Диссертация (Излучатели на основе полупроводниковых наногетероструктур с накачкой электронным пучком), страница 19

Насибов// Квантовая электроника. -1985. –Т. 12. -№ 4. -С. 845-848.25. Богданкевич, О.В. Импульсные неохлаждаемые многоэлементные лазеры насульфиде кадмия и арсениде галлия с продольной накачкой электроннымпучком / О.В. Богданкевич,М.М. Зверев,Н.Н.

Костин,С.П. Копыт,134Е.М. Красавина, И.В. Крюкова, Е.В. Матвеенко, В.Ф. Певцов, В.А. Ушахин //Квантовая электроника. -1985. –Т. 12. -№ 7. -С. 1517-1519.26. А.с. №270100.Электроннолучеваятрубка[текст]/Басов Н.Г.,Богданкевич О.В., Насибов А.С. - № 1135916/26-25; заявл. 10.11.1967; опубл.08.04.1970. Бюлл.

№ 16. - С.57.27. Басов, Н. Г. Получение телевизионного изображения на большом экране спомощью лазерной электроннолучевой трубки / Н.Г. Басов, О.В. Богданкевич,А.С. Насибов, В.И. Козловский, В.П. Папуша, А.Н. Печенов // Квантоваяэлектроника. -1974. –Т.

1. -№ 11. -С. 2521-2523.28. Насибов, А.С. Электроннолучевая трубка с лазерным экраном / А.С. Насибов,В.П. Папуша, В.И. Козловский // Квантовая электроника. -1974. –Т. 1. -№ 3.-С. 534-541.29. Котовщиков, Г.С.возбуждаемыйН.П. Ланцов,ОтпаянныйэлектроннымГ.А. Меерович,сканирующийпучком/полупроводниковыйГ.С. Котовщиков,А.Г.

Негодов,В.Н. Уласюклазер,В.П. Куклев,//Квантоваяэлектроника. -1974. –Т. 1. - № 2. -С. 428.30. Козловский, В.И. Лазерный экран из объемных монокристаллов сульфида иселенида кадмия / В.И. Козловский, А.И. Красильников, А.С. Насибов,В.П. Папуша, А.Н. Печенов // Квантовая электроника.

-1974. -Т. 1. - № 9. С. 2083-2085.31. Быковский, Ю.А. ПКГ с электронным возбуждением на GaAs со структуройволновода / Ю.А. Быковский, В.Л. Величанский, И.Г. Гончаров, В.А. Маслов,А.Ф. Узкий // ФТП. -1971. –Т. 5. - № 1. -С. 187-188.32. Богданкевич, О.В. Волноводная структура резонатора в полупроводниковомлазере с накачкой электронным пучком / О.В. Богданкевич, Н.А. Борисов,Б.М. Лаврушин, В.В.

Лебедев. А.Г. Негодов, С.С. Стрельченко // ДАН СССР. 1971. –Т. 201. - № 6. -С. 1316.13533. Быковский, Ю.А. Влияние волновода на характеристики ПКГ с электроннымвозбуждением / Ю.А. Быковский, И.Г. Гончаров, В.В. Кострюков, А.Ф. Узкий// ФТП. -1971. –Т. 5. - № 1. -С. 1666-1669.34. Богданкевич, О.В. Волноводная структура резонатора в полупроводниковомлазере с накачкой электронным пучком / О.В.

Богданкевич, Н.А. Борисов,Б.М. Лаврушин, В.В. Лебедев, А.Г. Негодов, С.С. Стрельченко //Квантоваяэлектроника. - 1972. -№ 8. -С. 61-68.35. Быковский, Ю.А. Полупроводниковые лазерыс гетероструктуройприэлектронной накачке / Ю.А. Быковский, И.Г. Гончаров, И.Г. Рассохин,А.Ф. Узкий // Квантовая электроника. -1974. –Т. 1. - № 1. -С. 141.36. Борисов, Н.А. Параметры лазера с электронной накачкой на арсениде галлия сдвойным легированием / Н.А. Борисов, Б.М. Лаврушин, Л.В.

