Для студентов МГТУ им. Н.Э.Баумана по предмету Технические наукиHEMT-транзистор на основе AlxGayN-GaN гетеропереходаHEMT-транзистор на основе AlxGayN-GaN гетероперехода
2017-12-212017-12-21СтудИзба
НИР: HEMT-транзистор на основе AlxGayN-GaN гетероперехода
Описание
Содержание
1 Обязательная часть. Заявка на патент….…………………………………………....................стр.4
2 Произвольная часть. Модернизация газовой
системы ЭЦР-плазменной установки….......................................................................................стр.9
2.1 Введение.…………….................................................................................................................стр.9
2.2 Анализ требований, предъявляемых к модернизированной
газовой системе. Принципиальная схема модернизированной установки……………...........стр.11
3 Заключение ………………………………………………………………………………..........стр.16
Список используемой литературы…………...…………............................................................ стр.17
Приложение……………………………………………………………………………………….стр.18
Введение
1 Обязательная часть. Заявка на патент….…………………………………………....................стр.4
2 Произвольная часть. Модернизация газовой
системы ЭЦР-плазменной установки….......................................................................................стр.9
2.1 Введение.…………….................................................................................................................стр.9
2.2 Анализ требований, предъявляемых к модернизированной
газовой системе. Принципиальная схема модернизированной установки……………...........стр.11
3 Заключение ………………………………………………………………………………..........стр.16
Список используемой литературы…………...…………............................................................ стр.17
Приложение……………………………………………………………………………………….стр.18
Введение
Характеристики НИР
Предмет
Учебное заведение
Просмотров
115
Покупок
0
Размер
1,56 Mb
Преподаватели
Список файлов
Хочешь зарабатывать на СтудИзбе больше 10к рублей в месяц? Научу бесплатно!
Начать зарабатывать
Начать зарабатывать