Усилительный каскад с общим эмиттером

3.2 Усилительный каскад с общим эмиттером

Усилительный каскад с общим эмиттером (рисунок 3.2.1 - а) можно представить в виде делителя напряжения с переменным резистором в нижнем плече (рисунок 3.2.1 - б), функции которого выполняет транзистор. Анализ делителя в разделе 2 показал, что изменение сопротивления нижнего плеча от бесконечности до нуля приводит к изменению выходного напряжения от +Е_п до нуля. Значит, если изменять отпирающее напряжение на базе транзистора от нуля до напряжения, выводящего транзистор в насыщение, (т.е. до 0,2 ÷ 0,3В) то выходное напряжение на коллекторе транзистора изменится от +Е_п до напряжения коллектор – эмиттер насыщенного транзистора.

Принцип усиления поясняется временными диаграммами на рис 3.2.2 для случая, когда на вход усилителя действует гармонический сигнал e_г(t)=е_г.махsinωt. При отсутствии сигнала (е_г=0) в транзисторе существуют постоянные токи I_К.РТ, I_Б.РТ и напряжения U_КЭ.РТ, ,U_БЭ.РТ , которые в совокупности определяют его режим (рабочую точку). Под действием ЭДС е_Г(t) изменяется напряжение база - эмиттер транзистора (U_бэ), что приводит к изменению токов базы, эмиттера и коллектора. При положителыной полуволне ЭДС e_г(t) эмиттерный переход смещается в прямом направлении, сопротивление транзистора уменьшается, токи I_К, I_Б увеличиваются, а при отрицательной - уменьшаются. Изменение тока I_К создает на сопротивлении R_K (при R_H>>R_K) приращение напряжения ∆U=∆I_K·R_K. Таким образом, с помощью резистора R_K переменный ток преобразуется в переменное напряжение. С учетом коэффициента передачи тока базы β выражение для переменного напряжения на коллекторе транзистора примет вид ∆U=∆I_Б·β·R_K

При малом входном сигнале, когда напряжения и токи меняются в пределах линейных участков входных и выходных характеристик, законы изменения токов и напряжений повторяют с точностью до знака переменную ЭДС сигнала е_г(t).

                            (3.2.1)

Из выражений вытекает, что выходной сигнал содержит постоянную и переменную составляющие, и что усилитель ОЭ изменяет полярность входного сигнала.

Из графиков на рис. 3.2.2 видно, что неправильный выбор рабочей точки может привести к ограничению входного сигнала. При малых значениях I_Б.РТ и I_K.РТ будет ограничиваться отрицательная полуволна вследствие отсечки коллекторного тока, а при больших I_Б.РТ и I_K.РТ положительная полуволна из-за насыщения транзистора. Положение рабочей точки может меняться при изменении питающих напряжений и за счет температурного и временного дрейфа статических характеристик и параметров транзистора. Увеличение амплитуды входного сигнала приводит к росту нелинейных искажений и к его ограничению. Достоинством такой схемы усилителя является ее простота, высокий коэффициент усиления по напряжению, большое входное сопротивление, широкая полоса пропускания, особенно в области низких частот (полоса пропускания начинается от нуля). К недостаткам следует отнести то, что положение рабочей точки транзистора должно задаваться источником сигнала. Поскольку это условие трудно выполнимо, усилитель ОЭ дополняют резистором R_Б, рисунок 3.2.3.

 При таком включении резистор R_Б образует делитель напряжения с внутренним сопротивлением перехода транзистора база – эмиттер - r_бэ. Именно этим делителем задается положение рабочей точки транзистора. Сопротивление R_Б можно определить, задавшись типом транзистора и по его входной характеристике определив I_Б.РТ и U_БЭ.РТ

                                                          (3.2.2)

Рекомендуемые материалы

где E_К – напряжение питания. Такой усилитель упрощает требования к источнику сигнала. Однако положение рабочей точки усилителя может сильно изменяться под действием температуры из-за температурной нестабильности r_бэ, поскольку сопротивление базового перехода имеет полупроводниковую природу. Кроме того изменение выходного сопротивления источника сигнала также вызывает изменение положения рабочей точки, поскольку оно включено последовательно r_бэ. Если спектр входного сигнала не содержит постоянной составляющей, то температурную стабильность каскада можно повысить, установив на входе разделительный конденсатор С_Р (рисунок 3.2.4) . Конденсатор вместе со входным сопротивлением усилителя образует дифференцирующую цепочку. Поскольку такая цепь не пропускает постоянную составляющую, эта мера обеспечивает гальваническую развязку источника сигнала и усилителя, а если С_Р ставится между каскадами, то и развязку между каскадами, что существенно повышает термостабильность всего усилителя. Но такой усилитель «чувствует» только переменный сигнал и не может использоваться для усиления медленно меняющихся напряжений. Следует отметить, что введение в схему усилителя R_Б снижает входное сопротивление каскада, поскольку R_ВХ =R_Б ||r_БЭ.

