Заключение организации (Научно-методические и физико-технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах)

аучной работе ЖТУ МИРЭА Сотовьев И.в. яя„' 2о15 . ЗАКЛЮЧЕНИЕ федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Московского государственного университета радиотехники, электроники и автоматики» Докторская диссертация «Научно-методические и физико- технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах» выполнена на кафедре «Радиолокация и радионавигация» Федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики» МГТУ 1МИРЭА) и на кафедре «Автоматика, телемеханика и связь на ж.длрансп.» Федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Московский государственный университет путей сообщения» МГУПС 1МИИТ) Журавлева Любовь Михайловна, доцент кафедры «Автоматика, телемеханика и связь на железнодорожном транспорте» МГУ ПС 1МИИТ), окончила в 1972 МИИТ по специальности «Автоматика, телемеханика и связь на ж.д.

трансп., 1977 году защитила кандидатскую диссертацию по специальности кЭлементы и технические средства управления н регулирования»„работает в звании доцента с 1985года. По итогам обсуждения принято следующее заключение: 1. Личное участие соискателя в полученнп результатов, нзложенньи в диссертации.

При получении основных научных результатов автором лично решены следующие задачи: 1) определение и исследование основных факторов, влияющих на пропускную способность ВОСП; 2) разработка и исследование научных и методических принципов повышения эффективности разработки и производства оптоэлектронных устройств на основе сравнительной оценки разрешающей способности различных нанотехнологий, в том числе изотопической; 3) разработка новой высокоэффективной промышленной технологии производства изотопических наноструктур для оптоэлектронных устройств на основе тепловых нейтронов с помощью облучения тепловыми нейт1эонами; 4) физико-математическое моделирование многослойных изотопических структур и технологических процессов их создания; 5) разработка научно-методических основ проектирования ИНС и технологий производства для оптоэлектронных устройств; 6) экспериментальные исследования оптоэлектронных характеристик новых функциональных сред на базе ИНС; 7) исследования повышения технического уровня и качества оптоэлектронных устройств на основе ИНС: оценка эффективности применения ИНС для увеличения пропускной способности ВОСП; исследование возможностей изотопического способа промы~~е~~ого получения полупроводникового графена для ИНС, 9) разработка и внедрение методов комплексного анализа качества наноструктур на основных этапах жизненного цикла ИНС.

2. Степень достоверности результатов проведенных исследований обусловлена корректной постановкой задачи, принятыми допущениями и ограничениями, подтверждена использованием апробированного математического аппарата теорий волновых процессов и оптических волноводов, мезоскопической и ядерной физики, теории информации, математического моделирования, сравнением прогнозируемых результатов с расчетами вычислительных и натурных экспериментов. Результаты работы были доложены и получили одобрение на научнопрактических конференциях. 3.

Новизна и практпческаа значимость проведенных исследований. Научную новпзну диссертации представляют следующие основные результаты: 1. Разработана новое научно обоснованное направление развития производства базовых элементов оптоэлектроники и ВОСП: изотопические наноструктуры, позволяющие увеличить пропускную способность не менее чем на порядок за счет снижения геометрических размеров и повышения подвижности носителей заряда. 2. Разработана новая технология, повышающая эффективность производства наноструктуированого материала для оптоэлектроники на базе изотопов исходных химических элементов: кремния„германия, углерода. 3. Разработана новая модель производственно-технологический процесса изготовления наноструктур из изотопов кремния с использованием тепловых нейтронов, осуществлен анализ технических решений всей технологической цепочки изготовления ИНС и определены пути их реализации.

4. Разработан изотопический способ получения полупроводникового графена, повышающий качество элементной базы оптоэлектроники. 5. Сформулированы рекоме~дац~~ для повышения качества оптоэлектронных устройств на основании исследований оптоэлектронных характеристик изотопических многослойных структур, 6, Разработана и реализована методика оценки эффективности технологии изготовления и применения ИНС и изотопического материала.

