Отзыв Рыжков (Научно-методические и физико-технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах)

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ РЕПЕВАЬ СОМЗИЪ1САТ1ОМ$ АСЕХСУ ОР тне яп881А)ч РепеВАт1Оя »ИВЕР аз сн, Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение выснгего образования МОЗСО%' ТЕСНЖ$САЬ 11Гч1УЕЯ81ТУ ОР СОММЮЫСАТ!О!я 8 АХП 1ХРОКМАТ1С8 (МТ1) С1) «московский технический УНИВЕРСИТЕТ СВЯЗИ И ИНФОРМАТИКИ» (мтуси) ул. Авиамоторная, д. 8а, Москва, 111024, ач»зелвгосбгн; мтуси.рф емнав: !галс®гогос1.гн Телефон ЦДО (495) 957-77-31; факс (495) 957-77-36 ОГРН 1027700117! 91; ИНН'КПП 77220008201772201001; ОКПО 01179952; ОКВЭД 80.30, 80.42, 22.15,51.19,64.20,73.10.; ОКАТО 45290564000 На№ отзыв на автореферат диссертации Журавлевой Любови Михайловны на тему «Научно-методические и физико-технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах», представленную на соискание ученой степени доктора технических наук по специальности 05.02.22 Организация производства (в области радиоэлектроники).

Диссертация посвящена решению актуальных задач формирования физико-технологических принципов и разработки их реализации создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах. Поставленные задачи является одним из приоритетов развития оптоэлектроники, позволяющие повысить технический уровень оптоэлектронных устройств, волоконно-оптических систем передачи информации (ВОСП) и других систем на их основе. При решении этих вопросов существенное значение имеет создание перспективных базовых элементов на новых физико-технологических принципах. Поэтому весьма интересными являются предложенные и разработанные в работе идеи формирования в качестве функциональной среды материала оптоэлектроники наноструктуры из изотопов исходных химических элементов с помощью пучка тепловых нейтронов. Для поставленной цели в диссертации решены следующие научные задачи: 1.

Исследованы основные факторы, влияющие на технический уровень базовых элементов ВОСП. 2. Разработаны и исследованы научные принципы повышения эффективности производства оптоэлектронных устройств. З.Разработан программно-вычислительный комплекс для физико- математического моделирования оптоэлектронных характеристик нового функционального материала на базе изотопических наноструктур.

4. Разработаны научно-методические основы проектирования новой функциональной среды и технологии ее изготовления. В диссертации получены следующие новые результаты: 2. Разработаны основы новой технологии наноструктуированного материала с пучка тепловых повышающей качество производства изделий оптоэлектроники. изготовления нейтронов, 3. Разработаны и реализованы методики оценки эффективности технологии изготовления и применения изотопических наноструктур для повышения технического уровня ВОСП. 4. Разработаны методики проектирования технологического процесса и новых функциональных материалов с применением физико-математического моделирования.

Практическая значимость научных результатов заключается в обосновании создания производственно-технологических процессов изготовления оптоэлектронных устройств нового поколения на изотопических наноструктурах, позволяющих значительно повысить технический уровень базовых элементов, пропускную способность и скорость передачи информации. В качестве замечаний по автореферату следует отметить: 1. Недостаточно четко сформулирован вывод по таблице 7 (с. 29), отражающей увеличение пропускной способности ВОСП за счет использования изотопических сверхрешеток.

1. Разработано новое научное направление развития производства базовых элементов оптоэлектроники и ВОСП на основе модифицированных наноструктур. 2. Необходимы дополнительные пояснения к содержанию рисунка 16 (с 30). Указанные замечания не снижают ценности работы. Результаты диссертации достаточно обоснованы, достоверны и представляют собой законченное научное исследование. Ее положения и выводы отличаются научной новизной, теоретической и практической Главный научный сотрудник НИЧ МТУСИ доктор технических наук, профессор ~жков « ~М> сентября 2015 г. ~жкова А.В. заверяю Подпись доктора технич Проректор МТУСИ по научной работе В.С.

Алешин значимостью. Диссертация отвечает всем требованиям ВАК Минобразования и науки РФ, предъявляемым к работам на соискание ученой степени доктора технических наук, а ее автор, Журавлева Любовь Михайловна, заслуживает присуждения ученой степени доктора технических наук по специальности 05.02.22 Организация производства ~в области радиоэлектроники). .