Рассмотрим режим каскада ОЭ. При анализе и расчете режима усилительных каскадов выполняют проверочный или проектировочный расчеты. Проверочный расчет проводится для заданного усилителя и заключается в том, что по известным напряжениям Е_б, Е_к и сопротивлениям R_Б, R_К к (Рис 3.4) определяют токи I_Б.РТ и I_K.РТ и напряжения U_Б.РТ и U_K.РТ в рабочей точке.

При проектировании усилителей выполняется проектировочный расчет, суть которого состоит в выборе напряжений источников питания и сопротивлений резисторов, обеспечивающих заданные токи и напряжения в рабочей точке.

Для расчета режима составляют систему уравнений Кирхгофа для постоянных токов и напряжений во входной и выходной цепях усилительного каскада

                                                                                   (3.2.3)

и решают ее относительно неизвестных

Расчет режима может выполняться аналитическим, графическим и графоаналитическим методами. При аналитическом методе систему (3.2.3) решают аналитически с использованием соотношений между токами в транзисторе При этом вместо дифференциальных коэффициентов передачи тока β и α используют статические коэффициенты передачи β и α. Графический метод заключается в том, что уравнения (3.2.3) решаются графически на семействах статических входных и выходных характеристик транзистора. При графоаналитическом методе уравнение для входной цепи решается аналитически, а уравнение для выходной цепи - графически на статических выходных характеристиках. Подробно расчет режима изложен в [7]. Здесь рассмотрим только расчет положения рабочей точки аналитическим методам.

Для входной цепи каскада ОЭ (рис 3.4) в соответствии cо вторым законом Кирхгофа

                                                                             (3.2.4)

где Е_Б при питании базовой и коллекторной цепи от одного источника равно Е_К, откуда

                                                                           (3.2.5)

Если U_БЭ<<Е_К, то

                                                                                            (3.2.6)

Ток коллектора в рабочей точке

                                                                                        (3.2.7)

Из уравнения для выходной цепи

                                                                            (3.2.8)

определяется

  (3.2.9)

 Дальнейшее усовершенствование усилителя направлено на повышение его термостабильности. Для этого параллельно полупроводниковому резистору r_БЭ устанавливается резистор R_б2 (рисунок 3.2.5) сопротивлением, на порядок меньшим, чем r_БЭ. Потенциал базы задается делителем напряжения R_Б1 и R_Б2|| r_БЭ. Несложными расчетами можно показать, что, если R_Б ≤ r_БЭ/10, то изменение r_БЭ до 50% вызывает изменение общего сопротивления нижнего плеча не более, чем на 7%. При этом АЧХ такого усилителя не хуже, чем у предыдущего. Однако его входное сопротивление уменьшается в 10 раз, что ограничивает его применение в качестве входного каскада при высокоомном источнике сигнала.

Для достижения максимального качества работы усилителя ОЭ в его схему вводят элементы обратной связи (ОС). Примером введения ОС служит схема на рисунке 3.2.6-а. В цепь эмиттера добавлено сопротивление. Аналогом такого усилителя является делитель напряжения (рисунок 3.2.6-б) из трех сопротивлений, в котором средний резистор – переменный, управляемый входным напряжением. Изменение его сопротивления от бесконечности до нуля вызывает изменение выходного напряжения от +Е_п до U_RЭ = Е_п ·R_Э/(R_К +R_Э), а не до нуля, как это было раньше. Следовательно, чем больше R_Э, тем уже динамический диапазон выходного сигнала. Коэффициент усиления также снижается. Если в предыдущих схемах весь входной сигнал прикладывался между базой и эмиттером, т.е. U_вх = U_БЭ, то теперь U_вх падает на двух элементах: управляющем переходе база-эмиттер и резисторе R_Э , т.е.

