Отзыв д.т.н. Садковского (Научно-методические и физико-технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах)

Кеелулессееая регеее>ееееееьеееея е>е>еееесе>еееееееееея >егер)ееее>-н!ехееее(еесееал оргаеееезаееиее е(Регноаеенвееене .4>сее()ечеея нре»!ее>ееееееееееее>ее эко;!огне!» (КРО ОТО «РАПЭ») 248021. Г.К)ьзу! а, ул.Московская. д.241,ком.5 Е-п)а11; ! 01 2ь!)р '(й! Нп)Ы ег. гц Оз зь)в на авз оре(1)ерат Писссртапии )!(ура в>)свой (1)обови Михай)л овны па .Гему ((Наусп)о-х)езолическис и физико-гехпологичсскис принципы создания Оп ) 0).'и к)ропп ых устрой с)В НОГИ) ГО поко.')снп51 па х)одифнцироВаппых наносгруктурах», представле)п)ую на соискапис учс)н>й с)специ докгора гсхппчсских наук по спепиальности 05.02.22 Органи)ация производства !в Области раз)иоэлектропики) Диссертация посвящена ак!уальным Направлениях) формирования научно- методических и физико-техпол(н и !ескпх приш)илов и рдзраб(пки путей пх реализации создания о)ггоэлектропных устройств ново)о поколепия на модифицированных напострукгурах, Сре;.)и ва>кнейп)их 1)ауч)п,)х практи1!Сок)) зпачимых рсзульта)ов слслуст выделит!и 1, !'азработанпые автором ш>выс нау шо-мсголическне и физико- гсхполоп)чсскис принципы разработки.

Произволе>л)а и применепия изотопичсскпх напоструктур как функциональной среды оп)оэлекгропных усср()йс)в пового поко>)епия и соотВетстнующих тсхно>10! ичсскпх процессОВ, !) так>хе содср>канис ОазОВых ') ГапОВ тьхпологического маршрута ИОВОГО паправлени>1 проектированп5) произволствеппо-) схнологичсских процессов изго говлепия полупроволпиковых хпггсриа.)ов па основе изотопов исхолных химических ')лсх)оптов. 2.

Со>лацис нОВО)0 изотопичсско)О х)атериала л;151 Оптоэлск Тропики и;) б)Г)с реализации свсрхрешетки. зна )итсльно повьппающего качссгво пролукцпи: увеличение бысзролейсз.вия. Повьппеш)с скорости носителей заряла. спи>кение ИНЕРЦИОННОСТИ. УМЕИЫ!)ЕПГ!С ОП'1'ИЧ)'.СКИХ ПО)5СРЬ И ЛР, 3, Разработка новоп> физико-)ехпо>пп и )секо! о способа и и оговлснпя изотог)и)сских папосгруктур с помо)цыо пучка тепловых нсйгрош)в, спос(гбпого п)ачительно повысп Гь н!)фсктивпост)~ Опто:>;)ск Гронпых ус Гройс'ГВ. 4. с~здание м(.толики оценки >)ффсктивности нова[-а х[йтериа)!а и анализа '!ехнических решений его изготовления. К научной новизпс, и том !ислс защищенной патентами, мо>кно о'!нести: 1. Ф![зи[са-зсх!и)>!0[И1!Сские о~но~ы новых эффекгивн!Ях направлений раз~ити~ базовых:>лсментов.

Приборов и устройств о!позе!екгроники на принципиально новых функциональных средах - изотоничсских нанос!руктурах (сверхре!Пет!(йх пы основе изоте>пов исходных химических элементов кремния. [срманпя, углерода, пзпповлепных с помоп[ыо пучка тепловых пейтрс>нов[, по!волан>щпх повысип, гехничсский уровень оптогп!сктро!иых устройств за счс !' уГ>(,';1и'гения с[со!)Ости и ух!ен! !пени>! рассеяпи>! Па Г[е(1)ск'1ых носитсл('.Й 'НЦ)Я)[с!.

2. Научно-ме.!.одические рекомендации для повышения качес!ва о!повлек!раиных устройств на осщ>нанни исследований оп гоэлек!раиных харакгерис!ик новой функциональной среды с помощью ф!и!!!кома!СМВГичес!(010 мал("..Ти(>ования, ы также Оц(пки >(~)(!>Ск!Ввцс>с>и ПОВО!О изотопическо!о материала лля увеличения скорости нсрсда !и информации и пропускной способное!и во;!окопно-о!пи шских сисгсм. 3. 'реоре(и !Сс!(с[я значимость нолучс!щых резуль!т!тов закгио кается в создании концсгпуальпых оспс>в и принципов получения функциональной среды оптоэлектронных устройств нс>ваго покалепия ны новых физика[схно !а! В~>сс!(их п(>Иннин !х, «Го 5!В !5!стоя ы!сг>альнаЙ з !Явной соврех(синс>~ О этапа развития огпоэг(ек гран пки. Практический интерес представля!От разрыбо!аннь!с принщщы ка !ествепно новых техно![ОГичсских процессов прав и!О;[с 1!и! О!и О)лскг()аниых > с ГРОЙС! В с Высакимп '! охни'!сскими т()ОВИ5(ми па Оснайн1[м пакаЗы Гс.'!ях( функцианироВыи ия.

В качестве замечаний по 5[насер(тп[ии с)шдует >!х!Стит! слсдугапгсе:представлены поисково-прикладная работа по разработке нринцинов и направлений реализации в !ехнолог!(чес!сих процессах создания иззелий апп>электроники, а не сами производственно-технологические процессы кс)не шаго продукта, Указанные замечания не снижают цени Ости работы. В це))ом, лиссертаци51 Журав:)евой Л,М. яв))яется закончснноЙ иссе)слов)))ельской работой, Носах)ленной рен)ени)о актуял)н)ой нам~)ной заз)ачи, Ес но.)ожсч)ия и выводы отли )ак)тся научной новизной.

теоретической и практической значимостью, обоснованност! ю и ЛОСТОВСРНОСТЬ, Диссертация отис'н)ст всем )рсбовяниям ВЛК Минобразования и ))аукп РФ. предъявляемым к работам на соискание ученой степени доктора технических наук. а ее ав)ор, Журавлева Любовь Михайловна. заслуживает нрису)клення ученой стенени лок)ора тсхнических наук НО снсциальности 05.02.22 ОРГанизяци51 производства 1в области радиоалсктроники1, ! 1рсзилен.т 1хРО В РО «РЛ1!Э)5 Л,т.н,.

Црофсссор Б.1!ООалковский .