Отзыв ведущей организации НИУ МИЭТ (Технология разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaNGaN)

УТВЕРЖДАЮ Проректор Национального исследовательского университета «Московский институт электронной техники» .т,н., профессор С.А. Гаврилов 2017 г. <<» ОТЗЫВ ВЕДУЩКЙ ОРГАНИЗАЦИИ Федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» на диссертационную работу Трофимова Александра Александровича «Технология разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах А!СаХЖаГ6>„ представленную на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27,06 — «Технологии и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники» Актуальность темы диссертации Диссертация Трофимова А.А. посвящена решению задач„связанных с проблемами разделения пластин сапфира и карбида кремния на кристаллы монолитных интегральных схем на основе гетероструктур А%А/С<аМ В настоящее время применение сапфира и карбида кремния в качестве является ~снохой для производства специализированных интегральных схем устойчивых ко многим внешним воздействующим факторам, что обуславливает перспективность их применения в сферах космо- и атомной энергетики, а также для специального назначения.

Вместе с тем технология обработки таких материалов как сапфир и карбид кремния существенно отличается от техно югии обработки кремния или арсенида галлия. Кроме того, современные сверхвысокочастотные монолитные интегральные схемы имеют новые конструктивные свойства и характеризуются увеличением плотности„ благодаря вертикальному размещению элементов; поэтому исследование технологии обработки пластин сапфира и кароида кремния с изготовленными на них интегральными схемами является актуальной задачей.

Структура и основное содержание работы Диссертационная работа Трофимова А.А. изложена на 162 страницах, состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы из 125 наименований. Во введении обоснована актуальность работы, сформулированы цель и задачи, дано краткое описание методов исследования, обоснованы научная новизна, практическая значимость и достоверность полученных результатов, представлена информация об апробации работы, личном вкладе автора и его публикациях.

В п~.„~вой,":лакее дан обзор соврем~~ного ~ос~оя~ия технол~~ии рез~и пластин на монолитные интегральные схемы. Приведены свойства подложек сапфира и карбида кремния, а также характерные особенности современных монолитных интегральных схем, изготовленных на таких подложках, Во впюрой главе рассмотрены теоретические вопросы, связанные с тепловыделением сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и деформации пластины вследствие внутренних напряжений.

Приведены расчеты зависимости температуры кристалла и прогиба пластины от материала и толщины подложки. Третья глава посвящена методам защиты монолитных интегральных схем со сложным рельефом. В четвертой главе приведены оптимальные режимы одностороннего шлифования и полирования свободным абразивом обратной стороны пластин сапфира и карбида кремния с готовыми монолитными интегральными схемами, установленные экспериментальным путем. Пялил алаьа посвящена разделению пластин сапфира и карбида кремния на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с применением различных методов, анализируется выход годных кристаллов и влияние комплекса обработки пластин на электрофизические параметры монолитных интегральных схем, В заключительной час>пи диссертации сформулированы основные результаты и выводы работы.

Разделы диссертации последовательно связаны между собой, экспериментальные результаты и их обсуждения логически изложены в соответствующих разделах диссертации, Научная новизна результатов работы В диссертационной работе получен ряд научных результатов, к которым следует отнести: 1. Новая методика, позволяющая определять диапазон конечных толщин подложки для кристаллов сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах А1баМ/баМ на основе компьютерного моделирования и математических расчетов тепловыделения приборов и деформации пластины вследствие внутренних напряжений; 2. Новый метод, позволяющий обеспечить надежную защиту сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах А1баХ/баМ со сложными конструктивными особенностями; 3.

Разработанный технологический процесс разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах А1СаМбаХ. В качестве основного результата следует рассматривать метод разделения на кристаллы трудно поддающихся обработке пластины сапфира и карбида кремния, содержащие трехмерные сверхвысокочастотные монолитные интегральные схемы. Выход годных не уступает известным показателям для планарных приборов. Достоверность результатов и обоснованность выводов Достоверность выводов и результатов диссертации не вызывает сомнений.