                      ,                                 (3.2.10)

откуда управляющее напряжение

                        .                                  (3.2.11)

Т.е. управляющее напряжение на базе транзистора относительно эмиттера всегда меньше входного напряжения на U_RЭ. В свою очередь, U_RЭ - напряжение, пропорциональное выходному току, из чего следует, что R_Э выполняет функцию элемента отрицательной обратной связи по току. Если под действием температуры положение рабочей точки транзистора изменится, например, в сторону увеличения базового тока, увеличится ток эмиттера, (а следовательно, и ток коллектора). Это приведет к увеличению U_RЭ, из-за чего U_БЭ уменьшится и величина базового тока устремится к прежнему значению. Это свойство используется для термостабилизации усилительного каскада. Из рисунка видно, что R_Э увеличивает входное сопротивление каскада, поскольку оно включено последовательно с r_БЭ. АЧХ усилителя с ООС расширяется за счет того, что при той же полосе пропускания транзистора при меньшем коэффициенте усиления уровень 0,707 будет правее такого же уровня для усилителя без ООС (рисунок 3.2.7-б).

Полосу пропускания усилителя можно сделать еще шире, если параллельно R_Э включить конденсатор С_Э. Поскольку с ростом частоты его сопротивление переменному току уменьшается, U_RЭ на высоких частотах снижается, что приводит к увеличению U_БЭ, а следовательно и U_вых. Таким образом С_Э вызывает подъем АЧХ в области высоких частот (рисунок 3.2.7-в). Влияние разделительной емкости сказывается на АЧХ усилителя в области низких частот (на рисунке показано пунктиром).

Для расчета режима каскада на рис. 3.2.6 находят эквивалентные значения Е_Б и R_K:

                                                                         (3.2.12)

Уравнения для входной и выходной цепей имеют вид

                                                               (3.2.13)

Так как I_Э = (β+1)I_Б и I_К =αI_Э≈I_Э, то из системы (3.2.13) следует, что в рабочей точке

                                (3.2.14)

Изменяя соотношения между R_Б1 и R_Б2, можно при заданном Е_К получить требуемую величину R_Б , а увеличивая или уменьшая R_Б1 и R_Б2 одновременно, можно получить нужное значение R_Б.

Для определения параметров каскада (K_e,K_U,K_I,K_P,R_ВХ,R_ВЫХ) необходимо найти переменные составляющие токов и напряжений, которые будут обозначаться строчными буквами i_К, i_Э, i_Б, u_КЭ, u_БЭ Переменные составляющие находят аналитическим методом с использованием эквивалентных схем. Заменив транзистор простейшей Т-образной эквивалентной схемой (рис. 3.2.8), составляют эквивалентную схему усилительного каскада (рис. 3.2.9) подключая к ней внешние элементы электрической цепи усилителя в соответствии с принципиальной схемой. При этом источники питания заменяют коротким замыканием, так как их внутренние сопротивления для переменных составляющих достаточно малы (считают их равными нулю), а постоянные ЭДС при определении переменных составляющих можно не учитывать. Для малой амплитуды входного сигнала вольт-амперные характеристики транзистора можно считать линейными. Тогда эквивалентная схема усилителя является линейной и к ней применимы все методы анализа линейных электрических цепей. В связи с тем, что анализ ведется для области средних частот, паразитные емкости переходов транзистора, нагрузки, емкости монтажа, паразитные индуктивности и другие параметры, которые проявляются в области достаточно высоких частот, не учитываются. Разделительные конденсаторы С_Р1 и С_Р2 (рис 3.2.6) заменяют короткими замыканиями, так как их емкостные сопротивления в области средних частот очень малы. При этом все параметры эквивалентной схемы считаются вещественными и дополнительных фазовых сдвигов между токами и напряжениями не вносят. Влияние реактивных параметров будет рассмотрено ниже при анализе частотных и переходных характеристик. С целью упрощения анализа полагают сопротивление r_К→∞. Тогда, согласно эквивалентной схеме (рис 3.2.8),i_K=αI_Э отношения токов транзистора как в динамическом (при U_КБ = var), так и в статическом (U_КБ = const) режимах будут одинаковыми

                                                              (3.2.15)

Эквивалентная схема каскада ОЭ, составленная в соответствии с изложенными выше правилами, приведена на рис. 3.2.9. Параллельно включенные сопротивления R_K и R_H являются нагрузкой для переменной составляющей сигнала. Для сокращения записи будем обозначать

                                                                               (3.2.16)

1. Входное сопротивление. Входное сопротивление транзистора между точками 0 - 0' правой (по рисунку3.2.9) части схемы

