Ответ на вопрос №128701: В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы открытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня открытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода закрытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня закрытие паразитного биполярного транзистора приВ мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут - Ответ на вопрос №128701В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут - Ответ на вопрос №128701
2024-08-302024-08-30СтудИзба
В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут - Ответ на вопрос №128701
-42%
Вопрос
В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы- открытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
- открытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
- закрытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
- закрытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
Ответ
Этот вопрос в коллекциях
Коллекция: Силовая электроника
249 руб.
Пожалуйста, если не трудно, оцените файл на высокую оценку, спасибо!
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
