Вопросы по конструированию и технологии ИМЭ

Файлы скачаны со студенческого портала для студенты "Baumanki.net"

Файлы представлены исключительно для ознакомления

Не забывайте, что Вы можете зарабатывать, выкладывая свои файлы на сайт

Оценивайте свой ВУЗ в различных голосованиях, в том числе в досье на преподавателей!

Распознанный текст из изображения:

Перечень вопросов к экзамену по курсу "Конструирование и технологии ИМЭ" (3 курс):

Понятие «тонкая пленка», Особенности структуры и электропроводимости тонких пленок.

Понятие «толстая пленка». Особенности структуры и электропроводимости толстых пленок.

Сравнительные характеристики «тонких» и «толстых» пленок (структура, толщина, свойства).

Тонкопленочные резисторы. Основные положения при выборе величины р„.

Толстопленочные резисторы. Основные положения при выборе величины рс,.

Понятие «удельное поверхностное сопротивление». Выбор величины р~ при расчете

толстопленочных резисторов.

Расчет размеров резистора с учетом выделяемой мощности.

Анализ погрешностей электросопротивления пленочных резисторов; взаимосвязь с допустимым

отклонением.

Понятие «удельное поверхностное сопротивление». Выбор величины рд при расчете

тонкопленочных резисторов.

Ионное распыление в 2" — электродной системе.

20.

Ионное распыление в 3" — электродной системе.

21.

22. Магнетронное ионное распыление.

Разновидности ионного распыления (реактивное, ВЧ вЂ” распыление).

Коэффициент распыления и его взаимосвязь с основными параметрами процесса.

24.

Состав и свойства фоторезисторов.

25.

Основные операции получения фоторезистивной маски.

26.

Электрохимическое осаждение.

Трафаретная печать.

28.

Высокотемпературная обработка паст,

Состав, структура и свойства паст.

Методика доводки сопротивлений резисторов.

Методика корректировки емкости конденсаторов.

29.

30.

31.

32.

10. Пленочные конденсаторы. Выбор Суд при расчете тонко- и толстопленочных конденсаторов.

11. Оценка толщины диэлектрического слоя тонкопленочных конденсаторов из условия обеспечения

электрической прочности.

12. Анализ погрешностей емкости пленочного конденсатора; связь с допустимым отклонением.

13. Расчет и конструирование пленочных индуктивностей.

14. Пленочные индуктивности. Способы увеличения величины индуктивности.

15. Оценка «вакуумных» условий при осаждении тонких пленок.

16. Испарение из резистивных испарителей; «взрывное» испарение.

17. Прямое электронно-лучевое испарение; характер взаимодействия электронного луча с веществом.

Косвенное электронно-лучевое испарение.

18. Оборудование и технология осаждения пленок в вакууме. Диаграмма изменения основных

параметров процесса.

19. Основные положения теории ионного распыления.