Сведения о результатах защиты (Повышение импульсно-частотных, тепловых и инжекционных характеристик биполярных кремниевых структур методом радиационно-термической обработки), страница 3

При облученииприборныхструктурускореннымиэлектронамина воздухевозможнопротекание радиационно-химических реакций на их поверхности, приводящихк деградационным процессам в слоях металлизации и других функциональныхслоях. О возможности протекания таких процессов не упоминается.4) Отсутствует информация о том, в каких разумных пределах в работеиспользованы достижения современной физики полупроводников (включаяважные проблемы соответствующей метрологии) и какой конкретный вклад вэту область науки и техники вносит рецензируемая работа.5) Не совсем ясно, исходя из чего выбран диапазон энергий ионов прирасчете зависимости среднего нормального пробега (рисунок 2) и как даннаязависимостьсоотноситсяспараметрамиадаптированныхмоделейтранзисторныхструктурдлямоделированиярадиационно-термическойобработки.

Вероятно, не корректна подпись к рисунку 4, посколькупредставленная зависимость характеризует «отношение потерь энергии наструктурные повреждения в объеме кремния к потерям энергии в диоксидекремния» (как следует из текста автореферата – стр. 15), а не «отношениеионизации защитного диэлектрика к структурным повреждениям в объеме».

Изтекста автореферата не ясно, за счет каких конструкторско-технологическихрешенийвпредлагаемомкомпактномускорителепротоновбудетобеспечиваться площадь обработки не менее 150х150 (200х200) мм2 прииспользовании пучка протонов с энергией 1–10 МэВ и флюенсе 5∙1010–5∙1013см-2.6)Изавторефератанеясно,проводилиськакие-либооценкидолговечности полупроводниковых изделий (ППИ) после воздействия РТО.Например, приводит ли РТО к уменьшению среднего времени наработки наотказ или какова интенсивность отказов ППИ до и после воздействия РТО?Также нет ответа и на вопрос, как влияет РТО на скорость деградации ППИ.Также есть замечания по стилистическим неточностям и опечаткам втексте автореферата.Выбор официальных оппонентов и ведущей организации обосновываетсяих соответствием критериям, предъявляемыми пунктами 22 и 24 «Положения оприсуждении ученых степеней», а также близостью научных знаний к темедиссертационной работы, подтвержденной научными публикациями, в томчисле за период 2013–2017 гг.Диссертационный совет отмечает, что на основании выполненныхсоискателем исследований:разработана новаятермическойрасчетно-экспериментальнаяобработки,основаннаянаметодикарадиационно-формированиискрытыхрекомбинационных слоев с повышенной термостабильностью в кремниевыхдиодныхитранзисторныхструктурахразличногоконструктивно-технологического исполнения и обеспечивающая улучшение их импульсночастотных, тепловых и инжекционных характеристик;предложен оригинальный способ регулирования времени жизни неосновныхносителей заряда в приборных структурах на основе радиационной обработкиускоренными ионами, который заключается в том, что часть ионов тормозитсяв заданном слое приборной структуры, а часть проходит структуру насквозь,обеспечивая при этом локальное и равномерное уменьшение времени жизнинеосновных носителей заряда, соответственно;доказана перспективность использования высокоэнергетичных ионов бора иуглерода для локального формирования центров рекомбинации с повышеннойтермостабильностью в приборных структурах с целью управления динамикойпереходных процессов и электрическими параметрами;введено новое понятие – «скрытый рекомбинационный слой», т.е.

