Выбор оптимальной технологии
Выбор оптимальной технологии
- Маскирование обратной стороны SiO2 или Si3N4.
- Переход слоя Si с подложкодержателя на обратную сторону во время отжига в HCl.
- Однородность удельного сопротивления 10-5 %.
- Максимальная толщина эпитаксиального слоя ограничивается прирастанием боковых поверхностей к подложкодержателю и составляет от 0.5 мкм до сотен мкм.
- Выбор кремнийсодержащего элемента основывается на нескольких предпосылках. В таблице указаны диапазоны скорости и температуры роста для различных кремнийсодержащих соединений.
Таблица: Эпитаксиальный рост кремния в атмосфере водорода.
Источник кремния | Диапазон скорости роста, мкм/мин | Диапазон температур,0C | Требуемый уровень концентрации окислителя, 10-4 % |
SiH 4 | 0.4 - 1.5 | 1150 - 1250 | 5 - 10 |
Рекомендуемые материалыFREE Маран Программная инженерия Техническое задание Инклюзивные технологии в социальной и профессиональной деятельности Информационные технологии в юридической деятельности Информационно-коммуникационные технологии для профессиональной деятельности. Для направления Менеджмент [38.03.02] Современные технологии в проектировании электротехнических систем и комплексов SiHCl 3 | 0.4 - 2.0 | 1100 - 1200 | 5 - 10 |
SiH 2Cl 2 | 0.4 - 3.0 | 1050 - 1150 | <5 |
SiCl 4 | 0.2 - 0.3 | Вместе с этой лекцией читают "47 Процедуры, применяемые в деле о банкротстве". 950 - 1050 | <2 |
Силан (SiH4) - обычно выбирают, когда нужно уменьшить автолегирование бором и его диффузию из подложки. При высоких температурах силан склонен к газофазному разложению, что ведет к ухудшению качества слоев и быстрому загрязнению стенок камеры.
Дихлорсилан (SiH2Cl2) - позволяет получить высокие скорости роста при относительно низкой температуре.
Трихлорсилан (SiHCl3) - применяется для получения поликристаллического кремния. Не дает каких-либо существенных преимуществ перед тетрахлоридом кремния и редко используется для эпитаксии из ПГС.
Тетрахлорид кремния (SiCl4) - наименее химически активное и наиболее широко используемое соединение. Благодаря высокой температуре роста процесс не чувствителен к высокому содержанию окислителей в газе носителе в следствии чего уменьшается количество вызываемых ими дефектов.