Материал диссертации изложен четко, работа достаточно хорошо структурирована и оформлена. Полученные экспериментальные результаты сопровождаются теоретическими расчетами и описанием компьютерного моделирования процесса, Результаты работы доложены и обсуждены на международных и российских научных конференциях. По теме диссертации опубликовано 13 работ, из которых 7 - в изданиях, рекомендованных ВАК РФ. В представленных публикациях полностью отражены результаты диссертационной работы. Содержание автореферата полностью соответствует диссертационной работе Трофимова Александра А1ександровича. Практическая значимость полученных результатов Приведенные в диссертации результаты использовались ИСВЧПЭ РАН при выполнении опыгно-конструкторских работ «Разработка комплекта монолитных интегральных схем 5 мм диапазона длин волн», выполненных в рамках реализации государственного оборонного заказа, а также при выполнении прикладных научных исследований «Разработка базовой технологии создания МИ С усилителей мощности и малошумящих усилителей на нитридных наногетероструктурах для приемо-передающих модулей на частоту 8-12 П ц» по заказу Минобрнауки России.

Полученные результаты могут быть использованы в таких организациях как ОАО «НПП Пульсар», ПАО «НПП Сапфир», Государственный научный центр Российской Федерации Федеральное государственное унитарное предприятие «Центральный научноисследовательский институт химии и механики». По диссертационной работе Трофимова А.А. имеются следующие замечания: Диссертационная работа оформлена в соответствии с требованиями «Правил по присуждению ученых степеней». Положительно оценивая диссертацию в целом, можно отметить следующие недостатки: 1.

В своих исследованиях диссертант использует современные методы анализа, однако в диссертационной работе не приводит их физической интерпретации. Само по себе использование современных методов не может быть целью работы и представлять ценность. Приведены измерения шероховатости поверхности обработанной обратной стороны пластин сапфира и карбида кремния, но нет исследований и данных по измерению нарушенного слоя. 2. Отсутствуют данные по измерению температуры работающей СВЧ МИС в корпусе на расчетной толщине кристалла. Использованы уникальные возможности проведения анализа поверхности объектов исследования с помощью электронной микроскопии, к сожалению, без должной их интерпретации ~рис.

47, 48). Некоторые графики затруднены для зрительного восприятия, например рис. 34, рис. 49, рис. 55. Данная работа оформлена на хорошем техническом уровне, однако все же Встречаются грамматические ошибки и опечатки. Тем не менее, указанные замечания не снижают общий высокий научный уровень выполненной работы и практическую значимость полученных результатоВ, ВЫВОДОВ и заключения. Все замечания носят рекомендательный характер и могут быть учтены автором в дальнейшей деятельности. Заключение о работе Директор института НМСТ НИУ МИ доктор технических наук, профессор СЛ. Тимошенков Адрес: 124498, г.

Москва„г. Зеленоград, пл. Шокина, дом 1, Телефон: ~499) 731-44-41. Б-таБ: ирЯт~цаш Диссертация Трофимова А,А. «Технология разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах АИаХ/баХ», представленная на соискание ученой степени кандидата технических наук„ является научно-квалификационной работой на актуальную тему.

В ней получен ряд новых и полезных результатов. Выводы и рекомендации работы достаточно обоснованы. Анализ публикаций автора показывает, что основные результаты диссертации достаточно полно опубликованы в научных журналах, входящих в перечень ВАК. Результаты работы доложены и обсуждены на российских и международных конференциях. Диссертационная работа по своему научному уровню, значению и достоверности результатов полностью соответствует требованиям ВАК РФ, предьявляемым к кандидатским диссертациям по специальности 05.27.06 - — <сТехнологии и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», а ее автор Трофимов А.А.

заслуживает присуждения ему ученой степени кандидата технических наук. Диссертация обсуждалась на научном семинаре института НМС*Г №„,'? от 19 сентября 2017 г. .