Отзыв оппонента Дорошевич (Технология разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaNGaN)

официального оппонента на диссертационную работу Трофимова Александра Александровича на тему: «Технология разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах АК аМСаХ», по специальности 05.27.0б — «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», представленную на соискание ученой степени кандидата технических наук Работа посвящена решению задач, связанных с проблемами качества резки приб ори ых пластин сапфира и карбида кремния на отдельные сверхвысокочастотные монолитные интегральные схемы 1СВЧ МИС) на нитридных гетероструктурах А1баХ/ОаХ. В работе разрабатывались технологические основы и комплекс операций, высокопроизводительных и экономически выгодных, повышающих эффективность применения существующих методов резки для разделения на кристаллы приборных пластин сапфира и карбида кремния со сформированными на них трехмерными СВЧ МИС с выходом годных не уступающих существующим показателям для планарных изделий микроэлектроники.

Известные на сегодняшний день методы разделения сапфира и карбида кремния, представленные в основном методами на основе применения лазеров или дисков с алмазной режущей кромкой, применяются к чистым подложкам, либо для разделения светоизлучающих диодов. Трехмерные СВЧ МИС с «воздушными мостами» на нитридных гетероструктурах изготовленные на подложках сапфира и карбида кремния в России появились сравнительно недавно, и научные коллективы проводят полный цикл изготовления СВЧ МИС, за исключением операции разделения готовых приборных пластин на отдельные кристаллы. Сложность в разделении приборных пластин из сапфира и карбида кремния на кристаллы, связана с их высокой твердостью и хрупкостью.

Твердость по шкале Мооса, у сапфира 9 баллов, у карбида кремния 9-9,5 баллов, Напомню твердость алмаза 10 баллов, а у арсенида галлия и кремния составляет 4,5 и 6,5 баллов соответственно. В связи с изложенным, тема диссертации «Технология разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах А1СаМ/СаХ», является а альной. Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. Наиболее существенными, пол ченными лично авто ом являются следующие новые результаты исследований: 1. Установлены допустимые границы конечной толщины для приборных пластин сапфира и карбида кремния с изготовленными на них трехмерными СВЧ МИС; 2. Разработано решение для надежной защиты трехмерных СВЧ МИС при операциях шлифования, полирования и резки приборных пластин сапфира и карбида кремния на отдельные кристаллы трехмерных СВЧ МИС; 3.

Экспериментально определены режимы одностороннего шлифования и полирования свободным абразивом обратной стороны приборных пластин сапфира и карбида кремния с изготовленными трехмерными СВЧ МИС; 4. Выполнен анализ влияния на злектрофизические параметры трехмерных СВЧ МИС комплекса разработанных решений по разделению приборных пластин сапфира и карбида кремния на отдельные кристаллы. На чная новизна результатов исследований состоит в следующем: 5.

Предложена методика, позволяющая определить диапазон конечных толщи н подложки для кристаллов сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах А1баХ/баМ на основе компьютерного моделирования и математических расчетов тепловыделения приборов и деформации пластины вследствие внутренних напряжений; 6, Предложен метод, позволяющий обеспечить надежную защиту сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах А1баХ/баХ со сложными конструктивными особенностями; 7.

Разработан технологический процесс разделения на кристаллы с верх высокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах А1баХ/баХ. Обоснованность и остове ность результатов исследований, основных положений и выводов, сформулированных в работе, базируется на анализе литературных источников по теме диссертации, обеспечивается применением математических моделей и компьютерного моделирования с использованием известных программ и формул, выполнением экспериментальных работ, сравнением теоретических и экспериментальных результатов, а также подтверждается полученными результатами исследований на практике. П актическая значимость на чных еэ льтатов заключается: 1.

