Шпоры к экзамену по электронике (1-24) (Шпоры к экзамену), страница 3
Описание файла
Файл "Шпоры к экзамену по электронике (1-24)" внутри архива находится в следующих папках: Шпоры к экзамену, Шпоры к экзамену. PDF-файл из архива "Шпоры к экзамену", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электроника" из 4 семестр, которые можно найти в файловом архиве МАИ. Не смотря на прямую связь этого архива с МАИ, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "электроника" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 3 страницы из PDF
9астотцскопорой зтот щБцес6'(атодаповторяется'ооратно пропор|{{он{ш1ь1{а толцщне с]|оя по'}|),проводн:д<а иназъгва9гся прлегной -частогой. фи помещекиуу йоЁа [штна ввозмо]кныдр)гие ре}Ф{мы генера|ц{и, при к0т0рьо( частотарезо}1тоемо)кет оьггь сдел!!|{а как н''ке' так и вьпше про::егнойчастоты. нФяд/ с арсенидом га'1л'1я Аля изг0товления диод!лв [анната'о.(е испо'1ьзуется фосфйл ияд]1'!' на кот0ром пц была достиг+гттанаи0оле€ высокая частота колебавтй в диодах [анпа - 170 |1ц.'Ёарисуцке приведена 8А)( диода |анна.Распреде]|еяпеБ 6пшо'г:лфьос тчв*лст0рах- физйес:све Ёрошессы опРде,1як}тся.ц3шкэяшем яоошгэлей зФяда обош( зрт(овйнов+ьос и неосвовнъоь1г|э 0'раже{о в Ф( н&!вап|{и. Бгполляра*п1- тра|{зистор содер)!о{т 1р|р-{|фод1дизпческиео.процессь|в оипо.,шрномтанзиоторе.эффекг''оли_фя_ ана.гштй физивеских процессовбило.гпярном тр.|нзистооенеооходимо выбратъ режим епо раб0гъ!, так как какБйрежйм рабйыхарактеризуется свонм сочет.|нием полярвостей ра6отто< йапрясёнтш1 и'как спедствие' раз,,|и|!пыми физипескими процеос!|ми.
Рассмогрийактшвныи режим' ксггорьй яв!1я€тся основнь|м для усп'|пте.'1ьнь!( схем.б :|кт|!вном ре)киме на элг*ггтерный пе-Реход подаетсяцрямоенагрюкение' а на код:лекторнъйобратное. 5яергеттнес:сая д{аграммав активяом режиме приведена нд рпсунке на оборотс. {1огенциаБньйоарьФ эмитт1ернок) перехода умень1|!ается па зна{Ёние прямого!-!36' !гпо приводит к ин]ке|с{ии элекгр)онов из эмитт€ра в!!!Р!$елп.:я0азу. 0сновно€ назяачение эмиттера (вто и отра:кейо в его названлш)оо€спе.{ить м1|ксим.1'1ьно возмо)к1{у!о при данном прямом токеодностороин1о!о шокек1що эл_екц)ояов в бйу. фяконцекгра1пявэмиттере"тогодоноровдо'п|ша оьпь боль1пе концентрацип акцепю!ов воазе.акгивном_ рех(яие ко'1лектор сбщ6ег (ко.гшекгфуег)ян)кектиров:шные в базу элекгроны. 1оки_колшектбр1и эм*лтгера й<|тги_(о.гштетсгорт!ыйв-ва !о( р:в[{ость равна току базы.токне з:вис!{т от ншц)я)к€ния па ко]1лекторном пе|юходе'поско]|ьч/ при ]_пофм обратном на.!1рякении всс эле*трошл,достига|о!щ{е в базе ко.]1пекторного переходц попада'от в егоод{|{:ковы'практи{{ескиускоря!ощее поле и укосятся в ко]1лект0р.