слой внутриприборной структуры с повышенной концентрацией центров рекомбинации ипониженным временем жизни неосновных носителей заряда.Теоретическая значимость исследования обоснована тем, что:доказано утверждение о возможности эффективного применения локального(по глубине) радиационного воздействия высокоэнергетичными ионами бора иуглерода для повышения быстродействия биполярных и униполярных структуркак до, так и после формирования контактной металлизации, что расширяетобласть применимости радиационных технологических методов;применительно к проблематике диссертации эффективно использован комплексускорительного оборудования, систем дозиметрии пучков, а также численныеметоды моделирования взаимодействия ускоренных ионов с многослойнымимишенями (приборными структурами);изложены положения и элементы теории функционирования транзисторных идиодных структур, обуславливающие критерии выбора локальных областей дляформирования центров рекомбинации и достижения наилучшего сочетаниястатических и динамических параметров приборных структур, тепловых иинжекционных характеристик;раскрыты перспективы применения радиационно-термических обработок дляповышения радиационной стойкости приборных структур к одиночнымрадиационнымвоздействиямизлученийкосмическогопространства,основанные на положениях теории рекомбинации неравновесных носителейзаряда и требующие теоретического и экспериментального подтверждения входе дальнейших исследований;изучены и проанализированы особенности рекомбинационных процессов вбиполярных кремниевых структурах с целью достижения необходимогоснижения времени жизни неосновных носителей заряда при минимальномросте сопротивления в открытом состоянии и обратного тока;проведена модернизация методики определения режимов радиационнотермической обработки приборных структур.Значение полученныхсоискателемрезультатовисследованиядляпрактики подтверждается тем, что:разработаны и внедрены варианты радиационно-термических обработок наускорителях заряженных частиц, используемые при серийном производствеполупроводниковых диодов и транзисторов различных типов, а также вперспективных разработках (получены акты о внедрении и использованиирезультатов работы на предприятиях и в организациях: АО «ГЗ «Пульсар», АО«ФЗМТ», АО «Арсенал «КрЗПП», АО «Ангстрем», АО «Оптрон», ЗАО«Протон-Электротекс», ИФХЭ РАН, НИЦ «Курчатовский институт» - ИТЭФ);определены типы диодных и транзисторных структур и соответствующиеварианты наиболее эффективного применения радиационно-термическойобработки на основе электронного или ионного облучения;создана система практических рекомендаций по проведению радиационнотермическойобработкиэлектронамиилегкимиионами,атакжепредварительному выбору энергий, потока и плотности потока частиц с учетомконструктивно-технологических особенностей приборных структур;представлены рекомендации по созданию компактного ускорителя протонов вчасти выбора значений дискретных энергий, тока пучка и рабочей зоны длятехнологической обработки биполярных структур различных типов.Оценка достоверности результатов исследования выявила:результаты экспериментальных работ получены на сертифицированномускорительном оборудовании ведущих Российских научных центров;теория построена на проверяемых данных и фактах, изложенных в научныхпубликацияхприближений;потемедиссертации,сиспользованиемдопустимыхидея базируется на анализе достоверных экспериментальных результатов,обобщениипередовогоопытавобластифизикиполупроводниковыхматериалов и приборов, радиационного материаловедения;использованы ранее полученные результаты других авторов по исследованиюрадиационных эффектов в полупроводниковых материалах и приборныхструктурах, и примеры их применения для создания быстродействующихбиполярных приборов;установлено частичное количественное совпадение авторских результатов срезультатами из независимых источников по данной тематике, в частности, подиапазону энергий протонов, применяемых в технологии быстродействующихдиодов, получаемых методом глубокой диффузии;использованы современные методики сбора и обработки исходной информациии результатов измерений, представительные выборки образцов приборныхструктур различных конструкций.Личныйвкладэкспериментальныхадаптированныхсоискателяобразцовмоделей;состоитприборныхпроведениив:анализеструктуриимитационногоивыбореразработкеихмоделированиярадиационной обработки; анализе технических характеристик и выбореускорительного оборудования; разработке режимов радиационно-термическойобработки; интерпретации полученных результатов; выявлении критичныхпараметров приборных структур; непосредственном выполнении работ поэлектронномуоблучению;изготовленииспециализированнойоснастки;разработке предложений по созданию компактного ускорителя протонов;подготовке большинства публикаций по выполненной работе; решенииорганизационных вопросов.На заседании 01.03.2018 г.

диссертационный совет Д 212.157.06 принялрешение присудить Лагову Петру Борисовичу ученую степень докторатехнических наук.Припроведениитайногоголосованиядиссертационныйсоветвколичестве 16 человек, из них 5 докторов наук по специальности 05.27.01«Твердотельнаяэлектроника,радиоэлектронныекомпоненты,микро- инаноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» (технические науки),участвовавших в заседании, из 24 человек, входящих в состав совета,проголосовали: за 15, против 0, недействительных бюллетеней 1.ПредседательДиссертационного советаД 212.157.06, д.т.н., профессорМирошникова И.Н.Ученый секретарьДиссертационного советаД 212.157.06, к.т.н., доцентДата оформления ЗаключенияСарач О.Б.01.03.2018 г..