Отзыв на автореферат - Булатов (1097771)

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла

на автореферат диссертационной работы Манцевича Владимира Николаевича «Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием», представленной на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности «01.04.10 - физика полупроводников».

В и~~то~шее время одним нз наиболее а~~ив~~ развивающихся и переловы~ направлений науки является исследование физических процессов, происходящих в микро- и наноструктурах и системах пониженной размерности. Современные полупроводниковые технологии позволяют не только получать твердотельные наноструктуры с требуемьгми электронными свойствами 1сверхрещетки, системы с квантовыми ямами, проволоками и точками), но и дакзт возможность создавать на их основе новые наноструктурированные материалы со свойствамн, многократно превосходящими свойства объемных материалов. Исследования в этой области науки активно проводятся в экспериментальном и теоретическом направлениях.

Одним из основных и наиболее совершенных экспериментальных методов исследования кинетических н статистических характеристик структур с пониженной размерностью, свойств полупроводниковых и металлических поверхностей, а также взаимодействующих и изолированных прнмесных состояний является метод сканирующей зондовой микроскопии. Теоретическое описание электронной кинетики в коррелированных наноматерналах является сложной и актуальной задачей, так как свойства электронного транспорта напрямую зависят от структуры и геометрии рассматриваемой системы.

Установление механизмов электронного транспорта, а также выявление электронных свойств неравновесных наноструктур с сильными корреляциями, выполненные в диссертационной работе В.Н. Манцевича, безусловно являются актуальными и представляют значительный научный и практический интерес, В представленной диссертационной работе предложен комплексный теоретический подход к описанию статистических характеристик, особенностей неравновесной кинетики и нестационарных эффектов прн электронном транспорте через сильно коррелированные полупроводниковые наноструктуры.

Он включает детальное исследование роли межчастичных корреляций в формировании электронных свойств неравновесных наноструктур, Оригинальная часть диссертационной работы начинается с изучения локальной туннельной проводимости на поверхности полупроводников в окрестности примесных атомов и низкоразмерных структур и исследования особенностей в спектре туннельного тока, связанных с наличием в области туннельного контакта прнмесных атомов, Предложены теоретические модели, позволившие описать влияние различных примесных атомов на статистические характеристики электронного транспорта и на локальную структуру электронной плотности состяний.

Представленные результаты имеют важное практическое значение и могут быть использованы при создании метода ш кйп диагностики типов прнмесных атомов и их зарядовых состояний в полупроводниковой матрице. Далее автором предложен н~~ыЙ ~стол, позволяющий анализировать особенности электронного транспорта и туннельные характеристики в сильно коррелированных электронных системах с несколькими уровнями энергии 1сильно взаимодействующие квантовые точки или примесиые атомы) и точно учитывающий кулоновские корреляции локализованных электронов. Использование этого метода показало, что кулоновские корреляции могут приводить к появлению областей с отрицательной ту ннельной проводимостью и к формированию инверсной заселенности в наноструктурах.

Полученные в этом разделе диссертационной работы новые результаты имеют существенное значение для разработки на основе взаимодействующих квантовых точек или примесных комплексов диодов и излучателей, генерирующих импульсы заданной частоты. В заключительной части диссертационной работы автор приводит разработанные им новые подходы, которые позволили изучить особенности релаксации заряда в связанных квантовых точках„взаимодействующих с резервуаром, при наличии кулоновских корреляций н элект1эон-фононного взаимодействия. Предложенные ме~~д~ описания нестационарного электронного транспорта позволили предсказать ряд новых эффектов, которые могут иметь важное значение для перспективных приборов наноэлектроникизарядовых переключателей и элементов динамической памяти. В качестве замечаний по автореферату следует отметить: 1.

В тексте автореферата указаны ссылки на опубликование литературные данные, в которых приведены параметры и составы квантовых точек. Бьщо бы целесообразно указать эти данные в явном виде в тексте автореферата. 2. В работе предложена теоретическая модель, которая позволила объяснить результаты экспериментальных исследований низкочастотной составляющей спектральной плотности туннельного тока, проведенные методом сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии. При этом из текста автореферата не ясно над поверхностью каких полупроводниковых материалов проводились экспериментальные измерения, Основные результаты диссертационной работы неоднократно докладывались на российских и международных конференциях, опубликованы в ведущих научных журналах. Автореферат диссертации написан в соответствии с общепринятыми стандартами и правилами.

Несмотря на приведенные по автореферату замечания, в целом диссертационная работа представляет законченное научное исследование, результаты которого являются новым крупным научным достижением и имеют значительный практический интерес. Диссертационная работа отвечает всем требованиям БАК РФ, предъявляемым к диссертациям на соискание ученой степени докгора физико-математических наук по специальности 01.04,10 - "физика полупроводников". Автор диссертации В.Н.

Манцевич заслуживает присуждения ему ученой степени доктора физико-математических наук. ДщФктор ОАО Государственный научно исследовательский и проектнный институт редкометаллической пр<эмышленности «Гиредмет)> д,ф,-м.и., профессор -'н *.: Тирвдмб< 119017, г.Москва, Б.Толмачевский пер., дом 5,~ку.,'1 Тел. +7<495) 9813010: е-ща11:Ьц1а1о~лпф)й1ге<1щИ:;''ц':,,:: <7< Подпись Булат9йй М.Ф.

заверяя~, у'" .

Характеристики

Тип файла PDF

PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.

Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.

Список файлов диссертации