В разработке технологического маршрута резки методом лазерного управляемого термораскалывания приборных пластин сапфира с монолитными интегральными схемами, который использовался при выполнении ОКР «Разработка комплекта монолитных интегральных схем 5 мм диапазона длин волн», шифр «Многоцветник-22», Государственный контракт №13411.1400099.11.018 от 02 апреля 2013 г. выполненный в рамках реализации государственного оборонного заказа. 2. В разработке технологического маршрута резки дисками с алмазной режущей кромкой приборных пластин карбида кремния с монолитными интегральными схемами, который использовался при выполнении ПНИ «Разработка базовой технологии создания МИС усилителей мощности и малошумящих усилителей на нитридных наногетероструктурах для приемо- передающих модулей на частоту 8-12 ГГц» по заказу Минобрнауки России (Соглашение о предоставлении субсидии № 14.607.21.0011 от 05 июня 2014 г., уникальный идентификатор проекта КГМЕН60714Х0011)з в рамках реализации федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014- 2020 годы», утвержденными постановлением Правительства Российской Федерации от 28 ноября 2013 г.

№ 1096. Полученные в лиееертании результаты реалнзоввназ в Лонлалах и обсуждениях на научно-технических конференциях и научных сессиях: э международных научно-технических конференциях 1ХТЕВМАТ1С (МИРЗА 2015, 2016 гг.) ° 63-ей научно-технической конференции МИРЗА 2014 г; ° З-ей, 5-ой и 6-ой научно-практических конференциях по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения» (Москва, 2013, 2014, 2015 гг.). Основные на чные ез льтаты, полученные автором в диссертации, нашли отражение в достаточном количестве опубликованных научных работ, в числе которых 13 печатных работ, включая 7 работ, опубликованных в научных журналах, входящих в перечень изданий, рекомендованных ВАК Министерства образования и науки РФ для публикации основных научных результатов диссертаций на соискание ученой степени доктора и кандидата наук.

Оценивая работу в целом, следует отметить ее целостность и лаконичность изложения материала. Диссертация хорошо оформлена, снабжена достаточным количеством иллюстраций и списком литературы. Структура работы логична и отвечает задачам исследований. Автореферат правильно и полно передает основное содержание диссертации, он оформлен в соответствии с требованиями ВАК России, стиль изложения способствует пониманию содержания работы. Однако работа не лишена некоторых недостатков: 1. В работе отсутствует экономический анализ и сравнение методов скрайбирования существующих и разработанного по стоимостным показателям.

2. Не проработан вопрос статистического контроля и регулирования технологического процесса ~настроенность, стабильность) разделения приборных пластин сапфира и карбида кремния с изготовленными на них трехмерными СВЧ МИС. 3. Отсутствуют акты внедрения разработанной технологии на предприятиях промышленности. Однако отмеченные недостатки не снижают значимости выполненной научно-квалификационной работы и не влияют на ее об ю положитель ю оценку, Выводы по диссертации: Представленная к защите диссертация является научно-квалификационной работой, в которой содержится новое ешение акт альной на чной за ачи заключаю ейся в аз аботке технологии аз еления и ибо ных пластин сап и а и ка би а емния на исталлы СВЧ МИС на гете ост кт ах А1СаМСаИ, имею ей важное значение ля обеспечения обо оноспособности с аны.

Диссертация соответств ет спе иальности 05.27,06 — «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», отвечает критериям ВАК Министерства образования и науки Российской Федерации, предъявляемым к кандидатским диссертациям, в технических на к. Официальный оппонент Начальник отдела НТЦ «Применения, разведывательных, информационных и управляющих систем» АО «РТИ» доктор технических наук В,К. Дорошевич Адрес: 8-го Марта ул., д. 10, стр.

1, г. Москва, 127083 Телефон:+71495)788-00-07, доб. 39-34 Е-п~а11:УОогозЬемсЬ(®оаог6,ги ~"~"~~ с~ ~ф 2017 г. Подпись официального оппонента Дорошевича В.К. заверяю. Ученый секретарь диссертационного совета ДСО 409.032. 01 при АО "РТИ" кандидат физико-математических наук А,А. Кочкаров о соответствии с п,п, 1 п, 9 «Положения о порядке присуждения ученых степеней», в части требований к кандидатским диссертациям, а ее автор, Трофимов Александр Александрович заел живает п ис ения еной степени кан и ата .