Отзыв официального оппонента 2 (1025121), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Проведено сравнение характеристик МДП-стр» ктур, обладающих диэлектрическими ~ленками ЯО~ и ЯОЗ-ФСС с различными параметрами. Сделаны соответствующие ВЫВОДЫ. В четвертой главе приведены результаты исследования зарядовых яВлений в тонких диэлектрических пленках элементоВ энерГонезависимОЙ памяти. сформированных на основе ЬфМ диэлектриков (НЮ2„Н1ояА1Й2О„ диэлектрического ~алека Н1~8А!Й2О„/А1ЗОз/Н~аяА1азО„). Получен~ энергетические спектры захваченных В результате инжекции носителей заряда для образцов флэш-памяти с Гибридными плавающими затворами и с межзатворными изоляторами на основе Ыф-Й.
диэлектриков или их стеков. Проведено сравнение Образцов с различными меясзатворными диэлектриками и ГиориДными плаВающими затворами. ПрОВСЛено сравнение ОоразПОВ с межзатворными изоляторами„полученными при поглощи рази~~ т~хнологий. Сделаны соответствующие Выводы, В разделе кОсновные выводы н заключение» сформулированы основные результаты работы, которые являются новыми и имеют высокую научную и практическую ценность.
Их достоверность не вызывает сомнений, так как они получены с применением надежных методов исследования и согласуются с современными представлениями об электронных свойствах Все основные результаты диссертвционного исследования достаточно ~олн~ ~публи~ов~ны в р~ц~~зируемы~ научных изданиях. Цель, пОставленные задачи, пОлученныс результаты и сформулированные в диссертационной работе выводы В полнОЙ взаимосоответствуют.
Тематика диссертационного исследования соответствует паспорту заявленной специальности 01.04.07 — «Физика конденсированноГО состОян ияэ. Соответствие автореферата основным идеям и выводам диссертации В автореферате правильно отражено содержание диссертации, кратко изложены все основные результаты диссертационной работы. Выводы, представленные в автореферате„без расхождения согласуются с выводами в диссертации.
Ио диссертационной работе мозкно отметить следующие замечания: 1. В ~ля~с 2 диссертационной работы разработан ~~~~д стрессовых и изм~рит~льны~ уровней тока для исследов~ния ~онких диэлектрических пленок МДП-структур в условиях сильнополевой инжекции электронов, в котором предлагается использовать алгоритм испы*аний„показанный на рис. 2.2 в диссертации. ЭГОт алгори~м предусматривает воздействие на МДП- структуру как положительной, так и Отрицательной полярности напряжения, что может ускорить деградацию диэлектрика. В этой связи не ясно, какие Ограничения накладыВаются на использОвание даннОГО метОда. 2. В выводе 1 к Главе 2 говорится О разработанном методе стрессовых и измерительных уровней тока, в котором учитываются процессы заряда емкости МДП-стр~ ктуры, и что это дает ВозмОжность существенно повысить метрологические характеристики метода и уменьшить погрешности, возникающие при Определении характеристик МДП-структур.
Однако не ясно., на сколькО получается ВыиГрыш пО сраВнению с известными методиками диагностики. 3. В диссертационной работе не приведены схемы некоторых измерительных установок, применявшихся для экспериментальных исследований, а также не уделено достаточного ~ни~вин~ анализу погрешностей измерений, обусловленных ограничениями применяемых физических моделей исследуемых Образцов. 4. При исследовании элементов энергонезависимой памяти в 4 главе диссертации В основном анализируются зарядовые явления в межзатворных диэлектриках, и практически не рассматриваются процессы в туннельном диэлектрике и на границе раздела %-%0.
Приведенные замечания в целом не меняют общего положительного Впечатления О представленной диссертациОННОЙ раООте. Они НОсят частный характер и не уменьшают научной и практической значимости диссертационной работы„не затрагивают научных положений, выносимых на защиту. Диссертация оформлена в соответствии с требованиями ВАК Минобрнауки РФ. Рекомендации по использованию результатов диссертационной работы Основные научные резу"ц таты тнссертяционной работы уже Внедрены на двух микроэлектронных предприятиях, а также могут быть рекомендованы к использованию в научных и учебных организациях, занимающихся синтезом и диагностикой материалов, микро- и наноструктур электронной техники и подготовкой высококвалифицированных кадров для даннОЙ оолясти няуки и техники.
Заключение По объему проведенной работы, значимости и уровню полученных научных и прак1 ических результатоВ диссертационная работа АндрееВЯ Д.В. ИЗЯрядовые явления в диэлектрических пленках МДП-структур и элементов энергонезаВисимОЙ памяти при сильнОпОлеВОЙ инжекпии электроновв отвечает требованиям„предъявляемым к кандидатским диссертациям ВАК Минобрнауки РФ и полностью соответствует требованиям раздела Ц Официальный оппонент, доцент кафедры «Микро- и наноэлектроника» Федерйльного госудйрственного бнзджетного обрйзовйтельного учреждения высшего образования «Рязанский государственный радиотехнический университет» 390005, г. Рязань, ул. 1 агарина, 59/1 Телефон: +7 ~4912) 46-02-99, 46-03-66 е-ка11: ~ф 16~®уйпдеххц кандидат физико-матемйтических нйук, доцент В.Н.
Пржегорлинский к,т.н. «Положения о присуждении ученых степеней», утвержденного постйн ойле нием Привитал ьствй РФ от 24,092013 № 842 1ред. 21 04.2016 г.), а автор диссертации, Андреев Дмитрий Владимирович, заслуживает присуждения ему ученой степени кандидата технически наук по специальности 01.04.07 — «Физика конденсированного состояния». .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