49'э'оцу дифференпцдальноеоопрсгивпение ко'}т,]|екторного перехода гк=ашыа& очень ве.]тико' чтохФа|сг€рно-дп!. Р]п-переходов, вк'11оченнь'( в бртпом направ'|ешй. всхеме с бщей базой в активном режпме койекгооньй'ток можнощедставить сле,Ф/ю[!1пм образом: |к = с|э * [поо, гАе [Б- собственньйток- -ооратного ко]ш!екпорног0 р-о_перехода' 0 _ статичесгсдйкоофФи]{иент переда[]и тока в схеме с общей базой. харастеогтзио:.ш,:йпотери на рекомбинац*п':. 0 = 0к _з{висит 0т н1!прлкени'[!66/$.Фбьт.пло с = |.к0эфФи{иент 0ко.}1пекгоре. }1зменение напря)кения на-на измененпе3а собой|]|ирины обедяейой областико.]1лекторе в]1ечетко.'1лекторного р-п-переходц что в сво'о очередь вь1зывает изменениебазьг. [1ри*Фияыш!6 1|1ирина оазырагпитенло': абсо.тпотного'значения напрякения на).мень|пается' н вероятвость _|[оэгомуреком6инацил: носите'шпопадания в ускоря'о-щ€€поле 5бывает.кооффищтегггп€редачи ре',ти|'иваетоя.
3ффекг изйене:пя коффпщаегга передат!ищи изменении налрюкевия на ко.,1лекп)ре назь:ва.пот эф<1юкгом }оли. [аршсувке на обороте пр!{ведено семейсфо выходньо( Б!\х б:д:ойоногодотранзистора в схеме с общей базой, ялл:осгрирук)щие в'1ияние эффекгафли.напраш|ении п -оолаоти лавин& к0торш{ оотаы1яет за собой бо'!ь1поеко]1ич€ство элекц)о1лов и ,щ1рк. Б области, загпозп*ецной этиминосит€!б[ми' напряжё|шость по''1я понш(ается потги д6 нуля.
}госостоян!е щи|{яго п!выв{!ть компенсирванной по:цгпроводтиковойтт.глазмой, а Р]|шм работъл лавп*тно-прот:етллого диодаре)кимом сзахваченной плазмой. 8 у:ом р€)к|{м€можно вьце,1пьтри ф&ьт. |{ерваяо6разование давиппок) удФного фрошгц прохохд€ни€еп) чере3'!щод' оста*'тяя ек) запо,тненн}'{м гптазмой, захваченной слабымэдекфи[1еск|{м потлем. 1оц тещщий через диод в этой фазе,с)щес1венно- )вел!{[!ивает€я из-за допо.,1нит€.'ъного Разм]|о)ке.{иявосктвлей в базе, а бащ)пкенпе ва .щоде за свет образовашя плазшьлсн|'к;|ет€я ц9чт'{ до нуля.
Бторая фа''перпод вос_сганов.гле*шя. Базана|]о.ляе8а электронно-дыоочной плазмой. ']1ьто:от л.вд{ода в эт0й ф1в€_дри6ущобласти базык р*_облаЁгп, а эле!.троньгк о'-о6йа'сги соскорость1о значптепьно метБшей, яем щюйфовая скорость яасыще11ия.|Блазма посг€ц9|п|о 'рассасыв.1ется. 1окзгой фазс оста€тся!{е|{!'е1п{ым. }ъсгупаег щегья фаза' характ€ризуема'{ высокимзн-ачением напря)кенности по'1я в диоде и пред|цествующая новомуобр!вовая:ао лБшлного удащого фртгга.
[!йбольшу:о дпите,1ьностьимеет имевно 1р9гья фаза_ ||роцессы режима с за:оачешной плазмойпрог€ка|сгг зам€тпо др.'|ь[п€' чем процессы про',1етпого рехслма. |(|||[\-с$-Ё{-)врэктма с захваче*плой плазмой прп этом замейоре'кима !{ шревыш1ает 0,5. на)1/'|вытше!(|[!проле,ттлого_рпч,я!се изобраэкены щф:пси,п'!]посгриру|ощие процессы тФя пролл&лтом релсшле ра6огъл )г[.'1ф|1авё€)9 ьлв эдр*с3ц-*х**)!,активном!в]кектировапныеощ{аковн'пр:!кгич€с1о{ко.}1лект0р собира€т(кош:екгпрует)ре]с{м€в базу элеггршл. 1ока колшлел!тора и эпмттсра потгиа ю(н€р:вностъ равна току базы.
(оллекюрнь:й токзав!{с-ит 0т {{апр0кения на ко.'ш|екторвом переходе'поскольц/ при 4шобом обрайом на'щлкении вседо011га|о|щ.|ё в базе копл9кторЁого пщехода" по|1ад!||от в егоускФяощ€е поле и ).посягся в ко]штектор. |{9этощу ,шфферентщапьноесопрогив]|е1{ие ко]1]1€к10рного пер€хода г:с0(':о/6& о{тень ве.'1ико' чт1охар3к{€рно д'!я р-п-персходов' вк,1}оченя.лх в обраптом напраз.ттешпл.