Лебедева,С.С. Стрельченко // Квантовая электроника. -1974. –Т. 1. - № 11. -С. 2399-2406.37. Богданкевич, О.В. Варизонные структуры в полупроводниковых лазерах сэлектроннымвозбуждением/О.В. Богданкевич,Н.А. Борисов,Б.А. Брюнеткин, С.А. Дарзнек, В.Ф. Певцов //Квантовая электроника. - 1978.-№ 6. -С. 1310.38. Богданкевич, О.В. Двумерные варизонные структуры в полупроводниковыхлазерахспродольнойнакачкой/О.В.

Богданкевич,Б.А. Брюнеткин,М.М. Зверев, С.А. Дарзнек, В.А. Ушахин // Квантовая электроника. - 1978. –Т. 5. -№ 9. -С. 2035-2038.39. Певцов, В.Ф.Исследованиеполупроводниковыхлазеровнаосновемногослойных гетероструктур с накачкой электронным пучком: дис.

…канд.физ.-мат.наук: 05.27.03 / Певцов Валерий Фѐдорович. –М., ВНИИМС, 1981.40. Богданкевич, О.В. Лазер с накачкой электронным пучком на гетероструктуреZnSe – ZnS / О.В. Богданкевич, Б.М. Лаврушин, О.В. Матвеев, В.Ф. Певцов,М.М. Халимон //Квантовая электроника.

- 1976. –Т. 3. -С. 612.41. Петухов, В.С. Полупроводниковый лазер на волноводной структуре ZnSe-ZnSсвозбуждениемэлектроннымпучком/В.С. Петухов,А.Н. Печенов,136О.Н. Таленский, М.М. Халимон // Квантовая электроника. - 1978. –Т. 5.-С. 682.42. Богданкевич, О.В.Лазерысэлектроннымвозбуждениемнагетероэпитаксиальном селениде цинка, полученном из элементоорганическихсоединений / О.В. Богданкевич, Л.А.

Журавлев, А.Д. Коновалов и др. //Квантовая электроника. - 1983. –Т. 10. -№ 5. -С. 1007-1009.43. Ivanov, S.V. Ultra-low threshold ZnSe-based lasers with novel design of activeregion / S.V. Ivanov, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, A.V. Lebedev,I.V. Sedova, A. Sitnikova, R.V.

Zolotareva, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov // J. CristalGrowth. -1999. - V. 201/202. –P. 942-945.44. Basov, N.G. Blue-green electron beam pumped verticalcavity surface-emitting laserusingMBEE.M. Dianov,grownmodulatedV.I. Kozlovsky,ZnCdSe/ZnSeA.B. Krysa,superlatticeA.S. Nasibov,/N.G. Basov,Yu.M. Popov,A.M. Prohorov, P.A. Trubenko, E.A. Shcherbakov // Semiconductor Lasers:Advanced Devices and Applications (Optics Society of America, Washington,D.C.). – 1995. - V.

20 OSA Technical Digest Series. –P. 100-102.45. Басов, Н.Г. Лазерная электронно-лучевая трубка на основе сверхрешѐткиZnCdSe/ZnSe,работающаяприТ= 300 К/Н.Г. Басов,Е.М. Дианов,В.И. Козловский, А.Б. Крыса, А.С. Насибов, Ю.М. Попов, А.М. Прохоров,П.А. Трубенко, Е.А. Щербаков // Квантовая электроника. -1995. –Т. 22. -№ 22.-С. 756-758.46. Kozlovsky, V.I. Elelectron beam pumped laser structuries based on MBE grownZnCdSe/ZnSe superlattices / V.I.

Kozlovsky, E.A. Shcherbakov, E.M. Dianov,A.B. Krysa, A.S. Nasibov, P.A. Trubenko // J. Crystal Growth. -1996. -V. 159. P. 609.47. Вавилов, В.С. Оптический квантовый генератор на теллуриде кадмия сэлектронным возбуждением / В.С. Вавилов, Э.Л. Нолле // ДАН СССР. – 1963.-Т. 164. -№ 1. -С. 73-74.13748. Hurwitz, C.E. Electron - Beam - Pumped Laser / C.E. Hurwitz, R.S. Keyes // Appl.Phys. Lett. – 1964. -V. 5. - №.

