Автореферат (1025134), страница 5
Текст из файла (страница 5)
Баумана. 2014. Т. 1. C. 139‒142. (0,27 п.л.).15. Electron energy distribution in Si/TiN and Si/Ru hybrid floating gates withhafnium oxide based insulators for charge trapping memory devices D.V. Andreev[et al.] // E-MRS 2015 Spring meeting, Symposium AA: Abstracts. Lille (France).2015. P. AA.AA.II.2. (0,06 п.л. / 0,01 п.л.).16. Андреев Д.В.
Модификация наноразмерных диэлектриковМДП-структур сильнополевой инжекцией электронов и электронным облучением // Труды VIII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов имолодых учёных по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур»: Сборник трудов. Рязань: РГРТУ. 2015. Т. III.
С. 35‒39. (0,34 п.л.).17. Андреев Д.В. Моделирование стекания заряда в элементах энергонезависимой памяти на основе МДП-структур // Наукоемкие технологии в приборо- и машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе:Материалы конференции. МГТУ им. Н.Э. Баумана. 2015. Т.
1.C. 152‒155. (0,27 п.л.).16Андреев Дмитрий ВладимировичЗАРЯДОВЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХМДП-СТРУКТУР И ЭЛЕМЕНТОВ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИПРИ СИЛЬНОПОЛЕВОЙ ИНЖЕКЦИИ ЭЛЕКТРОНОВАВТОРЕФЕРАТдиссертации на соискание ученой степеникандидата технических наукПодписано в печать 11.04.2016 г.Формат 60×84 1/16. Бумага офсетная. Печать офсетная.Печ. л. 1. Усл. печ. л. 0,93. Тираж 100 экз.
Заказ №Отпечатано в Редакционно-издательском отделеКалужского филиала МГТУ им. Н.Э. Баумана248000, г. Калуга, ул. Баженова, 2, тел. 57-31-87.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
