Шпоры к экзамену по электронике (1-24) (Шпоры к экзамену), страница 2

фя малого спнусофалльнопо сиг|{:ш1а нанизких частотах |( << 2/пт6| диффрнонная емкость €до =(6ф/6шЁ*1от6ехрф/91/от' где к = 0'5 ... | _ коэфф*плиент,:}авися[щп{ от толщины оазы'где они попада}0т в ускоряк)щее по'|е' переносящее |д( в соседнк)к)оо.,1асть.}, резу.,тьтат€умень|пак}т1ся конце!лп)а||пи неосновпъп(у Фан|{ц.-п9РФюд& 3то я,псше яп!цвадог экстра!щпейя8осяовякх !{ос!г{€,пей. 3тргеп*тшк ша|ра}{мы р-п-перхофв'грптршш яофатп*опл сшощняп помзадп:п р:1уп:сэ.шс{т&яей{'з8/'0€пР€'5Ё'з80€}Р!€Ф'{,0=0'+в'о'2-,.-о'+-/в 0'2 0'+а);,,,'!,!,,-о'2 о ц2 0'4,х'цвмх'м!|}.1€шост[ цхвзаяа я| рш€'.ше вш{у пр||{п'{'..'ц€&Аж=)}|автоп*о-ттрлетпъ:йдиод-щод, основанлътй на лавинном умно'(енивносшге.л:ей заряда.

)1авллшо-про'1етные.щоды пр|{мекя!отся в основномдля геЁера|щи колтебат# в фапазоне €89. |{фцессы' происходя|!ц!е впо:цгвроводниковой сгрукгуре д!од4 ве.щд_ к тому, чт0 актцв|{1ш{со9гав|1яоц{ая пФ!!{о!! ком|1 1€ко1|опо сопр0ша'1ения на ма!о!!пеРемепвом сшгт|але в опредеп€яцом ]п{а!азопе ч:|с10т отриц!у!ыънаРабочей д!я лав}'внФпроллепшого ,иода яв]!я9тся обпасгь павинногопрфоя.- фяизгогов.гтевия л1!впнно.пролетньп(и арсе|{иддиодов пспФтьзу|от|акде диод{ могут иметь о:в.'|и[|ныепо'упрово4ш(овые струсцры: р]-п-п-,'р'-п-!-!-, п_п-п*' 1п:-ппереход мет:штл-полущоводтмк), п--п*-р- п_друг1{е. Распределеяиекрем|{|-1ппш1']ти'1.ко}{це|ттрацлл примесей в п€реходах до]пкво бытъ как мо:кво б.тплпсе кстпепч:]тому' а с!!ми ]1ереходымакспмально |ш!оскими. Рассмогрддцлв кач€стве пр|п'Фа р'-п-п' чРук!уру.(еяцшьная слаболегпровш!наяпФ'|астъ называ€тся оазой.

!фи напря]кенпи, близком к про6пвяому.о6е.цпешш1 шлой р*_п-перхода распр1сщаняегс" ,а щй 6;,.ф;-й;н:|пря![енность электри[|ес|(ого по'1я растет ог п-п--перхода к р--ппер€ход/' во'из|' ко[орого мо'ш!о внде'!нтъ т0нкую облас:ъ, в котщом1{апряженнос1ъ [Февы!па9г прооивное'зн&чение' и пропсхо]щг ]ивинпо€Ф6разу:ощиеся пря этом дыр|о| угягива|от€яра:'мв0[€{{ие_носителей.полеш в р'-ооласгь' а электроны дрейфу:ог к п--обласги. }га областън9знзае?с'{ с.'!о€1{ ,1авин!{о{\} раз*1яФшен'{я.

ъ епо преде,и}д{допо'|пгте]1ь1'ь0( элек1ро||ов ||е во${нкает. 1а:сам обгазс!м, слой.'!ав!{!{ао.о 1'азмЁожения яв'1яется поставщиком элекгрнов. фи подаяена ко||1акъд .щода ]1еР€менного на[ц'лкения т:!кок), что в течениэпо'!ож!т9!ь|]ого |1олуп€риода 1{:|пряжеше с5дцественно больше' а втэч€ше о{рща1€]|ъво,!мень1пе н:|прфкен1'1 пробоя'--существеш{о10к в слое )д'!к)ж€ция цр|{фрега9твид кор0т!о{х и}1щ/льсов' максищь{к0тч'ьд( запаздыв1|ет по 0тно|пепик) к макс'[муму вапряжеппяпряолиз'гтельно на четвеР|ъ пФиода (лав|!ш|ое запаздгвание). },1з споявыходят сцстки элещрнов, кот0рые)|}!{ок9нпяр!лк)дся перз о:ой лрейф в течеяие 0три1|ате]1ьного !1ощ.перяодц1о|4а 1|роцесс пец€раци|{ элекФояов в с]тое умно)кен'{я пр€кращается.дв|пк!щеся сцсткп наводят во ввеп9ей це[1и ток' потги посгоп*ълй цт€ч€|{п€|!рол€та.

