Для студентов РТУ МИРЭА по предмету Дипломы и ВКРМощный СВЧ транзистор с барьером Шоттки на GaN, с затвором, сформированным с помощью электронной литографииМощный СВЧ транзистор с барьером Шоттки на GaN, с затвором, сформированным с помощью электронной литографии
2018-01-122018-01-12СтудИзба
ВКР: Мощный СВЧ транзистор с барьером Шоттки на GaN, с затвором, сформированным с помощью электронной литографии
Описание
Описание файла отсутствует
Характеристики ВКР
Предмет
Учебное заведение
Просмотров
142
Скачиваний
5
Размер
43,34 Mb
Список файлов
- Мощный СВЧ транзистор с барьером Шоттки на GaN, с затвором, сформированным с помощью электронной литографии
- Диплом.docx 3,51 Mb
- Отзыв
- Отзыв Васильев.docx 15,98 Kb
- Отзыв Гладышева.docx 233,8 Kb
- Презентация
- Презентация.ppt 1,6 Mb
- Приложение диплома (подписанное)
- ВАХ и СВЧ (подписанное).docx 6,95 Mb
- Зонная диаграмма (подписанное).docx 7,35 Mb
- Разрез кристалла (подписанное).docx 6,32 Mb
- Сравнительный анализ широкозонных полупроводников для создания ПТБШ (подписанное).docx 7,46 Mb
- Схема изготовления затвора (подписанное).docx 6,53 Mb
- Типы конструкций мощных ПТБШ (подписанное).docx 7,17 Mb
- Реферат.docx 16,96 Kb
- Речь.docx 17,33 Kb
- Содержание.docx 14,44 Kb
Хочешь зарабатывать на СтудИзбе больше 10к рублей в месяц? Научу бесплатно!
Начать зарабатывать
Начать зарабатывать