8це!|ь кш1лект0ра можно вк]т!о!1шть нащроппый резис|хэр с достат0.!пооо]1ь[||им сопротпвленяем к" о€з - с)дцественного ш|€нь|шени'!ко'ш1екюрного тока. 8 то-'(е вРемя д:фференциа.гьное соцро1твшешеэмиттерного перехода гэ:6{1лс/6[ь, вк.гпойенйого в щ'ямом нагтазлешли,очень мало. |[ри увезптяегшаи эмтгттервого (входного) тока коллёкгоргъп{ток возрастает припп}впте'1ьяо ва т0 )ке 3начение. измевениемощпости' поцебтляеиой в це|ти эмитт€ра'1вмен€ниямощности, вьцэлляемой вмо!кет быть много мень|пенаФРке.
|оворгг, чтоэ]1ектрич€ская сх€ма' содер'[й|ц:ш' транзист0р' ист0чнпк ||итаяияцагрузоч'ьп{ рези9гор' спосоона чси]1ивать) мощнос!ъ электри|1€с1Ф!осигнала-,к,]*= 3гтй]з:' 1п{,;.,{{'}ов'-,гк+с:ов:1/!{2'.. |\0эррициентьл псредачи т0ка8ах<нейпл:паипараметРмй(в схеме с фщей базой). в схеме с общей 6азои в ш(тивномРжиме ко]1лекп)ршлй ток можно пр€дставпть следу|ощим образом:+1к: с|э |шо, гдъ Бо_ сдбствстпъй ток обратвой ко.,ш!ект0ового 0-п_пер€ходц с * сгаттческло! коффптцект пеЁддчи тока в схе#е с обйейпогэрй_ нас = (|к _ 1;60уь.1-8ой,(юыч'о '€рсакгерязу|оф! 1. 1/с = 1 + ьРЁ/!'(! + [эдк!ре!Фйпнащ{и.+ !ф."/ь. }гаформула выратсаегсвязь с с вщпренними 11}ками та|вист'ора и удоона тем' чт0 повв0]1яетэ[п.тт€ра!|ш.л!з!ровстъ в]1и!{ни€ р:}з,шщ!ъп( сосгав'|пощ тока. в яастоящеечюмя 6сЁов:тое щ)пмснен!{€ находгг схема вк'почег:ия с о6щтмэиитт€рош' и в справотной лгт€ра1уре обычно прпводят значения!Ф9{@шеш[а $.-]1[:17ч_ 1 1 тй1пй + !э,г|к" + !**/[к' |!ри [к, ! |э'+ 1ф.1ь |{оэффшцаленй гаереёачцможно прпня1ъ 1/Р: Б*1тэ" +з{х'1к1'п о,а ,пока э'111',',,'е|'с\ !] об.гтасги ма]|ьтх т0ков на кооффгщдевгпер€дач,{ си.,тьно ш1ияет ток ркоплбпнации в эм'ггт€ром переходе'утпълваепшй тр9гьпм с.1итаемнш в сфршуле вылде.
1ктъе сг;лаемоеь/ьп|хв_{!|а€тБ 1.1ч.все ост:}!|ьпь1е' пФто''у 0; !э"/а. !э"- 7 эх(шь{'и) и_{а"1-:[*.9чптъдв&. что приеф@р/2щ)'Ё>1- [э". 1аким образом, к1вффищ[егг переда.{и умень[паетсясш|океп{и эмитпеРвого - 1{Ёса. Ё,дщврпсуп|се приведенасошв9гиъу1ощая завпс!{иостъ. Ёаупас:тсе | в обласги мш1ьп( т0ковещ(шв{'2и)$1ач€!1ие $ мало вспедсгв|.€ сп'!ьнопо в',11{яния рекомбинации зэ[.ип€рвош пеЁходе п рост епо связд|{ с умепь[шением в]тияния тока8об.гдаств срещо( токов_ (5васток 2) коэффилщептр:омблдвшщ:.передачи достипа€т м1!ксвм!ш|ыкшо значетп:я.
