Отзыв оппонента Гиппиуса (Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием), страница 2

В результате показано, что кулоновские корреляции являются причиной возникновения отрицательной туннельной проводимости и инверсной заселенности, приводят к резкому уменьшению полных электронных чисел заполнения. В четвертой главе теоретически обоснована возможность создания заданных зарядовых и спи новых конфигураций в полупроводниковых наносистемах с несколькими уровнями энергии.

В пятой главе методом диаграммной техники для неравновесных процессов получены аналитические выражения, описывающие временную эволюцию заряда в связанных квантовых точках, взаимодействующих с термостатом, без учета кулоновского взаимодействия. Наиболее важным результатом является теоретическое обоснование возможности создания на основе связанных квантовых точек нового типа электронного полупроводникового прибора - неадиабатического электронного насоса, способного работать при комнатных температурах на гигагерцовых частотах. Показано, что функционирование неадиабатического насоса основано на протекании нестационарного туннельного тока, возникающего из-за различия скоростей при резонансном и нерезонаисном туниелировании между квантовыми точками, при нулевом напряжении на туннельном контакте.

В шестой главе обнаружен ряд новых оригинальных эффектов, возникающих при релаксации заряда в системе квантовых точек с кулоновским и электрон-фононным взаимодействие, связанных с термостатом. Предложенный метод описания релаксации заряда основан на применении диаграммной техники для неравновесных процессов и метода среднего поля, позволившего учесть эффекты кулоновского взаимодействия.

Объяснена причина немонотонной кинетики релаксации заряда и показано, что форма и размер квантовых точек существенным образом влияют на динамику релаксации заряда. Выявлено, что релаксация заряда может происходить в режиме резкой смены скорости релаксации. Представляет большой интерес проведенное исследование системы, состоящей из массива квантовых точек, в которой происходит захват заряда.

Показано„что захват заряда возможен даже в случае сравнительно небольшого числа квантовых точек в системс. Отдельно стоит отметить обнаружение увеличения скорости релаксации заряда в случае наличия электрон-фононного взаимодействия. В седьмой главе приведены результаты исследования особенностей релаксации заряда в системе квантовых точек с кулоновскими корреляциями, взаимодействующей с термостатом, для различных конфигураций заряда в начальный момент времени, Для этого предложен новый теоретический метод в основе которого лежит получение замкнутой системы кинетических уравнений для электронных чисел заполнения в квантовых точках.

Отличительной особенностью предложенного метода является проведенный точный учет кулоновских корреляций локализованных электронов. Впервые проведенный анализ релаксации заряда с точным учетом кулоновских корреляций позволил обнаружить явление динамического пленения заряда и выявить режим релаксации с резким уменьшением и последующим практически полным восстановлением величины заряда.

Важной особенностью предложенного метода является возможность аналитического решения системы кинетических уравнений. В заключении диссертационной работы приведены основные результаты и выводы. Замечания по диссертационной работе 1. При исследовании чисел заполнения и вольт-амперных характеристик систем с несколькими уровнями энергии получены выражения, в которые напрямую входит температура. В тексте диссертационной работы не указано при каких температурах проведены расчеты.

2. В системах связанных квантовых точек с кулоновскими корреляциями важную роль играют эффекты спиновой блокады. В тексте диссертационной работы эти эффекты не упомянуты. Было бы правильно указать на наличие или отсугствие эффектов спиновой блокады и обсудить причины их появления. 3. При описании эффектов релаксации зарядовой плотности в связанных квантовых точках использованы модели одноуровневых квантовых точек.

Предложенное приближение дает новые результаты. Было бы полезным обсудить в диссертационной работе, что может измениться в случае квантовых точек с несколькими уровнями энергии. 4. Было бы более наглядно на всех графиках с зависимостями, полученными с учетом кулоновских корреляций, приводить зависимости, рассчитанные без учета кулоновских корреляций. Перечисленные замечания не снижают общую высокую оценку диссертационной работы, которая, несомненно, представляет собой оригинальное и законченное научное исследование. Результаты, полученные в диссертационной работе, вносят значительный вклад в развитие важного и актуального научного направления современной физики полупроводников «Электронный транспорт в неравновесных полупроводниковых наноструктурах с сильным межчастичным взаимодействием». Полученные результаты являются новыми и представляют значительный научный интерес.

Новизна, актуальность, практическая значимость диссертационной работы, а также личный вклад автора и сформулированные выводы не вызывают сомнения, Все основные результаты диссертационной работы неоднократно доложены на российских и международных конференциях и опубликованы в большом количестве статей в престижных научных изданиях, входящих в список ВАК, Диссертационная работа хорошо оформлена и изложена хорошим литературным языком.

Материал представлен понятно и логически последовательно. Автореферат правильно и в полной мере отражает содержание диссертационнои работы. Официальный оппонент Профессор, д.ф.-м.н. Место работы оппонета: ;:.'у~' / "-., г ', '7~- ф Н.А. Гиппиус Сколковский институт науки и технологий 143025,Московская обл., Одинцовский р-н, Сколково, ул, Новая, д.100, телефон: +7 495 280 14 81 доб. 3461 эл. почта: М.61рр1па®а1со11есп.гп «Подпись Н,А. Гиппиуса удостоверяю» Директор по управлению персоналом и операционными вопросами /',У Сколковскогоннститутанаукиитехнологий у',",' / .Ы~' Т.А: Шубина Диссертационная работа В.Н.

Манцевича полностью соответствует всем требованиям, предъявляемым Положением ВАК РФ к докторским диссертациям, а ее автор, безусловно„заслуживает присуждения ему ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников. .