                                                          (3.2.17)

Согласно схеме (рис. 3.2.9) . Тогда с учетом (3.2.15),

                                                                      (3.2.18)

Выходное сопротивление усилительного каскада между точками 1 – 1’ состоит из параллельного соединения сопротивлений R_Б и R_ВХ.Т :

                                                               (3.2.19)

На практике часто выполняется условие R_Б>> R_ВХ тогда

                                                         (3.2.20)

2. Коэффициенты усиления ЭДС и напряжения. Из схемы рис. 3.2.9 следует, что , а , Если допустить, что R_Б>R_ВХ.Т и, следовательно,  и учесть (3.2.18); то коэффициент усиления ЭДС

.(3.2.21)

Коэффициент усиления напряжения К_и -можно определить из выражения (3.2.21), положив R_Г =0:

         .                        (3.2.22)

Знак «-» в формулах для К_е и К_и означает, что выходное напряжение противофазно входному (усилитель инвертирует входной сигнал). В дальнейшем этот знак будем опускать, понимая под К_е и К_и только численные значения параметра.

Величина К_е зависит от R_Г, а К_и от R_Г не зависит, причем К_е < К_и. Чем больше внутреннее сопротивление источника сигнала R_Г, тем больше падение напряжения на нем от входного тока усилителя и тем меньше напряжение  поступит на вход усилителя. При этом уменьшается выходное напряжение и, следовательно, падает коэффициент усиления К_е. Параметры R_Г и R_КН подбирают так, чтобы получить |К_е|>1.

3. Коэффициент усиления по току. Из схемы на рис. 3.2.9 следуют очевидные соотношения  и . Учитывая (3.2.16), (3.2.17) и (3.2.19), получаем

                                       (3.2.23)

Если R_К>>R_Н и R_Б>R_ВХ.Т , то коэффициент усиления тока максимален

                                                                                (3.2.24)

и его величина больше единицы.

4. Коэффициент усиления по мощности. Так как обычно K_i >1 и K_u >1, то

(3.2.25)

5. Выходное сопротивление. Выходное сопротивление может быть найдено исходя из основного определения . Однако такой путь достаточно сложен. Для приближенной оценки поступают следующим образам. Выходное сопротивление усилителя представляет собой эквивалентное сопротивление левой (по рисунку) части схемы между точками 2 - 2' при e_l = 0. Оно состоит из параллельного соединения сопротивления и выходного сопротивления транзистора

где h_22Э - выходная проводимость транзистора. Выходная проводимость может быть определена по статическим выходным характеристикам транзистора. Она связана с сопротивлением коллекторного перехода транзистора r_K соотношением

Тогда

                                                                                  (3.2.26)

а выходное сопротивление усилителя

                                                                      (3.2.27)

 Обычно  поэтому

                                                                                         (3.2.28)

Таким образом, усилительный каскад ОЭ обеспечивает усиление сигнала по напряжению, току и мощности (К_и>1, К_i>1, К_P>1). Его входное сопротивление составляет сотни Ом - единицы кило-Ом, выходное сопротивление R_ВЫХ ≈ R_K имеет такой же порядок. Сравнительно близкие значения входного и выходного сопротивления позволяют включать каскадно усилительные каскады ОЭ в многокаскадном усилителе. При этом входное сопротивление промежуточного каскада, являясь нагрузкой для предыдущего, не шунтирует его выход, а выходное сопротивление каскада, являясь внутренним сопротивлением источника сигнала R_Г для последующего, не шунтируется входным сопротивлением последующего каскада и не происходит значительного уменьшения коэффициента усиления К_e.

Если Вам понравилась эта лекция, то понравится и эта - 2 Социально-экономическое развитие.

Так например, при выборе R_Г = R_BХ = R_К = R_Н = R, коэффициент усиления промежуточного каскада многокаскадного усилителя будет

Учитывая, что β >>1, коэффициент усиления ЭДС К_е>1.

Входное сопротивление каскада ОЭ можно увеличить включением эмиттерную цепь транзистора резистора R_Э (рис. 3.2.6) При отключенном конденсаторе С_э резистор R_Э для переменной составляющей включен последовательно с сопротивлением эмиттерного перехода r_Э (рис 3.2.6) и параметры усилителя будут определяться следующими формулами:

                                                  (3.2.29)

Как видно из (3.2.29), включение  резистора R_Э увеличивает входное сопротивление, но уменьшает коэффициенты усиления К_и и К_e.