Отзыв на автореферат Сейдман (Технология разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaNGaN)

отзыв на автореферат диссертации Трофимова Александра Александровича «Технологии разделении иа кристаллы сверхвысокочастотиых монолитных интегральных схем на гетероструктурах А!СаХЖаХ», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.0б — «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники» Структуры на основе С1аМ являются перспективными материалами для микроэлектроники СВЧ диапазона, Подложками для таких приборов в настоящее время выступают сапфир и карбид кремния.

В силу высокой твердости этих материалов до сих пор существуют определенные трудности при их обработке, Дело в том, что наличие на подложках сапфира и карбида кремния монолитных интегральных схем на основе гетеро структур А1баХ/ОаМ вынуждает производителей непрерывно совершенствовать подходы к разделению таких подложек на отдельные кристаллы с целью максимизации выхода годных, В связи с этим, тема диссертационной работы Трофимова А,А. несомненно является актуальной. В диссертационной работе получены важные научные результаты, касающиеся разделения пластины на отдельные кристаллы, содержащие СВЧ монолитные интегральные схемы со сложным рельефом на гетероструктурах А10аХ!баМ.

На основе расчета распределения температуры кристалла и упругих напряжений определен допустимый диапазон конечных толщин подложки для СВЧ МИС на гетероструктурах А1ОаЫ/баХ, позволяющий обеспечить эффективный теплоотвод во время работы ИС. Важно, что также предложен метод защиты приборов со сложным рельефом на подложке от механических воздействий в течение операций разделения на кристаллы. Достоверность полученных результатов обеспечивается согласованием расчетных и экспериментальных данных, а также сравнением и согласованностью с данными других исследовательских групп, Как небольшой недостаток автореферата можно отметить неудачность термина «разделение на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем».

Дело в том, что здесь имеется в виду не разделение самих интегральных схем, а разделение подложек их содержащих. Более уместно было бы «разделение подложек, содержащих сверхвысокочастотные монолитные интегральные схемы, на отдельные интегральные схемы». Тем не менее, автореферат в достаточной степени дает представление о выполненных исследованиях. Результаты диссертационной работы прошли надежную апробацию — опубликованы в печатных изданиях, входящих в список ВАК, а также докладывались на различных конференциях. Судя по автореферату, диссертационная работа Трофимова А,А.

удовлетворяет всем требованиям, предъявляемым ВАК РФ к кандидатским диссертациям, а ее автор заслуживает присуждения ученой степени кандидата технических наук по специальности 05,27.06 — «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники». Ведущий специалист по технолог м,=мс;т.н., с.н.с ~Сейдман Л.А,/ « ~~» сентября 2017 г, Место работы АО «ГЗ «Пульсар» Адрес: 105187, Москва, Окружной проезд, д.27 Тел. 3.9164614634, зеЫ1~$уак1ех.гц Подпись Сейдмана Л.А. заверяю. Начальник НИЦИТ ычкин Р.И./ .