Отзыв официального оппонента (Дислокационная люминесценция в нитриде галлия)
Описание файла
Файл "Отзыв официального оппонента" внутри архива находится в папке "Дислокационная люминесценция в нитриде галлия". PDF-файл из архива "Дислокационная люминесценция в нитриде галлия", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве СПбГУ. Не смотря на прямую связь этого архива с СПбГУ, его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
ОТЗЫВ официального оппонента на диссертационную работу Медведева Олега Сергеевича «Дислокационная люминесценция в нитриде галлия», представленной на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 — «Физика полупроводников» Актуальность. Структуры на основе нитридов в настоящее время являются основой многих промышленно выпускаемых светоизлучающих приборов. Однако пленки нитридов, выращенные, как правило, на подложках сапфира, характеризуются очень высокой плотностью дислокаций в связи с различием постоянных решетки подложки и пленок нитридов и сильно различающихся коэффициентов термического расширения.
Кроме того, излучательные свойства этих структур могут меняться в результате длительного использования и под воздействием внешних факторов, таких как температура, механические воздействия, электрический ток. Важнейшую роль в этих процессах могут играть различного рода дислокации. Проводимые ранее исследования показали, что дислокации в нитриде галлия в основном являются центрами безызлучательной рекомбинации. Тем не менее, известно, что в других полупроводниках, например в кремнии, дислокации могут являться центрами люминесценции. Однако для нитрида галлия экспериментальных данных, свидетельствовавших о собственно дислокационной люминесценции, получено не было.
В связи с этим тема диссертационной работы, посвященной исследованию дислокационной люминесценции нитрида галлия, является актуальной. Достоверность полученных результатов. Достоверность полученных результатов обоснована тем, что полученные теоретические и экспериментальные результаты и выводы соответствуют современным представлениям физики твердого дела. Для интерпретации результатов привлекались ранее хорошо обоснованные теоретические положения. Эксперименты проводились на новейшем оборудовании.
Достоверность полученных результатов подтверждается также тем, что они были опубликованы в пяти рецензируемых журналах и обсуждены на 9 Всероссийских и Международных конференциях. Научная новизна работы В результате проведенной работы были получены следующие новые научные результаты: Впервые установлено, что а-винтовые дислокации, введенные локальной пластической деформацией, являются причиной интенсивной люминесценцией, исследована зависимость дислокационной люминесценции от температуры, механических напряжений, облучения электронным пучком. - Показано, что места пересечения винтовых дислокаций могут являться причиной люминесценции с энергией излучения, отличающейся от люминесценции одиночных а-винтовых дислокаций. - Предложена новая модель, объясняющая природу люминесценции, связанной с а-винтовыми дислокациями. Практическая значимость работы.
В работе было показано, что люминесценция, связанная с а-винтовыми дислокациями в нитриде галлия имеет более высокую интенсивность при высоких температурах по сравнению с зонно-зонным переходом, а также высокую устойчивость к высокотемпературному отжигу. В связи с этим дислокационная люминесценцня может быть использована при создании светоизлучающих приборов. При прочтении диссертации у оппонента возникло несколько вопросов и замечаний. 1. При описании экспериментальной установки говорится, что время экспозиции в точке составляет 1-2 секунды. О какой точке идет речь? 2. В работе приводятся оценки размера области генерации электронно-дырочных пар в зависимости от энергии электронов.
При оценке глубины залегания дефектов более корректно рассматривать не максимальную глубину проникновения электронного пучка в образец, а область, в которой теряется основная доля энергии электронов первичного электронного пучка. 3. В работе утверждается, что полоса 1КЬ, состоит из двух неразрешенных полос. Однако не приводится никаких доказательств этого, 4. Не понятно, почему форма полос РВЬ хорошо описываются функциями Лоренца, а полоса 1В.Ь вЂ” функцией Гаусса. Отмеченные вопросы и замечания не снижают общего очень хорошего впечатления от работы. Текст автореферата достаточно полно отражает содержание диссертации. Изучение материалов кандидатской диссертации Медведева О.С.
показало, что диссертационная работа является законченным и оригинальным исследованием. Результаты работы могут иметь теоретическую и практическую ценность. Представленная к защите диссертация полностью отвечает требованиям ВАК РФ, предъявляемым к кандидатским диссертациям, а ее автор, Медведев Олег Сергеевич, заслуживает 21 мая 2018 Заведующий лабораторией «Диффузия и дефектообразование в полупроводниках» ФТИ им. Иоффе РАН Доктор физ.-мат.
наук Заморянская Мария Владимировна литехническая ул., д. 26, Федеральное Почтовый адрес: 194021, Санкт- государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук Тел. (812) 297-2245, е-гпа11: хапн®та11.1ойе.га Подпись Заморянской М. В. ЗАВЕРЯЮ Ученый секретарь ФТИ им. Иофф~~-",1~ г ' . П. Шергин присуждения ему степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 — «Физика полупроводников».
.