Параметры и эквивалентные схемы

Параметры и эквивалентные схемы.

Параметры делятся на собственные (первичные) и вторичные. Собственные пара-метры характеризуют свойства самого транзистора независимо от схемы включения. Вторичные параметры, наоборот, характеризуют транзистор в конкретной схеме включения.

Основные первичные параметры: сопротивление эмиттера переменному току: , сопротивление коллектора переменному току: ,

сопротивление базы переменному току: (поперечное сопротивление базы). Кроме этого, ёмкости коллекторного и эмиттерного переходов .

Эквивалентная Т-образная схема транзистора (ОБ):

Эквивалентная Т-образная схема транзистора (ОЭ):

          , при                                                    

Переход от эквивалентной схемы ОБ к эквивалентной схеме ОЭ.

Рекомендуемые материалы

Напряжение, создаваемое источником тока , равно разности между ЭДС и падением напряжения на внутреннем сопротивлении: , ();

, .

Вторичные параметры основываются на рассмотрении эквивалентных схем транзисторов, как четырёхполюсников, т.е. относительно двух пар выводов. Кроме того, четырёхполюсник анализируется  в режиме малых амплитуд. В настоящее время широко используются h-параметры.

Для схемы ОЭ имеем:, , где  и -амплитуды.

, ,где  /

1. –входное сопротивление по переменному току:, при , т.е. .

2. -коэффициент обратной связи по напряжению:  при , т.е. .

3. - коэффициент передачи тока: , при , т.е. .

4. - выходная проводимость по переменному току: , при , т.е. .

Эквивалентная схема транзистора  с использованием h-параметров:

Пример расчета h-параметров по статическим характеристикам для схем ОЭ:

1)

Информация в лекции "Страны перенейского полуострова в международных отношениях V-XV вв" поможет Вам.

2)

1) -рабочая точка покоя, ,

2) , ; , .

Приводимые в справочниках h-параметры являются усредненными величинами группы однотипных транзисторов.