Ответы Силовая электроника - тест СИНЕРГИЯ, МОИ, МТИ

Готовые ответы на тест Силовая электроника.
Учебное заведение: СИНЕРГИЯ, МОИ, МТИ.
Дата сдачи - свежая.
Результат - 100-100 баллов.

ВОПРОСЫ К ТЕСТУ:
Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет
Порядка 0,3 А
Порядка 0,2 А
Порядка 0,1 А
Порядка 0,5 А

Частота импульсов с выхода задающего генератора (ЗГ) в схеме 3-х фазного мостового инвертора напряжения

К новым типам комбинированных транзисторов относятся
Транзисторы со статической индукцией
Симистор
Полевой тиристор МСТ
Биполярные транзисторы с изолированным затвором

В цифровой системе управления сигнал с выхода схемы сравнения

Чтобы регулировать частоту задающего генератора (ЗГ) асинхронная система должна

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину

К аппаратам низкого напряжения не относятся
Шунтирующие реакторы
Аппараты автоматики
Аппараты управления и защиты
Аппараты автоматического регулирования

В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией частота на выходе задающего генератора (ЗГ)
В четыре раза превышает выходную частоту инвертора
В два раза меньшей выходной частоты инвертора
В четыре раза меньшей выходной частоты инвертора
В два раза превышает выходную частоту инвертора

К основным преимуществам полевых транзисторов относятся:
Высокий уровень собственных шумов
Низкая плотность размещения элементов при изготовлении интегральных схем
Высокое входное сопротивление в схеме с общим истоком (ОИ)
Отсутствие вторичного пробоя

В структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится
Генератор пилообразного напряжения (ГПН)
Компаратор (К)
Фазосдвигающее устройство (ФСУ)
Нуль-орган (НО)

С целью исключения бросков напряжения на силовом ключе, вызванных аккумулированной на индуктивности энергией, в цепь нагрузки не вводят дополнительный

Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют

Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами

В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили

Величина заряда обратного восстановления силового диода
Обратно пропорциональна мощности потерь обратного восстановления
Прямо пропорциональна энергии обратного восстановления
Прямо пропорциональна амплитуде входного сигнала
Прямо пропорциональна частоте коммутации

Коэффициент заполнения импульсов силового ключа

В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией содержится

В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для
Снижения частотных характеристик ФИУ
Снижения мощности, потребляемой ФИУ
Увеличения мощности, потребляемой ФИУ
Повышения частотных характеристик ФИУ

Перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило, определяются действием нагрузок

По методу управления биполярными транзисторами различают следующие режимы работы

Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью

Для управления электронным ключом на биполярном транзисторе не должно выполняться следующее требование

Для выполнения потенциальной развязки применяют ФИУ, в которых используется

Принципы построения ФИУ не зависят от

Основные требования по параметрам ФИУ предъявляются к

В разумных силовых интегральных схемах в качестве силовых ключей получили широкое распространение

К основным режимам работы формирователя импульсов управления не относятся

При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

При использовании частотно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

При использовании широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты
Вначале уменьшается, а потом увеличивается до 1
Не изменяется
Увеличивается до 1 и потом остается неизменным
Вначале увеличивается до 1, а потом уменьшается

Для защиты от перегрузок по напряжению под воздействием питающей сети используют

В трехфазной мостовой схеме, включающей непосредственную гальваническую связь между шиной драйверов и общей шиной силовой схемы, для устранения паразитной связи не используют

К основным причинам, вызывающим появление аварийных токовых перегрузок силовых ключей, не относится

В одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем на входы схем совпадения (СС) поступают импульсы с выходов

В одноканальной системе управления 3-фазным выпрямителем частота генератора пилообразного напряжения

Для управления многофазными выпрямителями система управления должна включать количество каналов, равное

При вертикальном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

В структурной схеме, реализующей фазоимпульсный способ управления, содержится

Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ

Для реализации идеального управляющего импульса необходимо

Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в переменное напряжение другой постоянной, является
Преобразователь числа фаз
Выпрямитель
Трансформатор
Преобразователь частоты