1ак!цд ооразощ ток в диоде |{м€ет видвр€м€нитря1{ого]в,пцо( п}.щ/!1ьоов. }г0т ре'сп' работъ: диода нд!ываетсяпро'|е1'|{ъп'.(|{А зтого ре'шма я€ првъпйасг 0'3. вс'||| ам'''пгчдаперемеявопо 1{апряжения на диоде достнлает значения. []!имеоноравнот0 пробшп9му напрженпю' то в лавлнной обласгт'об'разус!тсяс10]1ь [1'к}т1!нЁ ооъ€мнь[п зФяд элещрнов, вто напрлкёвность по.'тя состоро{!}{ у!бласт:спонюкается пра{ттгтес:п до куй, а з области базыповы|пае1оя-цо уровнь досгаточ|{ого д1я развцтия процесса ударпойвонизация. Б рзультатэ это-к) прцесса 6лой лавнн|тогю умно)кениясмещае1€я и фоРшц'у9гся в обласги базы на фрогпе сцстка электрнов.!ах:!|м (х)разом' в оо.,11ютн щ)ей(ра ооразу9г€я д[окущаяся в,'.устроиство оипо1ярньп( 1ран3|{счРв.прииесп.

схемн вк,1ючения. |южимы оаб(угы.т'о'упроюдн!ков1{е обисттл с нсредпощииися[ ш Рпп-р' ко|орьл€ттша-гп,гиназыз1}[отся соо1в9тств€пнопровод{мос11{11-эмиттером' базой изти оо]1асти разд€]|€'пд .щумя вза1ддодейс:вующлшлимеждг собой Рп-переходамиэмвтЁрпьп,л п ко,1лекторнь[м.8за.ш;одейсгвпе мецд/ перехода|м[- феспечш!ается Фагодщя п)му' чтоко'ш[€кц)рощрассю'яяе шежд. нимп (тагипна базы) многэ мень[ше щ|}фузионнойдлинн н€ос8овньо( нос!пе'[ей в базе.

( полтупрово.ц*к6вй"обласгяпдсоздаЁн о|!я.!€ски€коктактъ| и вне||п{ие вь(водъ[. флллцип дейФвиятипа п+п и Рп-р ощн1жов. Рассморшт,: !{азн!!чениещччт0родосновЁнх оол8сте!1 по'!упровцд.т.Фвой струкгурь{ п_р-п-тра}ви9!0ра я€по'при|пвп действяя |{а пр!фд€ре прсгейей олнойернс!й мод€,|;. вуФй моде!|{ ?-'1-перехоф[ с.лггадогся!ш1оск'{ми,а носите'п{ Фж)псято',|ько в од{!ом папр!!&пе.{ц{вд9.'ь осп ц пщпендипулщяой- обе,щетяые слолг рп-псрходов;пер€ходаш. ||1щ:осовт|ой почзапым€щю/ниипдаэг физппест9;о то]т{тшу базьт, а рассгояпаерасстоя|п.еуежш^м9га,шурги! еским|( Фа|шц{адди - твхнологи.!ео19|о тол1щяуоазы- эп€рт9п{ческш .щаграмма для одомерной моде'|1{ в состояниирав[{о3€сия (:рц тулэвщ: 11ащ'к€яил( на_переходах) по|с}зана царпсунке н8 йроте.,щато'дд-р-п-п€реходов.8наяа.тляетсясовмещёнием энергетш|{ескш(Равновесная си€т€махараклеризуется ед{!!ымФершп.

Ё|а щашце эмиттера п-базы офазуетс}: э*!ергетияесгойвнс0т0в ч9Ф' а ва гра6яце оазы с ко.,1лекторомбарьервшсогой чрц. Ёебоьшое искрпш|ени€ фапп{ эяерг9гичёских -зов в 6азё,'овп€!!0арь€рпопем в базе, возлплкатощшпсвс}!едствпе |'еравяомор'{о-го распреде'1еяия акце[тт1о1юв'|о(ко|ще|ггра|{ия у Фаяи1&! базн с эмггтер:ълм пе1юходом зна1|ите'1ьновъш€ко'|лекторннмспеРеходом. такоеу -гра||и!щ'ФщештРцпЁРаспреде'!е[{!{е щпмесеи харакгерно д|я оо]ь|пияства т:}}висторов.в|'утренпе€ поле уск0ряет элещроЁь!',щ!ок)пциеся в базе сг змигтера кко.'ш'ек10Ру.