7. – P. 139-141.49. Shatalov, M. Room - Temperature stimulated emission from AlN at 214 nm /M. Shatalov, V. Adivarahan, M. Gaevski, M. Asif Khan // Jap. J. Appl. Phys., 2006/ -V. 45. - N. 49. –P. L1286.50. Yoshida, H. Appl. Demonstration of an ultraviolet 336 nm AlGaN multiplequantum-well laser diode / H. Yoshida, Y. Yamashita, M. Kuwabara, H. Kan //Appl. Phys. Lett. – 2008. -V. 93. - P. 241106.51.

Богданкевич, О.В.ТеорияполупроводниковыхО.В. Богданкевич,лазеровэффектовснеоднородностинакачкойВ.С. Летохов,возбужденияэлектроннымиА.Ф. Сучков//Физикапучкамии/техникаполупроводников. - 1969. –Т. 3. -№ 5. -С. 665-670.52. Богданкевич, О.В. Влияние неоднородности возбуждения на порог генерациилазеров с электронной накачкой/ Богданкевич О.В., Уласюк В.Н. // Квантоваяэлектроника. – 1974. –Т. 1. - № 2. – С.

357-364.53. Донской, Е.Н. Распределение плотности возбуждения в полупроводниковыхлазерах на основе ZnSe с накачкой электронным пучком / Е.Н. Донской,Е.В. Жданова,А.Н. Залялов,М.М. Зверев,С.В. Иванов,Д.В. Перегудов,О.Н. Петрушин, Ю.А. Савельев, И.В. Седова, С.В. Сорокин, М.Д. Тарасов,Ю.С. Шигаев // Квантовая электроника. – 2008. –Т.

38. -№ 12. – С. 1097-1100.54. Кейси, Х. Лазеры на гетероструктурах в 2-х томах / Х. Кейси, М. Паниш. –М.:Мир, 1981. - Т. 1. - С. 69.55. Bergmann, M.J.Optical-fieldcalculationsforlossymultiple-layerAl x Ga 1 x N / In x Ga 1 x N laser diodes / M.J. Bergmann, H.C. Casey // J. App. Phys. –1998. -Vol. 84. - N. 3. –P. 1196—1203.56. Козловский, В.И. Диаграмма направленности излучения лазерных ЭЛТ /В.И. Козловский, П.В.

Резников // Труды ФИАН. -1991. –Т. 202. –С. 34.13857. Ландау, Л.Д. Теоретическая физика: Учеб. пособие для вузов в 10т. Т. 3.Квантовая механика (нерелятивистская теория) / Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. М.: Наука, 1989.58. Anderson, W.W. Electron beam excitation in Laser Crystals / W.W. Anderson //Applied optics.

– 1966. -V. 5. - № 1. - P. 167-168.59. Шульман, А.Р. Вторично-эмиссионные методы исследования твѐрдого тела /А.Р. Шульман, С.А. Фридрихов. – М.: Наука, 1977.60. Trager-Cowan, C. Depth-resolved Cathodoluminescence of ZnSe Epilayers /C. Trager-Cowan, F. Yang, K.P. O’Donnell // Advanced materials for Optics andElectronics. – 1994. - № 3.

–P. 295.61. Ehrenberg, W. Penetration of Electrons into Luminescent Materials / W. Ehrenberg,D.E.N. King // Proc. Phys. Soc. – 1963. – V. B81. – P. 751-766.62. Кайзер, Д.Ф. Пространственное распределение избыточных носителей вполупроводниках,Д.Б.

Виттри//возбуждаемыхТрудыэлектроннымИнститутапучкоминженеровпо/Д.Ф. Кайзер,электротехникеивозбужденияврадиоэлектронике. – М.: Мир, 1967. - Т. 55. – С.-147-148.63. Богданкевич, О.В.ОраспределенииполупроводниковыхлазерахсО.В. Богданкевич,Е.Н. Донской,плотностинакачкойэлектроннымВ.А. Коваленко,пучком/Ю.Г. Паниткин,М.Д. Тарасов // Квантовая электроника. – 1983. –Т.

10. - № 11. – С. 2236-2246.64. Cullen, D.E. Tables and Graphs of Electron Interaction Cross Section Derived fromLLNL Evaluated Electron Data Library Z=1-100 of the Lawrence LivermoreNational Laboratory, USA / D.E. Cullen, S.T. Perkins, S.M. Seltzer // LLNL ReportUCRL-50400. - 1991. -V. 31. -Rev.8.65. Cullen, D.E.