врежиме «с выбором банка» все 16 разрядов A[15:0] шины адреса выдаются на внешние выводы.- При использовании команды MOVX в 16-разрядной форме содержимое регистра указателя данныхDPTR определяет, осуществляется ли доступ к встроенной памяти или к внешней памяти.
В этомслучае, в отличие от команды MOVX в 8-разрядной форме, при обращении к внешней памяти навнешние выводы выдаются все 16 разрядов A[15:0] шины адреса.16.5.4. Режим доступа только к внешней памяти XRAMКогда EMI0CF.[3:2] = ‘11’, все команды MOVX будут обращаться к адресному пространству внешнейпамяти XRAM микроконтроллера.
Встроенная память XRAM не видима для процессорного ядра. Этот режимполезен при обращении к внешней памяти, расположенной в первой 4-Кбайтной области адресногопространства (0x0000 – 0x0FFF).- Команды MOVX в 8-разрядной форме игнорируют содержимое регистра EMI0CN. Старшие битыадреса A[15:8] не выдаются на внешние выводы (так же, как при обращении к внешней памяти врежиме раздельного доступа без выбора банка, описанном выше). Это позволяет пользователюманипулировать старшими битами адреса как угодно, непосредственно устанавливая состояниепорта. Значения младших 8 разрядов A[7:0] полного адреса определяются содержимым регистровR0 или R1.- Команда MOVX в 16-разрядной форме для определения полного адреса A[15:0] используетсодержимое 16-разрядного указателя данных DPTR.
При обращении к внешней памяти на внешниевыводы выдаются все 16 разрядов A[15:0] шины адреса.16.6. Тактирование и динамические параметрыВременные параметры интерфейса внешней памяти можно настраивать, что позволяет подключаться кустройствам, предъявляющим различные требования ко времени установки и удержания сигналов.
Времяустановки адреса, время удержания адреса, ширина импульсов стробирования /RD и /WR, а также (вмультиплексированном режиме) ширина импульса ALE являются программируемыми. Длительность всех этихпараметров задается в периодах системного тактового сигнала SYSCLK. Для настройки используются регистрEMI0TC и биты EALE1-0 регистра EMI0CF.Время выполнения команды MOVX, обращающейся к внешней памяти, можно вычислить, добавив 4цикла SYSCLK к значениям временных параметров, определяемым в регистре EMI0TC.
Длянемультиплексированного режима работы минимальное время выполнения операции обращения к внешнейпамяти XRAM составляет 5 циклов SYSCLK (1 SYSCLK для импульса /RD или /WR + 4 SYSCLKs). Длямультиплексированного режима работы сигнал ALE будет требовать как минимум 2 дополнительных циклаSYSCLK. Поэтому, для мультиплексированного режима работы минимальное время выполнения операцииобращения к внешней памяти XRAM составляет 7 циклов SYSCLK (2 SYSCLK для ALE + 1 SYSCLK дляимпульса /RD или /WR + 4 SYSCLKs). После сброса для программируемых временных параметровустанавливаются по умолчанию максимальные задержки.В таблице 16.1 приведены временные параметры интерфейса внешней памяти, на рисунках 16.7 – 16.11приведены временные диаграммы для различных режимов работы EMIF и различных форм команды MOVX.151Ред.
1.4C8051F020/1/2/3Рисунок 16.6. EMI0TC: Регистр управления временными параметрамиинтерфейса внешней памятиR/WEAS1R/WEAS0R/WEWR3R/WEWR2R/WEWR1R/WEWR0Бит 7Бит 6Бит 5Бит 4Бит 3Бит 2R/WEAH1Бит 1R/WEAH0Бит 0Значениепри сбросе:11111111SFR Адрес:0xA1Биты 7-6: EAS1-0: Биты настройки времени установки адреса EMIF.00: Время установки адреса = 0 циклов SYSCLK01: Время установки адреса = 1 цикл SYSCLK10: Время установки адреса = 2 цикла SYSCLK11: Время установки адреса = 3 цикла SYSCLKБиты 5-2: EWR3-0: Биты управления шириной импульсов /RD и /WR EMIF.0000: Ширина импульсов /RD и /WR = 1 цикл SYSCLK0001: Ширина импульсов /RD и /WR = 2 цикла SYSCLK0010: Ширина импульсов /RD и /WR = 3 цикла SYSCLK0011: Ширина импульсов /RD и /WR = 4 цикла SYSCLK0100: Ширина импульсов /RD и /WR = 5 циклов SYSCLK0101: Ширина импульсов /RD и /WR = 6 циклов SYSCLK0110: Ширина импульсов /RD и /WR = 7 циклов SYSCLK0111: Ширина импульсов /RD и /WR = 8 циклов SYSCLK1000: Ширина импульсов /RD и /WR = 9 циклов SYSCLK1001: Ширина импульсов /RD и /WR = 10 циклов SYSCLK1010: Ширина импульсов /RD и /WR = 11 циклов SYSCLK1011: Ширина импульсов /RD и /WR = 12 циклов SYSCLK1100: Ширина импульсов /RD и /WR = 13 циклов SYSCLK1101: Ширина импульсов /RD и /WR = 14 циклов SYSCLK1110: Ширина импульсов /RD и /WR = 15 циклов SYSCLK1111: Ширина импульсов /RD и /WR = 16 циклов SYSCLKБиты 1-0: EAH1-0: Биты настройки времени удержания адреса EMIF.00: Время удержания адреса = 0 циклов SYSCLK01: Время удержания адреса = 1 цикл SYSCLK10: Время удержания адреса = 2 цикла SYSCLK11: Время удержания адреса = 3 цикла SYSCLKРед.
