Отзыв на автореферат 6 (Физические принципы магниторезистивной памяти с записью электрическим полем на основе нанослоя феррита висмута)
Описание файла
Файл "Отзыв на автореферат 6" внутри архива находится в следующих папках: Физические принципы магниторезистивной памяти с записью электрическим полем на основе нанослоя феррита висмута, Документы. PDF-файл из архива "Физические принципы магниторезистивной памяти с записью электрическим полем на основе нанослоя феррита висмута", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
отзывна автореферат диссертации Винокурова ДмитрияЛеонидовича«Физические принципы магниторезистивной памяти с записью электрическимполем на основе нанослоя феррита висмута», представленной на соисканиеученой степени кандидата физико-математических наук по специальности05.27.01 - «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- инано- электроника, приборы на квантовых эффектах»Диссертационная работа Винокурова Д.Л.
представляет собой актуальноеисследование в области твердотельной электроники и наноэлектроники. Онапосвящена исследованию принципиально новых принципов записи информациина основе магнитоэлектрического эффекта.Основной целью работы являлось теоретическое исследование механизмоввзаимодействия между ферромагнитным слоем, служащим для записиинформации,иэлектрочувствительнымслоем,атакжеразработкапринципиальных схем ячеек памяти на основе электрочувствительного слояферрита висмута.Судя по автореферату, с поставленными задачами автор справилсяполностью. В работе рассмотрено влияние поверхности тонких пленокмультиферроика со слабым ферромагнетизмом и найдена зависимость величиныскоса подрещеток от расстояния до поверхности.
Получено условиепереключения намагниченности ферромагнетика и найдено ограничение сверхуна толщину ферромагнитного слоя. Получено ограничение снизу на величинуминимального размера ячейки магниторезистивной памяти.Предложена конструкция магниторезистивной ячейки памяти с записьюэлектрическим полем на основе электрочувствительного слоя феррита висмутаНаучные результаты исследований Винокурова Дмитрия Леонидовичаявляются актуальными и значимыми, вносящими определенный вклад в развитиетвердотельной электроники и наноэлектроники.Следует отметить большой объем публикаций по теме диссертационногоисследования - семь публикаций в высокорейтинговых журналах, входящих вПеречень ВАК, причем две статьи без соавторов, что подчеркивает личныйвклад автора в результаты, отраженные в диссертации.По автореферату диссертации имеются замечания:1. На рис.
1 имеется сокращение «MTJ», однако нигде в автореферате этосокращение не расшифровывается;2. На стр. 12 автореферата сказано, что «В случае некомпенсированнойповерхностисуществуютдвесоставляющиедополнительногомагнитного момента относительно легкой оси Мц оо D^ и M i оо D, однакоиз автореферата не совсем ясно, имеет размерность параметр D или нет?Указанные замечания не носят принципиального характера и не снижаютобщей ценности работы.Диссертационная работа Д.Л. Винокурова является завершенной научноквалификационной работой, в которой решены задачи, имеющие важное значениев развитии твердотельной электроники и наноэлектроники, в частностиразработки теоретических основ для создания принципиально новых ячеекпамяти с записью информации электрическим полем, используя для этогонанослои мультиферроика.Диссертационная работа полностью отвечает требованиям п.9 «Положенияо порядке присуждения научных степеней», а ее автор заслуживает присужденияученой степени кандидата физико-математических наук по специальности05.27.01 - «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- инано- электроника, приборы на квантовых эффектах».Доктор физико-математических наук, профессорзаведующий кафедрой «Технология машиностроения»Новгородского государственного университета имени Ярослава МудрогоФилиппов Дмитрий Александрович15 марта 2017 г.Ьударственное бюджетное образовательное учреждениевысшего образования^;кий государственный университет имени Ярослава Мудрого»Адрес: 173003, Россия, г.
Великий Новгород, ул. Б. Санкт-Петербургская, 41Телефон +7 9116043119E-mail: Dmitrv.Filippov@novsu.ru.