К недостаткам МОП-транзисторов относится
Малое значение входной емкости
Большое значение входной емкости
Повышенное сопротивление в проводящем состоянии
Очень низкое сопротивление в проводящем состоянии

Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе включения ключа (в импульсе), называются
Обратноходовые
Импульсно-ходовые
Прямоходовые
Интервально-ходовые

Наибольшее распространение нашли следующие способы управления вентильными преобразователями
Фазоимпульсный
Вертикальный

Система управления электронными ключами не предназначена для

Что не относится к основным требованиям, предъявляемым к трансформаторным ФИУ

К основным требованиям, предъявляемым к управлению ПТИЗ и БТИЗ, относятся

Система стабилизации выходного напряжения импульсного преобразователя постоянного тока содержит

В режиме эмиттерного управления силовым ключом используют вспомогательный

Наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного транзистора является использование схемы с

К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся
Энергия потерь при выключении
Максимально допустимое напряжение затвор-исток
Выходная емкость
Максимально допустимый ток стока

Нуль-орган не может быть выполнен на базе:
Ключевых транзисторов, работающих под управлением синхроимпульсов
Полупроводниковых диодов, работающих под управлением синхроимпульсов
Трансформатора, который перемагничивается в момент перехода синхронизирующего напряжения через нуль
Сравнивающего устройства в интегральном исполнении

Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает:
От 25 до 100 мкс
От 1 до 5 мкс
От 25 до 100 нс
От 1 до 5 нс

Для мостовых схем используют защитные RCD-цепи, в которых резисторы подключаются
Соответственно к верхней и нижней монтажным шинам схемам
Перекрестно к противоположным монтажным шинам
Схемы последовательно с силовым ключом
Параллельно силовому ключу

Диодная оптронная развязка информационного сигнала в ФИУ обеспечивает

К основным статистическим параметрам силовых биполярных транзисторов относятся
Время спада тока коллектора
Максимально допустимый ток коллектора
Ток обратного смещенного коллекторного перехода
Время нарастания тока коллектора

Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются
Высокими значениями обратного напряжения и прямого тока
Высокими значениями прямого напряжения и прямого тока
Низкими значениями обратного напряжения и прямого тока
Низкими значениями обратного напряжения и обратного тока

По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самый высокий ток коммутации обеспечивает

Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется

В структуре IGBT транзистора сочетаются две биполярные структуры

Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание

В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют

Силовые комбинированные приборы могут коммутировать

В интегрированном запираемом тиристоре IGCT присутствует

Основным преимуществом тиристора GCT по сравнению с тиристором GTO является его

Запираемый тиристор GTO Ответ:

При подаче на управляющий электрод сигнала одной полярности симисторы включаются

Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с характером подключенной нагрузки, используют

Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют

Пульсность выпрямителя
Обратно пропорциональна частоте пульсации
Прямо пропорциональна частоте питающего напряжения
Прямо пропорциональна частоте пульсации
Обратно пропорциональна частоте питающего напряжения

Системы управления с амплитудно-импульсной модуляцией относятся к

Не существует следующего вида модуляций

Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат информации

Блок, обеспечивающий связь устройства с внешней средой, это

Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это

Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает

Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются
Обратноходовые
Импульсно-ходовые
Прямоходовые
Интервально-ходовые

Силовой биполярный транзистор в точке отсечки находится в
Открытом состоянии и характеризуется очень малым током
Закрытом состоянии и характеризуется очень малым током
Закрытом состоянии и характеризуется очень большим током
Открытом состоянии и характеризуется очень большим током

Для включения тиристора SCR необходимо
Подать отрицательное напряжение между анодом и катодом
Снизить анодный ток до минимальной величины
Подать положительное напряжение между анодом и катодом
Подать импульс управления на управляющий электрод

Симистор – это тиристор, который может

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом скорости охлаждающего воздуха

К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится

В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:

К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором не относятся

К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором относятся

К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе выключения относятся
Время нарастания
Время запаздывания обратного напряжения
Время выключения
Время установления

В силовых униполярных транзисторах регулирование тока производится с помощью
Электрического поля, перпендикулярного направлению тока
Электрического поля, параллельного направлению тока
Тока, перпендикулярного направлению напряжения
Тока, параллельного направлению напряжения

Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора
Дополнительным слоем полупроводника n-типа
Дополнительным слоем полупроводника p-типа
Дополнительным слоем полупроводника p-n-типа
Дополнительным слоем полупроводника n-p-типа

Транзисторы Дарлингтона используют для
Увеличения коэффициента передачи тока в силовых высоковольтных транзисторах
Уменьшения коэффициента передачи тока в силовых высоковольтных транзисторах
Уменьшения коэффициента передачи тока в силовых низковольтных транзисторах
Увеличения коэффициента передачи тока в силовых низковольтных транзисторах

SIT транзисторы производятся с каналами
Только p-типа
Только n-типа
N-типа
P-типа

Статический индукционный транзистор по сравнению с полевым транзистором с изолированным затвором имеет
Более низкое быстродействие
Более высокое сопротивление канала в проводящем состоянии
Более высокое быстродействие
Более низкое сопротивление канала в проводящем состоянии

Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 100 Гц
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT
Тиристоры (SCR)
Биполярные и МОП-транзисторы
Симисторы (триаки)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в
Сварочных аппаратах
Робототехнике
Печах СВЧ
Линиях электропередач

Наибольшее применение в силовой технике получили МОП-транзисторы

Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию

При отсутствии напряжений на электродах полевого транзистора сопротивление сток – исток

Высокое входное сопротивление полевых транзисторов обусловлено тем, что регулирование значения тока осуществляется

Какие существуют силовые униполярные транзисторы по принципу действия

Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает:

Точечные диоды

В транзисторе IGBT сочетается

Высокой температурной устойчивостью не обладает

При включении тиристора допустимая скорость нарастания анодного тока должна находиться в пределах
От 10 до 100 А/мкс
От 1 до 100 А/мкс
От 1 до 10 А/мкс
От 10 до 1000 А/мкс

Ассиметричный (обычный) тиристор содержит

Тиристоры с полной управляемостью применяются при создании

На основе тиристоров с неполной управляемостью построены

К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с полной управляемостью относятся

Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами
Высокое входное сопротивление
Меньшее напряжение в открытом состоянии
Высокие частотные характеристики
Низкий ток коммутации

Перегрузки по напряжению от коммутационных процессов не связаны с эффектами
Повреждение силового ключа
Накопление зарядов в ключевых компонентах схемы
Влияние паразитных элементов схемы и монтажа
Рассасывание зарядов в ключевых компонентах схем

Устройством силовой техники, преобразующим постоянное напряжение в переменное, является

К аппаратам высокого напряжения, служащим для отключения цепи от тока при ремонте электрооборудования, относятся

К аппаратам высокого напряжения, обеспечивающим отключение электрических цепей в режиме короткого замыкания, относятся

К аппаратам высокого напряжения не относятся

Как и МОП-транзистор СИТ транзистор

Какой полупроводник используется при изготовлении диода Шоттки

Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами

Динамическими параметрами силового диода являются

К статическим параметрам силового диода не относится

К параметрам силовых диодов не относятся

Управляющий параметр N, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
Фронта нарастания силового тока
Величины дополнительной индуктивности
Типа транзистора
Величины защитной емкости

Статический индукционный транзистор СИТ может работать при
Обратном смещении затвора (режим биполярного транзистора)
Прямом смещении затвора (режим полевого транзистора)
Прямом смещении затвора (режим биполярного транзистора)
Обратном смещении затвора (режим полевого транзистора)

К предельно допустимым параметрам силового диода относится
Импульсное обратное напряжение
Напряжение пробоя
Время нарастания прямого тока
Динамическое сопротивление

К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся
Зависимость амплитуды импульса управления от скважности
Независимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала
Зависимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала
Независимость амплитуды импульса управления от скважности

К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся
Преобразование переменного напряжения в постоянное напряжение
Преобразование постоянного напряжения в переменное напряжение
Формирование сигналов управления силовой частью
Осуществление оперативного обмена с внешней средой

Какая из схем включения полевого транзистора позволяет получить значительные коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности одновременно
С общей базой (ОБ)
С общим истоком (ОИ)
С общей подложкой (ОП)
С общим стоком (ОС)

Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам
Импульсные
Цифровые
Непрерывные
Релейные

При одинаковой технологии изготовления DМОП-транзисторы по сравнению с VМОП– транзисторами имеют

Для изготовления высоковольтных DМОП - транзисторов с n-каналом используются

Полевой транзистор в режиме насыщения используется как

Быстродействие IGBT транзистора
Выше быстродействия полевых транзисторов
Ниже быстродействия полевых транзисторов
Выше быстродействия биполярных транзисторов
Ниже быстродействия биполярных транзисторов

Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение в постоянное, является
Преобразователь частоты
Инвертор
Выпрямитель
Регулятор переменного значения

В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы
Открытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
Открытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
Закрытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
Закрытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода

К недостаткам оптронной развязки в ФИУ не относится
Низкий коэффициент передачи тока
Температурная нестабильность параметров
Большая задержка передачи сигналов
Потенциальная развязки информационного сигнала

Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия
Транзисторы с изолированным затвором (ПТИЗ)
Транзисторы с управляющим p-n-переходом (p-n-затвором) (ПТУП)
МОП - транзисторы (металл -окисел-полупроводник)
МДП - транзисторы (металл -диэлектрик-полупроводник

Силовым диодом называется

Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует
С проводным каналом
Со встроенным каналом
С индуцированным каналом
С проецированным каналом

К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся
Симметричный режим работы трансформатора
Малое количество силовых ключей
Простота реализации схем управления
Интеллектуальная система управления

В структуре биполярного транзистора крайний слой, принимающий заряды, называется
База
Коллектор
Подложка
Эмиттер

Для ограничения напряжения на затворе полевого транзистора параллельно выходному узлу драйвера включают
Шунтирующий высокочастотный конденсатор небольшой емкости
Быстродействующий диод
Низкочастотный диод
Шунтирующий низкочастотный конденсатор большой емкости

Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ
Напряжение отсечки равно нулю
Напряжение отсечки имеет отрицательное значение
При отсутствии напряжения на затворе БСИТ находится в закрытом состоянии
При отсутствии напряжения на затворе БСИТ находится в открытом состоянии

Для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно используют
Симисторы (триаки)
Однооперационные тиристоры
МОП-транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на
Исток
Подложку
Затвор
Сток

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)
В шесть раз превышает частоты питающей сети
В три раза меньше частоты питающей сети
Равна частоте питающей сети
В три раза превышает частоту питающей сети

В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются
Коллектор-база - в обратном направлении
Эмиттер-база - в прямом направлении
Коллектор-база - в прямом направлении
Эмиттер-база - в обратном направлении

Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности
Полевого транзистора с горизонтальным каналом
Униполярного транзистора
Полевого транзистора с вертикальным каналом
Биполярного транзистора

Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если
Напряжение на аноде меньше, чем напряжение на катоде
Напряжение на аноде равно напряжению на катоде
Напряжение на аноде больше, чем напряжение на катоде
Напряжения на аноде и катоде отсутствуют

Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то
Улучшаются частотные и динамические свойства прибора
Снижается мощность потерь
Ухудшаются частотные и динамические свойства прибора
Возрастает мощность потерь

В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью
Включение осуществляется при спаде тока через прибор до нуля
Выключение осуществляется сигналом управления
Включение осуществляется сигналом управления
Выключение – при спаде тока через прибор до нуля

В силовых инверторах с GTO ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в паразитных и ограничивающих анодных индуктивностях,
Прямо пропорциональна величине паразитной индуктивности
Прямо пропорциональна квадрату величины анодного тока
Обратно пропорциональна величине паразитной индуктивности
Обратно пропорциональна квадрату величины анодного тока

Принципы построения систем управления преобразовательными устройствами не зависят от
Функционального назначения преобразовательных устройств
Конструкции преобразовательного устройства
Типа преобразовательных устройств
Элементной базы электронных ключей

Входной ток оптронов в статическом режиме составляет
От 10 до 20 А
От 20 до 40 ма
От 10 до 20 ма
От 20 до 40 А

К аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной мощности, относятся
Разъединители и отделители
Ограничители перенапряжений
Шунтирующие реакторы
Разделительные трансформаторы