Отзыв на автореферат Тегаев (Технология разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaNGaN)
Описание файла
Файл "Отзыв на автореферат Тегаев" внутри архива находится в следующих папках: Технология разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaNGaN, Документы. PDF-файл из архива "Технология разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaNGaN", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
отзыв на автореферат диссертационной работы Трофимова А.А. «ТЕХНОЛОГИЯ РАЗДЕЛЕНИЯ НА КРИСТАЛЛЫ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫХ МОНОЛИТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ А10аХМаХ», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности О5.27.06 (Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов н приборов электронной техники) Диссертационная работа посвящена исследованию проблем разделения на отдельные кристаллы приборных пластин сапфира и карбида кремния с созданием на их основе современных СВЧ монолитных интегральных схем одновременным решением ряда конструктивных проблем. В результате были получены изделия с трехмерными структурами, разделенными диэлектрическими прослойками, что упростило разделение приборных пластин на кристаллы и привело к изменению технологии изготовления приборов на завершающих этапах производства, а также к значительному увеличению плотности элементов, .что в настоящее время в микроэлектронике является основной актуальной проблемой.
Таким образом диссертация выполнена на актуальную тему. В ходе работы был получен ряд важных результатов; предложена методика определения диапазона границ конечных толщин для пластин сапфира и карбида кремния, содержащих СВЧ монолитные интегральные схемы на гетероструктурах А10а1ЧЖа1ч.
-Разработана методика позволяющая решить проблему эффективного теплоотвода работающего прибора с сохранением эффекгивной остаточной толщины для сохранения целостности приборной пластины на различных этапах обработки. -Решена проблема защиты СВЧ монолитных интегральных схем со сложными конструктивными особенностями в процессе разделения пластин на кристаллы, основанном па применении системы двуслойного нанесения температурно совместимых полимеров. Предложен метод нивелирования перепадов рельефа обеспечивающий однородность план аризирующей плоскости, а также химическую инертносп на этапе утонения пластины.
Достоверность результатов работы подтверждается методологической платформой исследования, использованием современных прецизионных измерительных приборов, применением математических расчетов, впоследствии согласующихся с экспериментальными данными. Не вызывает сомнений практическая значимость исследования, которая заключается в том, что полученные результаты могут быть использованы при изготовлении современных приборов микроэлектроники на основе нитридных гетероструктур. Результаты исследования в достаточной степени отражены в научной печати, проделанная работа изложена в автореферате подробно и ясно, В целом диссертационная работа Трофимова А.А. является законченным самостоятельным научным исследованием, в ней получены оригинальные научные результаты. Работа выполнена на высоком научном уровне и соответствует требованиям ВАК Мннобрнауки РФ, предъявляемым к кандидатским диссертациям, а ее автор заслуживает присуждения ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.06.
Тегаев Р.И. начальник КБ2, АО «НПП «1'адий», к,ф.м,н. 125057, г. Москва, ул. Часовая, д.28 +7 962 968 12 99 .