
Данный файл также доступен в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "конструирование и технология изделий микроэлектроники" в общих файлах.
![]() |
Московский авиационный институт | ||
![]() |
5 семестр | ||
![]() |
Конструирование и технология изделий микроэлектроники | ||
![]() |
К экзамену/зачёту | ||
![]() |
21 ноября 2015 в 00:06 | ![]() |
112,56 Kb |
![]() |
129 | ![]() |
3 |
![]() |
Качество не указано | ![]() |
0 |
![]() |
- из 5 ![]() Распределение голосов по файлу
Общее количество голосов: 0.
|
![]() |
zzyxel 4,57 из 5 ![]() |
![]() ![]() |
Данный файл также доступен в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "конструирование и технология изделий микроэлектроники" в общих файлах.
Файлы скачаны со студенческого портала для студенты "Baumanki.net"
Файлы представлены исключительно для ознакомления
Не забывайте, что Вы можете зарабатывать, выкладывая свои файлы на сайт
Оценивайте свой ВУЗ в различных голосованиях, в том числе в досье на преподавателей!
Распознанный текст из изображения:
Перечень вопросов к экзамену по курсу "Конструирование и технологии ИМЭ" (3 курс):
Понятие «тонкая пленка», Особенности структуры и электропроводимости тонких пленок.
Понятие «толстая пленка». Особенности структуры и электропроводимости толстых пленок.
Сравнительные характеристики «тонких» и «толстых» пленок (структура, толщина, свойства).
Тонкопленочные резисторы. Основные положения при выборе величины р„.
Толстопленочные резисторы. Основные положения при выборе величины рс,.
Понятие «удельное поверхностное сопротивление». Выбор величины р~ при расчете
толстопленочных резисторов.
Расчет размеров резистора с учетом выделяемой мощности.
Анализ погрешностей электросопротивления пленочных резисторов; взаимосвязь с допустимым
отклонением.
Понятие «удельное поверхностное сопротивление». Выбор величины рд при расчете
тонкопленочных резисторов.
Ионное распыление в 2" — электродной системе.
20.
Ионное распыление в 3" — электродной системе.
21.
22. Магнетронное ионное распыление.
Разновидности ионного распыления (реактивное, ВЧ вЂ” распыление).
Коэффициент распыления и его взаимосвязь с основными параметрами процесса.
24.
Состав и свойства фоторезисторов.
25.
Основные операции получения фоторезистивной маски.
26.
Электрохимическое осаждение.
Трафаретная печать.
28.
Высокотемпературная обработка паст,
Состав, структура и свойства паст.
Методика доводки сопротивлений резисторов.
Методика корректировки емкости конденсаторов.
29.
30.
31.
32.
10. Пленочные конденсаторы. Выбор Суд при расчете тонко- и толстопленочных конденсаторов.
11. Оценка толщины диэлектрического слоя тонкопленочных конденсаторов из условия обеспечения
электрической прочности.
12. Анализ погрешностей емкости пленочного конденсатора; связь с допустимым отклонением.
13. Расчет и конструирование пленочных индуктивностей.
14. Пленочные индуктивности. Способы увеличения величины индуктивности.
15. Оценка «вакуумных» условий при осаждении тонких пленок.
16. Испарение из резистивных испарителей; «взрывное» испарение.
17. Прямое электронно-лучевое испарение; характер взаимодействия электронного луча с веществом.
Косвенное электронно-лучевое испарение.
18. Оборудование и технология осаждения пленок в вакууме. Диаграмма изменения основных
параметров процесса.
19. Основные положения теории ионного распыления.
Для добавления файла нужно быть зарегистрированным пользователем. Зарегистрироваться и авторизоваться можно моментально через социальную сеть "ВКонтакте" по кнопке ниже:
Войти черезВы можете зарегистрироваться стандартным методом и авторизоваться по логину и паролю с помощью формы слева.
Не забывайте, что на публикации файлов можно заработать.