Отзыв Черемисин (Научно-методические и физико-технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах)
Описание файла
Файл "Отзыв Черемисин" внутри архива находится в следующих папках: Научно-методические и физико-технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах, Документы. PDF-файл из архива "Научно-методические и физико-технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой докторскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени доктора технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
отзыв на автореферат диссертации УКуравлевой Любови Михайловны «Научно-методические и физико-технические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных нанаструктурах». представленной на соискание ученой степени доктора технических наук па специальности 05.02.22 — Организация производства (в области радиоэлектроники) Диссертация посвящена актуальным вопросам формировиц1я научно- методических й физико-технологических принципов создания оптоэлектронных устройств нового поколения на основе модифицированных нанаструкту)э, Решение поставленной задачи имеет ключевое значение для развития оптоэлектроники и элементной базы высокоскоростного телекоммуникационного оборудования, в первую очередь оптоволоконных систем передачи информации (ВОСП).
Основными научными результатами работы являются: — создание нового изатопическога материала для оптоэлектронной прамь»шленности на базе реализации модели сверхрешетки, чта позволит значительна повысить качество оптоэлекгронных компонентов; разрабатаны основы новой технологии изготовления изатацическнх наноструктур и полупроводникового графсна с помощью пучка тепловых нейтронов, что мажет привести к значи;гельнаму улучшеник» характеристик оптоэлектронных устройств; - предложена новая методика проектирования и оценки эффективное ни нового магериала, приведены результаты анализа технических решений для ега изготовления.
Научная новизна работы заключается в новых научных результатах, имеющих важное значение для развития российской нанаэлектраники. Г1рактическая ценность работы заключается в разработанных принципах качественно новых технологических процессов производства оптоэлектронных устройств. Результаты диссертационного исследования в достаточной мере апробированы на канференцизх и опубликованы в научных изданиях, В качестве замечаний с. сдует отметить: - на стр. 13 реферата формула (3) не является, как пишет автор «зависимостью Шеннона», ь лишь деривативам формулы из известной теоремы Шеннона о пропускной способности канала; автор допускает неоднозначное ислользование терминов теории информации, в частности для одного и того же канала (оптоволоконной линии) пречпалагает наличие нескольких пропускных спасобнастеи, чта противоречит теореме Шеннона (стр.
14); здесь следует уточнить, что, используя разные виды модуляции ('1Т»М, %ГЭМ), мы можем приближаться к теоретическому порогу пропускной способности оптоволокна, определенным Шенноиом, в болыпей или меньшей с еепени. Отмеченные замечания не снижают значимости выполненных исследований и не втияют на резульгаты диссертационной работы, которые представляются достоверными. Судя по автореферату, диссертационная работа «Научно-методические физико-технические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах» озвечает требованиям Положения о присуждении ученых степеней, утвержденного Постановлением Правительства РФ от 24.09.2013 г.
№ '842, является законченной научно-квалификационной работой, в которой изложены новые научно обоснованные технические и технологические решения, направленные на пбвышение качества электронных компонентов, внедрение которых вносит значительный вклад в развитие страны, а ее автор, Журавлева Л. М., заслуживает грисуждения ученой степени доктора технических наук по специальности 05.02.22 — Организация производства (в области радиоэлектроники). Директор НИИ энергосбережения на железнодорожном транспорте ФГБОУ ВПО «Омский государственный уни ет путей сообщения», доктор технич ких на к, профессор~».
,е.~ ~- ~ В.Т. Черемисин Щ ~//' 3 (тел. (3812)3 ! 1344, пац!са(а)ощщпз,п1, 644046, г, Омск, пр. К. Маркса, 35) Начальник отдела «Нанотехнологии» ФГБОУ В110 «Омский государственный университет путей сообшения>, канд. технических наук, доцещ .... ~ . . ' С.С. Грнцутенка !с) э,3 (тел. (3812)3 ! 1344, па~йа~а1ощацрз.гп„ 644046, г. Омск, пр. К. Маркса, 35) ко заверяю Подписи В.Т. '1ере Начальник УКД и 1 О. Н, Попова .