Отзыв НИИАС (Научно-методические и физико-технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах)

отзыв на автореферат диссертации Журавлевой Любови Михайловны на тему «Научно-методические и физико-технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах», представленную на соискание ученой степени доктора технических наук по специальности 05.02.22 Организация производства (в области радиоэлектроники) Разработка и реализация важнейших направлений развития радиоэлектронной промышленности имеют ключевое значение для долгосрочного социально-экономического развития Российской Федерации.

Особую роль играют высокоскоростные телекоммуникационные технологии, реализуемые по волоконно-оптическим системам передачи информации ~ВОСП). Одним из приоритетов улучшения качества ВОСП является увеличение пропускной способности, скорости передачи информации и других функциональных параметров, что особенно важно для систем железнодорожной связи, обеспечивающей безопасность движения поездов и оперативное управление перевозочным процессом.

Для достижения этой цели необходимо совершенствование базовых элементов ВОСП путем создания новых оптоэлектронных устройств на новых физико- технологических принципах с улучшенными характеристиками. При этом наибольший эффект достигается за счет использования нанотехнологий и наноструктур как функционального материала конечных изделий. Поэтому диссертация, посвященная актуальным направлениям разработок и производству функциональной среды материалов, технологий и изделий оптоэлектроники, необходимых для повышения технического уровня ВОСП, является весьма актуальной.

Следует выделить следующие наиболее важные результаты диссертации: 1. Научно-методические и физико-технологические основы и принципы разработки, производства и применения изотопических наноструктур как функциональной среды оптоэлектронных устройств нового поколения для ВОСП, значительно повышающих пропускную способность и скорость передачи информации.

2. Методика проектирования изотопических сверхрешеток и моделирования производства нового материала с заранее заданными характеристиками. 3. Методика оценки эффективности модифицированных наноструктур для повышения технического уровня и качества оптоэлектронных устройств нового поколения и ВОСП на их основе. 4.Новые технологические основы получения сверхрешеток с помощью пучка тепловых нейтронов.

К научной новизне следует отнести предложенное автором новое научное направление развития производства оптоэлектронных устройств на базе изотопических наноструктур, позволяющих увеличить пропускную способность не менее чем на порядок. Так, в результате исследований: 2) разработан новый способ получения полупроводникового графена; 3) разработаны и реализованы методики оценки эффективности проектирования новой функциональной среды и технологии ее изготовления; 4) сформулированы рекомендации для повышения качества оптоэлектронных устройств на основании исследований оптоэлектронных характеристик изотопических многослойных структур. Теоретическая значимость обосновании создания полученных результатов заключается в производственно-технологических изготовления изотопических наноструктур, повышающих уровень базовых элементов ВОСП.

процессов технический Практическая значимость полученных результатов заключается в разработке основных принципов новых технологических процессов производства оптоэлектронных устройств с высокими качественными показателями, которые позволяются значительно повысить технический уровень базовых элементов (уменьшение полосы излучения полупроводниковых лазеров, увеличение чувствительности фотоприемников и скорости модуляции оптических модуляторов) и ВОСП на их основе (скорость передачи информации, пропускная способность и т.д.).

В качестве замечания следует отметить следующее. Автором показано, что применение модифицированных наноструктур приводит к повышению на порядок и выше пропускной способности ВОСП, но не определены предельные возможности повышения скорости передачи 1) разработана новая модель производственно-технологического процесса изготовления наноструктур из изотопов кремния с использованием тепловых нейтронов; информации в случае реализации предложенных авторов новых физико- технологических принципов создания оптоэлектронных устройств (в составе ВОСП). В целом, диссертация Журавлевой Л.М.

является исследовательской работой, посвященной решению задачи. Ее положения и выводы отличаются теоретической и практической значимостью, законченной достоверностью. Диссертация отвечает всем требованиям ВАК Минобразования и науки РФ, предъявляемым к работам на соискание ученой степени доктора технических наук, а ее автор, Журавлева Любовь Михайловна, заслуживает присуждения ученой степени доктора технических наук по специальности 05.02.22 Организация производства (в области радиоэлектроники). А.М. Вериго Начальник отдела ОАО «НИИАС» кандидат технических наук О.К.

Васильев Указанное замечание не снижает ценности работы. Главный научный сотрудник ОАО «НИИАС», кандидат технических наук актуальной научной научной новизной, обоснованностью и .