в акт!ввомяв]|яощемся основвым д]'яретим€'*ла эм:сг:вртшй пчРходподается прямо€ус!|лптеяьпь0( сх€цнапря}€1ше' а на коплекторпнйобрагпое. 3нергегипеская дтащамма- рпчу!'!сс па обороте. |!огенциапьньлйв активном Р€ж!п'е црпведе1{а !|8оФъер э{штт€рного пеРхода )мены1|8тс'Ёа значение щ)ямогопапрпж€ппя (_)т, .т10 пр!шоддг к н!лк€|щ{и электронов из эмитт€ра вбазу.0сновное нд!начепве эмптт€ра (тго ш сщажейо в его названши)оое,с|1€чг1ъ максима.'1ьно во3шо'к1!у|о цри д:!нпом пр'{мом токеоднос10Рян{о1о ин!кек!що э]тяс[роцов в базу.

фя этого ко{це,{трациявэмптт€редол'кна оытъ оо'!ьше 1Фпцентрацпи !!|ще]п0ров в4опФо]ооус]|ов]|€новнутРенни}{ эл€кгрЁ{{сскимсбат. 1рязисторщ неощородно легированной_ базой'сущэстве:п:о дрей:}овое д3лжение. яазывалог дрсйФовн.ц.вкоБройо.диодд |анн&-[-аннатил пощшроводниковьтх диодов' использую:дийся л.гигенерации и преобразова|д'я ко.гпебатий в диапазоне €8!.3 от.гплчие огдругих типов диодов' щинцип действия ,щода [анна основа1т |{е насвойсгвах Рп-певэходов' а на собствепньп< объёмньп< свойсгвахполупроводника_'1радщ.|он1{одиод [ап:а сост0ит из слоя арсе1шдагал'п!я то)1щ!{пой от е]шниц до сотен микромегров о омическимис обеш( сторон.

Б этом материале в йпте црводимостяиме}(гг€я два мин]дщ1\|а энергии' к0т0рь!м соответствук}т два состоянияэлекгронов<<тппсёлые> и <отёгкие>. 8 свгзи 6 угпм с ооогомччря'ёняост1 эле|срцч€ского по.11я сред{ш{ дрейФвая скБрость"очщчиэлекФонов 5веп,[{иваетоя до дост!окени'! попем некогоргощитического-значепия' а з&т€м )ддень1'1:}ется, отремясь к скораюти11чч9чия. ?аким о6разом, ес.тпп к длод5л прилс1;кеко напр:ш|ение,превы|п{||ощее пр|введет]ис т9тгпапеской нащлкёняоотта по'1я натолщину слоя арсепфа па]1'1ия в дтоде, равнойерное распреде.пениенапрял<ёгп;оогп шо то.,тш[ине слоя.возникновени!огановийя неусБйпиБ.

1огла прйдаже в тодкой области нефпьлпого уве'.тлияенйнапряя(ёш{ост|{ пФ1як аноду'расположеннь1е йш(е-э]1€ктрнь{'<отсту;|ят> 0г этой обласшк неф а электронь[' распопо:кепные}1Р39:-б|48 пытаться (догнать> п6]тчивщтд*ся ,щйкущп,ся к а|{од/4воинои слой зФядов. |Фи дви?кенпи напряжецносгь поля в утом слйоудет непр€рь!вновфр1ютать а вне егосни)каться' пока не достигнетравновесного значепия.

1акой двиясущийсядвойной слой зарялов свысохой натрлкённосгь:о эдещри[{еског0 по]1я внутРи пощ/чи,,1пазв{|ние домена си',1ьного по.1тя' а папрякение' щи когорой онвоз!!пкает8 моме*гг зароэтщения домена ток в диодемаксималев.-_поргов9го'|{о мере фрширва:лля домёяа он 5гменьлпается и достигаетсвоепо мивим5.ма по око1'чанни фрмдрвапия. ,{остигая анода' доменразрушается' и т0к свова в{врасгаег. Ёо едва ов достигнет макси}{и||& уфрмиРуется новый домен.