1.4152C8051F020/1/2/316.6.1. Не мультиплексированный режим16.6.1.1. 16-разр. MOVX: EMI0CF[4:2] = ‘101’, ‘110’, или ‘111’Рисунок 16.7. Временные параметры интерфейса внешней памяти(не мультиплексированный режим, 16-разр. MOVX)ЗАПИСЬADDR[15:8]P1/P5Адрес EMIF (старший байт) из DPHP1/P5ADDR[7:0]P2/P6Адрес EMIF (младший байт) из DPLP2/P6DATA[7:0]P3/P7Записываемые данные EMIFP3/P7TTWDSWDHTTACSTACWACH/WRP0.7/P4.7P0.7/P4.7/RDP0.6/P4.6P0.6/P4.6ЧТЕНИЕADDR[15:8]P1/P5Адрес EMIF (старший байт) из DPHP1/P5ADDR[7:0]P2/P6Адрес EMIF (младший байт) из DPLP2/P6DATA[7:0]P3/P7Считываемые данныеEMIFTRDSTTACS153ACWP3/P7TRDHTACH/RDP0.6/P4.6P0.6/P4.6/WRP0.7/P4.7P0.7/P4.7Ред. 1.4C8051F020/1/2/316.6.1.2.
8-разр. MOVX без выбора банка: EMI0CF[4:2] = ‘101’ или ‘111’Рисунок 16.8. Временные параметры интерфейса внешней памяти(не мультиплексированный режим, 8-разр. MOVX без выбора банка)ЗАПИСЬADDR[15:8]P1/P5ADDR[7:0]P2/P6Адрес EMIF (8 младших разрядов) из R0 или R1P2/P6DATA[7:0]P3/P7Записываемые данные EMIFP3/P7TTWDSTWDHTACSTACWACH/WRP0.7/P4.7P0.7/P4.7/RDP0.6/P4.6P0.6/P4.6ЧТЕНИЕADDR[15:8]P1/P5ADDR[7:0]P2/P6DATA[7:0]P3/P7Адрес EMIF (8 младших разрядов) из R0 или R1Считываемые данныеEMIFTRDSTTACSACWP2/P6P3/P7TRDHTACH/RDP0.6/P4.6P0.6/P4.6/WRP0.7/P4.7P0.7/P4.7Ред. 1.4154C8051F020/1/2/316.6.1.3.
8-разр. MOVX с выбором банка: EMI0CF[4:2] = ‘110’Рисунок 16.9. Временные параметры интерфейса внешней памяти(не мультиплексированный режим, 8-разр. MOVX с выбором банка)ЗАПИСЬADDR[15:8]P1/P5Адрес EMIF (старший байт) из EMI0CNP1/P5ADDR[7:0]P2/P6Адрес EMIF (младший байт) из R0 или R1P2/P6DATA[7:0]P3/P7Записываемые данные EMIFP3/P7TTWDSWDHTTACSTACWACH/WRP0.7/P4.7P0.7/P4.7/RDP0.6/P4.6P0.6/P4.6ЧТЕНИЕADDR[15:8]P1/P5Адрес EMIF (старший байт) из EMI0CNP1/P5ADDR[7:0]P2/P6Адрес EMIF (младший байт) из R0 или R1P2/P6DATA[7:0]P3/P7Считываемые данныеEMIFTRDSTTACS155ACWP3/P7TRDHTACH/RDP0.6/P4.6P0.6/P4.6/WRP0.7/P4.7P0.7/P4.7Ред. 1.4C8051F020/1/2/316.6.2.
Мультиплексированный режим16.6.2.1. 16-разр. MOVX: EMI0CF[4:2] = ‘001’, ‘010’, или ‘011’Рисунок 16.10. Временные параметры интерфейса внешней памяти(мультиплексированный режим, 16-разр. MOVX)ЗАПИСЬADDR[15:8]P2/P6AD[7:0]P3/P7Адрес EMIF (старший байт) из DPHАдрес EMIF (младший байт)из DPLTALEHALEP2/P6Записываемые данные EMIFP3/P7TALELP0.5/P4.5P0.5/P4.5TTWDSTACSWDHTTACWACH/WRP0.7/P4.7P0.7/P4.7/RDP0.6/P4.6P0.6/P4.6ЧТЕНИЕADDR[15:8]P2/P6AD[7:0]P3/P7Адрес EMIF (старший байт) из DPHАдрес EMIF (младший байт)из DPLTALEHALEP2/P6Считываемые данныеEMIFTTALELRDSP3/P7TRDHP0.5/P4.5P0.5/P4.5TACSTACWTACH/RDP0.6/P4.6P0.6/P4.6/WRP0.7/P4.7P0.7/P4.7Ред. 1.4156C8051F020/1/2/316.6.2.2.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