0б;исгь болпьш!й токов(участок 3) шотвсгсгвуег вы9(жо!'у }то3н[о]к)яв'1яется п*козпькофвячесш ффкгов.!}'ке|щ'це учт€няьо(при к0к)ромв 6оомуле'л.лляк сйкегпдо коэффтпдие*га йередати. к6фф|шцшенупте1эеаа'+а 3ав1ю''!'п опо-напряжна:я 1а ко:алекБоре. }га за}йсийостьщ/слов'|е|{а двумя фФкгад{п: ушень!дением толщ{ь| базы с росгомоФатпогю вщ1ряжен|1я на ко.'1лскторном псреходе @фф,.' ф.гтп) ив ко.,1лекк)рнои переходе. фйповь|пгеяплауддрной иошацпейоора11*ого нац!яжежя!'а !!о'тяектФцом п€рходе€готолщс{а.су:кая базу.
9ме:льппешеувелп!шва€тся и переход расшФ'9гся'т0.'щ{нь! оазы _ прив{)дгт к !1овы!!1еп!1о кФФФш.{!{енп! переда(1и т0ка(повь|]пепие э(рфективяос"|и эпшггщв). |Фш,лер зависимбсти (1316)привед9н н! рпчвке.[е.шперота1рнв- 3сх]1к1/моспь кчффийефпереда|'п то:са обьясняегся г.,!авнь[м образом умешшениёй топса [3,н!0кек!0|и ,ф|рок из оазн в эмггг€Р.|1римеры темперацрБп(|/р.
ошищшодп_зависимостеиРп'дштыршсуш.впшФорежимеРе.пи!|€ниекоэ(рФ|'цдснп! передачи с ро9том 1эм!Фац/рь. св*з:шо с повы!!1ениемвре!{ениэлектрнов в э!дитт€рнош переходе. 8 транзисторах с'к}'звиотнос[{те.]тъ;'отолстои о.хюъ вапр1{м€р с|1лавяь'(' )ве]1ичение р связанос росг0м времени ж|вни 6еосновндо( н(юпте.гтей в базе.11. |'Ад' транзи9|0ра в схеме с оощ{м эм{т1€рм.раоо[ъд' п-пФам9тры.-1 и||п{но€ оемеиство10.
бА^в тр1!|{зисторе.транзистора яв;1я|0тся-бипо'г:ярвогокФ(Р{рицвевты передачи тока о1вы_(в схеме с о0щим эмитгерм) и токауэБ соответству|от-.пря'д9му вк'!к)ченпк) эмитт€рного перехода.хФактерясг'{|€ дпя [-)по = 0 прасгияески совпадает с'харакгеоц'стикойР'сшме (1)э' < 0, (-]:о' > 0) сдвигг3мевеваи вапряжения на ко.,1лекторе обусловленФли: с роФ0м 1.1шря(ения 06 щи постоянвой токе Бнапря]кеппе эмиттерного перехода умень|1|:}ется 14р-п-перехода_хФакт€ристикФ(р€кк)мпрдлое3асттпцвномщихФактерпс1шса с.щигается в'|ево. в ре]!с1/л1е ||асыщен''я ([-|эь < 0, [-}:с <('.) крме т0ка п]лкетс_щ{ черз эм|{тгерный перход течет всгре:ъ:йтокэл€кт|юнов' ин'кектпроваяпьп( в оазу 1в ко,1лект0ра.
||рипостоянном_вощеп*ъгйнапрякении {136 с !осго.м по мо,ф/л|о нащллсенй {.16токувфп|т{вае]ся' а подштый эпшгг:ер:плй ток феньтшается, т.е. фи 0то < 0хф{1кг€рис1и|с| сви1"1отся внк| относитепьно хщактвриоти:са д,тля {'}по= 0.€емействовнходных харасгерисгийп-р-п-транзисторапредставлено пд ршчш(€. 0оласгь хФактеристик пРш {-}к > 0гА€ |к : с[3. 1ак псак !::!, то !лё!э.9чутв9гсгвуег 1|ктивпому ред|{му'0ш|асть характ€рис[тп( Фп 1_']ш ( 0 сгвоотггся к р€ж}п'у насьпцения' гдеср0стом пряшого нщр'{'кенияко.,ш!ект0рного переходаэкспоненци!ш|ьно возр{юта9г еп) т0к и!окек!щи' ваправ'гтет:ттьтйщотивопопожно тощ.