Информация об официальном оппоненте 2 (Взаимодействие водорода с дислокационными сетками сращенных пластин кремния)
Описание файла
Файл "Информация об официальном оппоненте 2" внутри архива находится в папке "Взаимодействие водорода с дислокационными сетками сращенных пластин кремния". PDF-файл из архива "Взаимодействие водорода с дислокационными сетками сращенных пластин кремния", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве СПбГУ. Не смотря на прямую связь этого архива с СПбГУ, его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
Сведения об официальном оппонентепо диссертационной работе (Лошаченко Антона Сергеевича)на тему «ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ВОДОРОДА С ДИСЛОКАЦИОННЫМИ СЕТКАМИСРАЩЕННЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ»представленной на соискание ученой степеникандидата физико-математических наукпо специальности 01.04.10 – физика полупроводниковФамилия Имя Отчество оппонентаШифр и наименованиеспециальностей, по которымзащищена диссертацияУченая степень и отрасль наукиУченое званиеПолное наименование организации,являющейся основным местомработы оппонентаЗанимаемая должность, с указаниемструктурного подразделенияПочтовый индекс, адресТелефонАдрес электронной почтыСписок основных публикацийофициального оппонента по темедиссертации в рецензируемыхнаучных изданиях за последние 5 лет(не более 15 публикаций)Якимов Евгений Борисович01.04.10– физика полупроводников и диэлектриковДоктор физико-математических наукпрофессорФедеральное государственное бюджетное учреждениенауки Институт проблем технологиимикроэлектроники и особочистых материаловРоссийской академии наукГлавный научный сотрудник.
Лаборатория«Локальная диагностика полупроводниковыхматериалов»142432, Черноголовка, Моск. обл., ул. акад.Осипьяна, 644182yakimov@iptm.ru1) A. Y. Polyakov, Dae-Woo Jeon, In-Hwan Lee, N. B.Smirnov, A. V. Govorkov, E. A. Kozhukhova, E. B.Yakimov. Electrical properties of undoped GaN filmsgrown by maskless epitaxial lateral overgrowth. J.
Appl.Phys. 113, 083712, 2013.2) P. S. Vergeles, N. M. Shmidt, and E. B. Yakimov.Role of extended defects in the transformation ofInGaN/GaN multiple quantum well structure opticalproperties under low energy electron beam irradiation.Phys. Status Solidi C 10, No. 3, 464–467 (2013)3) E.B. Yakimov. Low energy electron irradiation effecton optical and electrical properties of InGaN/GaNmultiple quantum well structures.
Int. J. Nanoparticles,Vol. 6, Nos. 2/3, 191-200, 2013.4) П.С. Вергелес, Е.Б. Якимов. Влияние облученияэлектронами низких энергий на оптические свойстваструктур с множественными квантовыми ямамиInGaN/GaN. ФТП, 49(2), 149-154, 2015.5) В.И. Орлов, О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов.Исследование свойств протяженных дефектов впластически деформированном кремнии методамиEBIC и LBIC. ФТП, том 49, вып. 6, 737-740, 2015.6) С.М. Пещерова, Е.Б. Якимов, А.И.
Непомнящих,Л.А. Павлова, О.В. Феклисова. Рекомбинационнаяактивность границ раздела в мультикристаллическомкремнии. ФТП, том 49, вып. 6, 741-745, 20157) М.А. Поликарпов, Е.Б. Якимов. Исследование.
