Отзыв ведущей организации (Научно-методические и физико-технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах)

УТВЕРЖДАЮ: Первый проректор, проректор по научной и инновационной работе Федерального государственного бюджетного образова- тельного учреждения высшего профессионального образования «Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая'Григорьевича Столетовых» (ВлГУ) д.ф.-м.н., профессор ,У'-'. ':~ .- .;,...'-"' Валерий Григорьевич Прокошев «/~ » ~"У 2015 .. '„'.,'- '. ' '"'-':"-': ',".'",:;='4 ОТЗЫВ ведущей организации Федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых» на диссертационную работу Любови Михайловны Журавлевой на тему «Научно-методические и физико-технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах», представленную на соискание ученой степени доктора технических наук по специальности 05.02.22 — Организация производства (в области радиоэлектроники).

Диссертационная работа Л.М. Журавлевой посвящена актуальной проблеме создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах. Разработка и реализация важнейших направлений электронной промышленности имеют ключевое значение для долгосрочного социально- экономического развития Российской Федерации. Особую роль играют высокоскоростные телекоммуникационные технологии по волоконно- оптическим системам передачи (ВОСП).

Одним из приоритетов является повышение эффективности ВОСП. Главное направление — это совершенствование базовых элементов ВОСП путем разработки и производства материалов, технологий изготовления и конечных оптоэлектронных устройств. Особую значимость в обеспечении высокого качества функционирования ВОСП имеет создание элементной базы оптоэлектроники на новых физико- технологических принципах. При переходе к новым уровням развития оптоэлектроники эффективность ВОСП определяется возможностями нанотехнологий формирования наноструктур как функциональной среды качественно новых базовых элементов.

При этом существенное значение имеет разработка технологических процессов промышленного производства более совершенных наноструктур. Это и определяет актуальность диссертационного исследования Л.М. Журавлевой. Для достижения поставленной цели создания научных и технологических основ разработки принципов создания оптоэлектронных устройств нового поколения в диссертационной работе решаются следующие основные научные задачи: е исследование основных факторов, влияющих на пропускную способность ВОСП; ° разработка и исследование научных и методических принципов повышения эффективности разработки и производства оптоэлектронных устройств на основе сравнительной оценки разрешающей способности различных нанотехнологий, в том числе изотопической; ° разработка новой эффективной промышленной технологии производства изотопических наноструктур для оптоэлектронных устройств на основе тепловых нейтронов; ° моделирование многослойных изотопических структур и технологических процессов их создания; ° разработка научно-методических основ проектирования изотопических наноструктур (ИНС) и технологий производства для оптоэлектронных устройств; е экспериментальные исследования оптоэлектронных характеристик новых функциональных сред на базе ИНС; ° исследования повышения технического уровня и качества оптоэлектронных устройств на основе ИНС: — оценка эффективности применения ИНС для увеличения пропускной способности ВОСП; - исследование возможностей изотопического способа промышленного получения полупроводникового графена для ИНС; ° разработка и внедрение методов комплексного анализа качества наноструктур на основных этапах жизненного цикла ИНС.

Научная новизна диссертационного исследования заключается в следующем: 1. Разработано новое научно обоснованное направление развития производства базовых элементов оптоэлектроники и ВОСП: изотопические наноструктуры, позволяющие увеличить пропускную способность не менее чем на порядок за счет снижения геометрических размеров и повышения подвижности носителей заряда. 2. Предложена новая технология, повышающая эффективность производства наноструктуированного материала для оптоэлектроники.

3. Создана модель производственно-технологического процесса изготовления наноструктур из изотопов кремния с использованием тепловых нейтронов, осуществлен анализ технических решений всей технологической цепочки изготовления ИНС, и определены пути их реализации. 4. Разработан изотопический способ получения полупроводникового графена„повышающий качество элементной базы оптоэлектроники. 5. Сформулированы рекомендации для повышения качества оптоэлектронных устройств на основании исследований оптоэлектронных характеристик изотопических многослойных структур. 6.

Разработана и реализована методика оценки эффективности технологии изготовления, применения ИНС и изотопического материала. 7. Разработаны методики проектирования технологического процесса и новых материалов с применением физико-математического моделирования. Практическая значимость диссертации состоит в том, что на основании предложенных и разработанных принципов созданы качественно новые технологические процессы производства оптоэлектронных устройств с высоким техническим уровнем по основным показателям функционирования.

Разработанные изотопические наноструктуры увеличивают на порядок пропускную способность ВОСП. Получение полупроводникового графена позволяет перейти к новому этапу развития микроэлектроники. Практическая значимость работы подтверждается тем, что результаты диссертационного исследования внедрены в теоретические разработки инновационного предприятия при Московском государственном университете путей сообщений, в проекты новых разработок ВОСП, выполняемых ООО «Наука-Связь», используются при изучении дисциплин «Нанотехнологии в телекоммуникациях» и «Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства>> в Московском государственном университете путей сообщений. Диссертационное исследование, выполненное Л.М.

Журавлевой, соответствует паспорту специальности 05.02.22 - Организация производства (в области радиоэлектроники). Обоснованность и достоверность полученных научных результатов и рекомендаций обусловлена корректной постановкой задачи, и подтверждена использованием апробированного математического аппарата, а также сравнением прогнозируемых результатов с полученными экспериментальными результатами. Основные результаты исследования опубликованы в 60 печатных работах, в том числе в 3 монографиях и 23 статьях, рекомендованных ВАК для диссертационных работ, а также прошли успешную апробацию на научных конференциях.

Следует положительно отметить, что результаты четырех новых способов изготовления материалов Журавлевой Л.М. запатентованы. В диссертационной работе получены новые научные и практические результаты, которые рекомендуется использовать при разработке и промышленной реализации приемо-передающей аппаратуры ВОСП.

К ним можно отнести: предложенные принципы разработки, производства и применения изотопических наноструктур как функциональной среды оптоэлектронных устройств нового поколения, в том числе ВОСП, и соответствующих производственно-технологических процессов; определенные базовые этапы технологического маршрута нового направления проектирования производственно-технологических процессов изготовления полупроводниковых материалов на основе изотопов исходных химических элементов; - предложенный новый изотопический материал для оптоэлектроники на базе модели сверхрешетки, значительно повышающий качество продукции ~оптоэлектронных устройств); - разработанную методику проектирования изотопических сверхрешеток ~ИСВР) и моделирования производства нового материала с заранее заданными характеристиками; предложенный новый физико-технологический способ изготовления изотопических наноструктур с помощью пучка тепловых нейтронов, способный значительно повысить эффективность оптоэлектронных устройств; - разработанный новый способ получения полупроводникового графена, повышающий конкурентную способность новых оптоэлектронных устройств.

Автореферат полностью отражает основные результаты, полученные в диссертационной работе. По работе Журавлевой Л.М. имеются и отдельные замечания, а именно: 1. Сравнительный анализ характеристик различных видов нанотехнологий формирования квантовых структур осуществлен без учета экономических показателей. 2. Численные значения повышения уровня показателей качества базовых элементов ВОСП на ИСВР определены только по нижней границе возможных значсний.