Диссертация (Излучатели на основе полупроводниковых наногетероструктур с накачкой электронным пучком), страница 20
Описание файла
Файл "Диссертация" внутри архива находится в папке "Излучатели на основе полупроводниковых наногетероструктур с накачкой электронным пучком". PDF-файл из архива "Излучатели на основе полупроводниковых наногетероструктур с накачкой электронным пучком", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 20 страницы из PDF
EPDL: Evaluated Photon Data Library of the Lawrence LivermoreNational Laboratory,USA / D.E. Cullen, M.H. Chen, J.H. Hubbel, S.T. Perkins,E.F. Plechaty, J.A. Rathkopf, J.H. Scofield // International Atomic Energy Agency.Nuclear Data Services. - 1994. LLNL Report IAEA-NDS-158.13966. Von, A.Lumineszenz-photometrisheMessungenderEnergieabsorptionimStrahlungsfeld von Elektronenquellen Eindimensionaler Fall in Luff / A.
Von,E. Grun // Z. Naturf. -1957. -V. 12a. - № 2. -P. 89.67. Cosslett, V.E. Multiple scattering of 5-30 keV electrons in evaporated metal films I.:Total transmission and angular distribution / V.E. Cosslett, R.N. Tomas // Brit. J.Appl. Phys. -1964. - V. 15. -№ 8. –P. 883.68. Cosslett, V.E. Multiple scattering of 5-30 keV electrons in evaporated metal filmsIII: Backscattering and absorption / V.E. Cosslett, R.N.
Tomas // Brit. J. Appl. Phys.-1965. -V. 16. - № 7. –P. 779.69. Nakai, Y. Energy Dissipation of Electron Beams in Matter / Y. Nakai // Japan J.Appl. Phys. – 1963. -V. 2. - № 12. –P. 743-756.70. Акустические кристаллы: справочник / А.А. Блистанов, В.С. Бондаренко,В.В. Чкалова и др.; под ред. М.П. Шаскольской. –М.: Наука. Главная редакцияфизико-математической литературы, 1982.71. Гусев, А.Л. Взаимодействие ускоренных электронов с люминесцирующимиматериалами / А.Л. Гусев, М.М. Зверев, С.В.
Иванов, М.Д. Тарасов //Альтернативная энергетика и экология. - 2011. - № 2. -С. 102-107.72. Zverev, М.М. Distribution of the non-equilibrium carriers in ZnSe-based electronbeam pumped heterostructures / M.M. Zverev, N.A. Gamov, E.V. Zdanova,V.B. Studionov,D.V. Peregoudov,S.V.
Ivanov,S.V. Sorokin,I.V. Sedova,P.S. Kop’ev and Le Si Dang // Proceedings of 14th International Symposium―Nanostructures: Physics and Technology‖. - June 26-30, 2006. -St Petersburg,Russia, P. 27-28.73. Kozlovsky, V.I. Investigation of e-h pair compression in molecular beam epitaxygrown ZnCdSe/ZnSe multiquantum wells at volume excitation by electron beam /V.I. Kozlovsky, Yu.G.
Sadofyev // J. Vac. Sci. Technol. May/Jun 2000. - V. B18.-N. 3. –P. 1538-1541.74. http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/14075. Ivanov, S.V. Growth and excitonic properties of single fractional monolayerCdSe/ZnSe structures / S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin,A.V. Lebedev, P.S.
Kop’ev, G.R. Posina, J.P. Bergman, B. Monemar// J.Appl. Phys. – 1998. -Vol. 83. –P. 3168-3171.76. Ivanov, S.V. ZnSe-based blue-green laser with a short-period superlatticewaveguide/ S.V. Ivanov, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, A.V. Lebedev,P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov, H.-J. Lugauer, G. Reuscher, M. Keim, F. Fischer,A. Waag, G. Landwehr //J. Appl. Phys. Lett.– 1998.
-V. 73. –P. 2104-2106.77. Gronin, S.V. ZnSe-based laser structures for electron-beam pumping with gradedindexwaveguide/S.V. Gronin,S.V. Sorokin,I.V. Sedova,S.V. Ivanov,E.V. Zdanova, M.M. Zverev // Physica Status Solidi (b). -2010. – V. 7. - № 6. –P. 1694–1696.78. Зверев, М.М. Влияние нелинейных эффектов на процессы разрушенияактивных элементов лазеров с электронно-лучевой накачкой на основе ZnSe –содержащих квантоворазмерных структур / М.М.
Зверев, В.О. Вальднер,Н.А. Гамов, Р.В. Есин, С.И. Гронин, Е.В. Жданова, С.В. Иванов, П.С. Копьев,Д.В. Перегудов, И.В. Седова, С.В. Сорокин, В.Б. Студенов // Оптика испектроскопия. – 2011. – Т. 111. - № 2. - С. 208–211.79. Зверев, М.М. Катастрофическая деградация импульсных лазеров на основегетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с электронно-лучевой накачкой /М.М. Зверев,В.О. Вальднер,Н.А.
Гамов,Е.В. Жданова,М.А. Ладугин,А.А. Мармалюк, Д.В. Перегудов, В.Б. Студенов // Оптика и спектроскопия. 2013. – Т. 114. - № 6. - С. 923-925.80. Павловский, В.Н. Лазеры с оптической накачкой на эпитаксильных слоях GaNи гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN на сапфировыхподложках: автореф.
дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.21/ ПавловскийВячеслав Николаевич. – Минск, 2005.81. Takao, Oto. 100 mW deep-ultraviolet emission from aluminium-nitride-basedquantum wells pumped by an electron beam /Takao Oto, Ryan G. Banal, Ken141Ketaoka, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami // Nature Photonics Letters. – 2010,V. 26. - № 9. –P.
767-771.82. Schubert, E. Fred Electron-beam excitation / E. Fred Schubert, Jaehee Cho //Naturephotonics. – 2010. –V. 4. - № 11. –P. 735-736.83. Webb-Wood, G. Measurement of AlxGa(1-x)N Refractive Indices / G. Webb-Wood etal // Phys. Stat. Solidi (a). – 2001. –V. 188. - N. 2. –P. 793-797.84. Brunner, D. Optical constants of epitaxial AlGaN films and their temperaturedependence / D. Brunner, H.
Angerer, E. Bustarret, F. Freudenberg, R. Höpler,R. Dimitrov, O. Ambacher, M. Stutzmann // J. Appl. Phys. – 1997. –V. 82. - N. 10.–P. 5090-5096.85. Борисов, Н.А. Параметры лазера с электронной накачкой на арсениде галлия сдвойным легированием. / Н.А. Борисов, Б.М. Лаврушин, Л.В. Лебедева,С.С. Стрельченко // Квантовая электроника. -1974. –Т. 1. - № 11.
-С. 2399-2406.86. Зверев, М.М. Импульсный полупроводниковый лазер ИК диапазона снакачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структурыInGaAs/AlGaAs. / М.М. Зверев, Н.А. Гамов, Е.В. Жданова, М.А. Ладугин,А.А. Мармалюк, Д.В. Перегудов, В.Б. Студенов // Оптика и спектроскопия.-2011. –Т. 111. - № 2. - С. 212–213..
