Отзыв оппонента 2 (Теплофизические процессы на поверхностях функциональных материалов при фемтосекундном лазерном воздействии), страница 2
Описание файла
Файл "Отзыв оппонента 2" внутри архива находится в папке "Теплофизические процессы на поверхностях функциональных материалов при фемтосекундном лазерном воздействии". PDF-файл из архива "Теплофизические процессы на поверхностях функциональных материалов при фемтосекундном лазерном воздействии", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве НИУ «МЭИ» . Не смотря на прямую связь этого архива с НИУ «МЭИ» , его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 2 страницы из PDF
Показано,что твёрдость и модуль упругости существенно растут после воздействияФЛИ.Так,вслучаеувеличение составляетполикристаллического16раз и более чем3ориентированногораза, соответственно. В случаевысоко ориентированного пиролитического графита увеличение в1,3раза. В случае прессованного графита-графитаболее чем в32раза и враза и около двухраз.Интересны результаты анализа фазового состава модифицированнойповерхности. Фазовый состав определялся с использованием диагностикиРамановских спектров. Они показали возникновение алмазоподобной плёнкина поверхности графита. Также характерным является аморфизация графитаи ряд других интересных особенностей.Впятойглавеизложенырезультатыизученияособенностейповерхности монокристаллического кремния под воздействием однократныхФЛИ в окружении различных внешних сред.
Такими средами были: газвоздух, и жидкости- во да-и масло. Плотности энергии, поступающей на2поверхность кремния изменялись в диапазоне от 0,38 до 1,85 Дж/см .122Соответствующая мощность - (1 - 6) х 10 Вт/см • В результате тщательныхизмерений получены данные об изменении формы поверхностей в зонахвоздействия энергии в зависимости от величин плотности потока энергиилазерного излучения и при наличии различной окружающей среды.Шестая глава посвящена изучению воздействия одиночных лазерныхимпульсов на многослойную системутолщиныAl-Si,состоящую из слоёв одинаковойнм. Исследования проведены в широком диапазоне плотностей50энергии лазерных импульсов от 0,05 до 2,93 Дж/см 2 (соответственно11122интенсивности от 10 до 10 Вт/см ).Полученныерезультатыоченьподробнообсуждаются.Путёмиспользования различных микроскопов (СЭМ, АСМ, ОМ) удалось получитьполнуюинформациюосостоянииповерхностипослевоздействиянаповерхность лазерных импульсов.
Показано влияние энергии на характеробразующихся в результате воздействия лазерных импульсов модификациймногослойных структур. В частности, определены значений энергии, прикоторых происходит удаление одного, двух, трёх и четырёх слоёв и ряддругих интересных результатов.В целом, работа Ромашевского Сергея Андреевича представляет собойзаконченноенаучноеисследование,имеющие,какнаучные,такиприкладные важные результаты.В то же время следует сделать некоторые замечания.•Вработеуказывается,обнаруживаютсячтовряденаноструктуры.случаевХотелосьнабыповерхностяхиметьболееподробные сведения о режимах, когда они обнаруживаются и иххарактеристиках,посколькуподобныеявлениямогутпредставлять самостоятельный интерес.•Из содержания работы остаётся неясным, насколько реальным идля каких направлений является выход развиваемых технологийна уровень, хотя бы мелких производств.Этизамечания ,конечно,носятчастныйхарактеринеумаляютДОСТОИНСТВ работы в целом.Достоверностьполученныхрезультатовневызываетсомнений,поскольку, во-первых, используется самое современное оборудование, вовторых, очевиден высокий профессионализм автора.Содержаниеавторефератадостаточнополноотражаетсуществоработы.Также достаточно полно результаты отражены в публикациях автора.В связи со всем сказанным выше, считаю, что представленная работаудовлетворяет требованиям ВАК РФ, а её автор заслуживает присужденияему учёной степени кандидата технических наук.Официальный оппонент,доктор технических наук, профессор,профессоркафедры«Теплофизика»,ФГБОУ ВО «Московский государственныйтехническийуниверситетимениН.Э.Баумана (национальный исследовательскийуниверситет)» (МГТУ им.
Н.Э. Баумана)адрес :105005, .Москва,д . 5, стр. 1тел. :+7 499 263 66 23www. ems.fм . RцДата: 2 О . О \ . \72-я Бауманская ул.,Владимир Иванович Хвесюкэл.~о-vт~ ~ кhve~yuк@ ~\'Y)s-h.t . rcuР В О:l<АДРОВЛ.f,МАТВЕЕВ.