Дана оценка повышения скорости передачи информации, пропускной способности ВОСП за счет использования изотопическнх наноструктур. 7. Разработаны методики проектирования технологического процесса и новых материалов с применением физико-математического моделирования. Практическая значимость результатов диссертационных исследований заключается в создании качественно новых технологических процессов производства оптоэлектронных устройств с высоким техническим уровнем по основным показателям функционирования. Разработанные изотопические наноструктуры увеличивают на порядок пропускную способность ВОСП.

Получение полупроводникового графена позволяет перейти к новому этапу развития микроэлектроники. В целом, результаты работы повышают технический уровень и конкурентноспособность базовых элементов В ОСП. Результаты внедрены в теоретические разработки инновационного предприятия при МГУПС ~МИИТ), в проекты новых ВОСП 000 «Наука-Связь», используются при изучении дисциплин «Нанотехнологии в телекоммуникациях» и «Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства» МГУПС (МИИТ). 4. Ценность научных работ соискателя заключается в принципиальном вкладе автора в обосновании создания новых производственно-технологических процессов изготовления оптоэлектронных устройств нового поколения на изотопических наноструктурах, позволяющих повысить технический уровень базовых элементов, пропускную способность, скорость передачи информации ВОСП.

В работе приводится обоснование целесообразности использования изотопической структуры исходного вещества для улучшения технических характеристик оптоэлектронных устройств, Указаны преимущества таких наноструктур, показана их эффективность в повышении пропускной способности ВОСП. Дан физико-теоретический анализ изотоп ичес кого метода получения полупроводникового графена и перспективности применения в электронике. Разработан способ формирования изотопических наноструктур с применением потока тепловых нейтронов, Разработана методика проектирования изотопических сверхрешеток и технологии их изготовления. Показана возможность создания наноструктур с помощью разных изотопов одного и того же химического элемента и использования их для оптоэлектронных устройств.

5. Специальность, которой соответствует диссертации. Диссертационная работа «Научно-методические и физико- технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах»„ представленная Журавлевой Любовью Михайловной на соискание ученой степени доктора технических наук, соответствует специальности 05.02.22 — «Организация производства в области радиоэлектроники».

6, Полнота изложения материалов диссертации в работах, опубликованных соискателем. Результаты диссертационной работы достаточно полно изложены в печатных изданиях, среди которых две монографии, двадцать пять печатных работ опубликовано в журналах из списка, рекомендованных ВАК Минобрнауки РФ, две работы - в изданиях из БД $сорцз, получено четыре патента на способ изготовления„ также результаты докторской диссертации докладывались и обсуждались на заседаниях и научных секциях кафедр «Железнодорожная автоматика, телемеханика и связь» н «Радиотехника н электросвязь» МИИТа, на 7-13-ой научно-практических конференциях «Безопасность движения поездов» 12007-2013), 63,64,65,66-ой научнотехнических конференциях СПбНТОРЭС им.

А.С. Попова„Санкт-Петербург (2008-2011), 8.9-ой научно-технических конференциях «Перспективные технологии в средствах передачи информации», Владимир, 8-ой международной научно-практической конференции 12009,2011), «Актуальные исследования и развитие» 17-25 января 2012г. — София, Международной выставке «Йена 2009» «1дееп — Егйпдипдеп — Хепйепппд». Докторская диссертация «Научно-методические и физнкотехнологнческие принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах» Журавлевой Любови Михайловны рекомендуется к защите на соискание ученой степени доктора технических наук по специальности 05.02.22- «Организация производства в области радиоэлектроники».

Заключение принято на заседании кафедры «Радиолокация и радионавигация». Присутствовало на заседании 11 человек, в том числе 3 сотрудника кафедры «Автоматика, теле механика и связь на железнодорожном транспорте» МГУПС (проф. Волков А.А., проф. Шалягин Д.В., доц. Табунщиков А.К.). Результаты голосования: «за» - 11 чел.„ «против» - 0 чел., «воздержалось» - 0 чел.. Протокол от 04.03.2015 2015г.

М 07/1415. Заведующий кафедрой «Радиолокация и радионавигация» д.т.н. Ендовицкая Л.Г. Ученый секретарь .